Всесоюзнаяh^trilt'"^ •••%/'>&;.' г lj&t nfittrlibu-it:x;ib-r s.^';

Авторы патента:

Иностранна фирма Вестерн Электрик Компани Инкорпорейтед Соединенные Штаты Америки

H01L21/306 - обработка химическими или электрическими способами, например электролитическое травление (для образования диэлектрических пленок H01L 21/31; последующая обработка диэлектрических пленок H01L 21/3105)

368777

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ПАТЕНТУ

Союз Соввтскиз

Социалистическил

Республик

Зависимый от патента №вЂ”

М. Кл. Н 011 7/50

С 23с 3/02

Заявлено 23.VIII.1967 (лЪ 1181349/22-1)

Приоритет 20.IX.1966, № 580742, США

Коеиттет по делаю иэоорвтвиий и открытий при Совете Мииистров

СССР

УДК 621.794.47:546.2 (088.8) Опубликовано 26.1.1973. Бюллетень № 9

Дата опубликования описания 24.IV.1973

Автор изобретения

Иностранец

Дональд Карл Лепиан (Соединенные Штаты Америки) Иностранная фирма

«Вестерн Электрик Компани Инкорпорейтед> (Соединенные Штаты Америки) Заявитель

СПОСОБ ПОДГОТОВКИ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ

П ЕРЕД ХИМИЧ ЕСКИМ Н ИКЕЛ И РОВАН И ЕМ

Изобретение относится к области нанесения металлических покрытий химическим способом, в частности к способам подготовки покрываемой поверхности.

Известен способ подготовки поверхности кремния перед химическим никелированием путем травления в концентрированном растворе плавиковой кислоты.

Предложенный способ отличается от известного введением дополнительной операции активирования кремниевой пластины в растворе гидроокиси аммония, что улучшает сцепление покрытия с основой.

Необходимость такой операции обусловлена тем, что часто на поверхности кремниевых пластин присутствуют одновременно фосфорои боросиликаты, которые стравливаются в плавиковой кислоте с различной скоростью, и после окончания процесса травления поверхность кремния оказывается пассивной для нанесения на нее никелевого покрытия.

После травления пластины в концентрированном растворе плавиковой кислоты при комнатной температуре в течение 12 мин ее промывают и погружают на 4 вЂ” 6 мин в горячий раствор гидроокиси аммония с температурой 80 вЂ” 90 С и рН 8 вЂ” 10. Обработанную пластину высушивают на воздухе и затем повторно опускают на 3 мин в концентрированный раствор плавиковой кислоты для удаления окислов, которые могут образоваться на поверхности кремния при сушке и обработке в аммиаке. При химическом никелировании т0 кремниевой пластины, активированной в соответствии с предложенным способом, осаждает ся высококачественное никелевое покрытие, прочно сцепленное с основой.

Предмет изобретения

Способ подготовки поверхности кремния перед химическим никелированием путем травления в плавиковой кислоте, отличающийся тем, что, с целью активации поверхности для

20 улучшения сцепления покрытия с основой, осуществляют последующую обработку кремния в водном растворе гидроокиси аммония с рН 8 вЂ” 10 при температуре 80 вЂ” 90 С в течение 4 вЂ” 6 мин.

Редактор О. Филиппова

Составитель Л. Казакова

Техред T. Курилко

Корректор О. Усова

Заказ 1098/16 Изд. № 248 Тираж 780 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Всесоюзнаяh^trilt^ •••%/>&;. г lj&t nfittrlibu-it:x;ib-r s.^;

Автомат для химической обработки // 333633

Травитель для полупроводниковых материалов // 308470

Способ защиты поверхности карбида кремния при высокотемпературном травлении // 270080

Устройство для травления кремниевых фотоэлектрических преобразователей // 244515

Автомат для травления // 170123

Патент 159233 // 159233

Способ изготовления цинко-германиевого поверхностно- барьерного триода // 104970

Способ обработки кристаллов свинцового блеска для детекторов // 5411

Способ обработки свинцового блеска (галена) для детекторов // 3537

Процесс плазмохимического травления поликремния до кремния // 2110114

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно технологии изготовления ИС высокой степени интеграции на биполярных транзисторах, изготовленных по самосовмещенной технологии (ССТ) с двумя слоями поликремния

Способ непрерывной жидкостной химической очистки поверхности, преимущественно полупроводниковых пластин // 2118013

Изобретение относится к технологии жидкостной химической очистки поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин, и может быть использовано в электронной промышленности

Устройство для микроволновой вакуумно-плазменной с электронно-циклотронным резонансом обработки конденсированных сред // 2120681

Состав разбавителя для смывания ненужного фоторезиста на пластине в процессе изготовления полупроводниковых устройств (варианты) и способ смывания ненужного фоторезиста (варианты) // 2126567

Устройство для шлюзования // 2133521

Способ электрохимической обработки полупроводниковых пластин // 2133997

Изобретение относится к электронной технике, а именно к процессам электрохимической обработки полупроводниковых пластин, в частности к операциям электрополировки и утонения пластин, формирования анодных окисных пленок и слоев пористого кремния (формирование пористого кремния включает в себя несколько одновременно протекающих процессов - электрохимического травления и полирования, а также анодного окисления)

Реактор для плазменной обработки полупроводниковых структур // 2133998

Способ непрерывного жидкостного химического снятия слоев полимеров с поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин // 2139593

Установка для химической очистки поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин // 2139594

Способ просушивания кремния // 2141700

Изобретение относится к способу просушивания с соблюдением чистоты поверхностей таких материалов, как полупроводники, керамика, металлы, стекло, пластмассы и, в частности, кремниевые пластины и лазерные диски, у которых подложка погружена в жидкую ванну, а поверхности просушиваются по мере отделения от жидкости, например, путем продувки газа над поверхностью жидкости, причем газ может растворяться в жидкости и снижает поверхностное натяжение жидкости