Травитель для снятия пленок титана

 

О П И С А Н И Е 3%613

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”

Заявлено 15.V1.1970 (№ 1452268/26-25) с присоединением заявки №вЂ”

Приоритет—

Опубликовано 25.VII.1973. Бюллетень ¹ 31

Дата опубликования описания 26.Х.1973

М, Кл. Н Oll 7/50

С 23g 100

1.асударетеенный немитет

Вовета Мннистрев СССР

as делам изобретен»» и атщатий

УДК 621.382.062 (088.8) Авто изобретения

С. A. Смирнова

Заявитель

ТРАВИТЕЛЬ ДЛЯ СНЯТИЯ ПЛЕНОК ТИТАНА

Предмет изобретения

Изобретение относится,к технологии изготовления полупроводниковых, приборов.

В процессе производс"вва планарных полупроводниковых приборов для защиты напыленных алюминиевых контактов от потем- 5 нения под пленку алюминия предварительно наносят слой титана толщиной 0,1 — 0,3 мкм.

Способом фотолитографиями на слое титана создают необходимый .рисунок контактов. Части пленки титана, не защищенные фоторези- 10 стором, стравливают.

Известные составы для тразления титана, содержащие сильные кислоты, либо смеси сильных кислот (серной, азотной, соляной; плавиковой и азотной), непригодны для тако- 15 го стравливания, так как при этом травят и пленку фоторезистора :и слой, тем самым разрушая полупроводниковые структуры.

Цель изобретения — разработка такого состава для травления титана, который обеспечивал бы полное снятие напыленного слоя титана без травления окисла и ревиста.

Это достигается .тем, -что в состав, представляющий собой солянокислый раствор, до- 25 полнительно введены аммонийные соли плавиковой и соляной кислот, образующие буферную смесь с,рН 4 — 5. В растворе ссдержатся следующие компоненты: NH4C1-10 — 15 г; NH4F — 1 — 1,5 г; НС1 — 0,2 — 0,5 мл;

Н20 — 90 —; Т С вЂ” 65 — 70.

Травитель состава: аммоний хлористый—

10 г; аммоний фтористый — 1 г; соляная кислота — 0,2 мл; вода — 90 мл был опробован на приборах ГТ 328. Стравливали участки пленки титана толщиной 0,2 — 0,27 мкм при б0 С+-5 С в течен,ие 1,5 — 2 мин. При травлении титана пленка фоторезиста не разрушалась и титан под резистом не подтравливался. Поверхность слоя окисла в местах травления титана чистая, без пятен. Элементы полупроводниковых структур четкие.

1, Травитель для снятия пленок титана, наносимых под алюминиевые контакты в планарных полупроводниковых приборах, содержащий соляную кислоту, отличающийся тем, что„с целью повышения сслективных свойств травителя, он содержит аммониевые соли соляной и плавиковой кислот.

2. Травитель ло п. 1, отличающийся тем, что он содержит 10 — 15 вес. ч. хлористого аммония, 1,0 — 1,5 вес. ч. фтористого аммония на 90 — 100 мл .раствора.