Шихта для выращивания монокристаллов магний-марганцевых ферритов

 

с

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”

Заявлено 06Х.1970 (№ 1437869,, 23-26) М. Кл. В Olj 17/24

С Olg 49/00

С Olf 5/00

С Olg 45/00 с присоединением заявки ¹â€”

Приоритет

Опубликовано 22Х111.1973. Бюллетень ¹ 34

Дата опубликования описания 7.1.1974

Государствениый комитет

Совета Мииистров СССР по делам изооретений и открытий

УДК 546.723 46 712.07 (088.8) Авторы изобретения

В.,В. Люкшин и В. Г. Куриленко

Заявитель

ШИХТА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ

МАГНИЙ-МАРГАНЦЕВЫХ ФЕРРИТОВ

Изобретение относится к области химической технологии и получения полупроводниковых материалов и посвящено выращиванию монокристаллов магний-марганцевых ферритов с улучшенными СВЧ характеристикамии.

Известен состав шихты для выращивания монокристаллов магний-марганцевого феррита: 21,5 Mgo, 34,9 МпО, 43,6 Fe 03 (мол.%), выращенного по методу Вернейля, с наименьшей из нескольких исследованных составов шириной линии ферромагнитного резонанса (Л Н), равной 12 эрстедам на частоте

9470 Мгц при комнатной температуре.

Высокое значение ЛН исключает возможность применения этих монокристаллов в некоторых твердотелых приборах СВЧ диапазона.

С целью уменьшения величины ЛН были выбраны следующие соотношения компонентов шихты для выращивания монокристаллов магний-марганцевых ферритов по методу Вернейля: Mgo — 28 — 32, МпΠ— 26 — 20, РееОз— — 46 — 48 мол%. Монокристаллы, полученные из шихты указанных составов, имеют намагниченность насыщения (4чМ,) около 3000 гс и ширину линии фмр, измеренную при комнатной температуре на частотах 4850 и 9100

Мгц в кристаллографическом направлении (100), меньшую или равную 3 эрстедам.

Пример. Сернокислые соли магния и марганца («да») и железоаммонийные квасцы («ОЧ»), взятые в указанном соотношении перемешивают и подвергают термическому разложению при температуре 900 С. Затем

1о вновь перемешивают и обжигают при 1250 С в течение 3 час. После обжига шихту размельчают и просеивают через сито 10000 отв/сЫ. Монокристаллы выращивают íà аппарате с использованием двухканальной ки1s слородно-водородной горелки и кристаллизатора с внутренним диаметром 30 — 35 млх. Отношение расходов водорода и кислорода в пламени берется в пределах от 1 до 1,5 при абсол|отных расходах Не — 130 — 150 л/час и

20 Ог †130 †л/час. Скорость роста кристаллов 4 — 6 ил /час. Охлаждение производят путем плавного уменьшения расхода газов до полного погашенпя пламени в течение

1 — 2 час.

25 Свойства полученных монокристаллов магний-марганцевого феррита представлены в таблице.

394094

Табл нца

Ширина линии Частота

Состав монокристалла, мол. %

Диаметр сферы, мм фмр. Л Н, эрстед в напр авл. (100) измерения, Мгц

FeàОа мцо

3100 + 50 линией ферромагнитного резонанса ((3 эрстеда), исходные компоненты берут в следующих соотношениях (вес.%):

MgO 10,9 — 12,5

NnO 17,9 — 13,7

Fe2O 71,2 — 73,8

Составитель В. Люкшин

Текред Л. Богданова

Корректор Л. Новожилова

Редактор У,. Шанаурова

Заказ 3459/11 Изд. ЛЪ 1848 Тираж 678 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4,5

Типография, пр. Сапунова, 2

2,4

1,96

1,47

1,49

0,52

0,52

Предмет изобретения

Шихта для выращивания монокристаллов магний-марганцевых ферритов по методу

Вернейля, состоящая из окиси магния, окиси марганца и окиси железа, отличающаяся тем, что, с целью получения кристаллов с узкой

2,7

2,7

2,6

2,4

2,8

2,0

9100

Намагниченность насыщения 2/к NS, гс

Шихта для выращивания монокристаллов магний-марганцевых ферритов Шихта для выращивания монокристаллов магний-марганцевых ферритов 

 

Похожие патенты:
Изобретение относится к производству монокристаллов корунда и других тугоплавких веществ по методу Вернейля, в частности кристаллов сапфира и рубина с эффектом астеризма, которые иначе называются звездчатыми

Изобретение относится к кристаллографии, конкретнее к устройствам для выращивания монокристаллов из расплава, и может быть использовано, в частности, для получения монокристаллов методом горизонтальной направленной кристаллизации в вакууме

Изобретение относится к выращиванию монокристаллов корунда сине-фиолетовой гаммы окраски и может быть использовано в ювелирной промышленности

 // 416313
Наверх