Способ получения кристаллической двуокиси циркония

 

::. :еска@ библио;ек.: я;" д

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

1 ;оюз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 09.Х1.1970 (№ 1490799/23-26) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 1ОХ!11.1973. Бюллетень № 33

Дата опубликования описания 28.XI1.1973

М. Кл. С Olg 25/02

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам иассретений и открытий

УДК 546.834-31.07 (OS 8.6) Автор изобретения

В. Н. Павликов

Заявитель

Ордена Трудового Красного Знамени институт проблем материаловедения AH Украинской ССР

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ

ДВУОКИСИ ЦИРКОНИЯ

Изобретение относится к производству дисперсных неорганических окисных материалов, имеющих ориентированное игольчатое строение.

Известен способ получения кристаллической двуокиси циркония кристаллизацией из раствора в расплаве смеси борного ангидрида, двуокиси циркония и соединений щелочных металлов с последующим охлаждением полученного расплава.

Недостаток известного способа — низкая производительность, связанная с использованием в качестве растворителей расплавов, содержащих борты щелочных металлов.

С целью ускорения процесса кристаллизации по предлагаемому способу в качестве соединений щелочных металлов используют их фториды, исходные компоненты берут в соотношении (вес. %):

Борный ангидрид 50 — 75;

Фториды щелочных металлов (в смеси или раздельно) 5 — 25;

Двуокись циркония 10 — 25, а охлаждение расплава до температуры

1300 С ведут со скоростью 5 — 15 C/ëèÿ и далее в интервале температур 1000 †13 С со скоростью 30 — 60 С/ч ин.

Пример. Исходные материалы — борный ангидрид, безводный фтористый калий и двуокись циркония (все марки чда) взвешивают в соотношении: ВеΠ— 60 вес. %. КГ—

20 вес. % и ХпОе — 20 вес. %. Материалы п.пявят в графитовом тигле с использованием высокочастотного нагрева, Расплав нагревают с произвольной скоростью до температуры

1350 С, гомогенизируют в течение 10 яин, а затем охлаждают до 1300 С, со скоростью

10 С/лин. В интервале 1300 — 1000 С скорость охлаждения расплава увеличивают до 40 С

l0 в 1 лин. После охлаждения до 1000 С расплав выливают из тигля в металлическую изложницу и охлаждают до комнатной температуры.

Сплав обрабатывают водой при 90 С до по.пного растворения флюса. Нерастворившнйся

lS остаток отделяют от раствора, промывают сантинормальным раствором соляной кислоты и высушивают до удаления воды.

Полученный продукт представляет собой кристаллический порошок двуокиси цнркония

20 с игольчатым строением кристаллов.

Предмет изобретения

25 Способ получения кристал.пнческой двуокиси циркония кристаллизацией пз раствора в расплаве смеси борного ангидрида, двуокиси циркония и соединений щелочных металлов с последующим охлаждением полученного ряс30 плава, отличающийся тем, что, с целью уско393612

Составитель В. Павликов

Текред Т. Курилко

Корректор Е. Миронова

Редактор Е. Левина

Заказ 3455)17 Изд. № 876 Тираж 523 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Я-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 рения процесса, в качестве соединений щелочных металлов используют их фториды, исходные компоненты берут в соотношении (вес. о/о):

Борный ангидрид 50 — 75

Фториды щелочных металлов (в смеси или раздельно) 5 — 25

Двуокись циркония 10 — 25, а охлаждение расплава до температуры

1300 С ведут со скоростью 5 — 15 С и далее в интервале температур 1300 — 1000 С со ско5 ростью 30 — 60 С/л ин.

Способ получения кристаллической двуокиси циркония Способ получения кристаллической двуокиси циркония 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технологии получения оксидов высокой чистоты, преимущественно диоксидов циркония и гафния

Изобретение относится к гидрометаллургии, в частности к технологии получения диоксида циркония, применяемого для изготовления керамических изделий, используемых в металлургической и химической энергетике

Изобретение относится к новым синтетическим мезопористым кристаллическим материалам и способам их приготовления

Изобретение относится к выращиванию синтетических монокристаллов и промышленно применимо при изготовлении ювелирных изделий, а также высокопрочных оптических деталей (небольших окон, линз, призм и т.п.)
Изобретение относится к очистке бадделеитового концентрата от примесей, в том числе от примесей радиоактивных элементов

Изобретение относится к светоотражающим покрытиям и может быть использовано в летательных аппаратах космической техники
Наверх