Питатель сыпучих материалов

 

ОП NCA Е

ИЗОБРЕТЕН ИЯ (»)42669I

Союз Советских

Социалистицеских

Республик

К ЛВтОРСКОМЬ СаИДВЕЛЬСтВЮ (61) Зависимое от авт. свидетельства— (22) 3 а явлено 08.09.72 (21) 1827118/23-26 с присоединением заявки №вЂ” (32) Приоритет—

Опубликовано 05.05. 74. Бюллетень № 17

Дата опубликования описания 21.01.75 (51) М. Кл. В 011 17/24

В 0 1 j 4/02

Гасударственный комитет

Совета Министров СССР оо делам изобретений к открытий (53) УДК 66.065.5 (088.8) (72) Авторы изобретения

Л. А. Литвинов, М. Ф. Игнатьев, Н. С. Будник и Ю. T. Гринченко (71) Заявитель (54) ПИТАТЕЛЬ СЫПУЧИХ МАТЕРИАЛОВ

Изобретение относится к питателю сыпучих материалов, который может найти применение в технике выращивания монокристаллов по методу Вернейля, главным образом рубинов с лейкосапфировьвми наконечниками для оптических квантовых генераторов.

Известен питатель сыпучего материала, состоящий из сепаратора, в нижней части которого закреплена пористая перегородка.

Под перегородкой расположен газо распределительный коллектор с вертикальной питательной трубкой, проходящей по оси сепаратора. Такой шпатель не позволяет выращ ивать монокристаллы переменного состава.

Цель,изобретения — получение кристаллов переменного состава.

Для этого предлагаемый сепаратор разделен на вертикальные камеры, а трубка выполнена .с боковыми отверстиям и, соединяющими ее с .камер а ми.

Кроме того, камеры сепаратора в верхней части могут быть выполнены с наружным боковым срезом и соединены между собой трубоп,роводами.

На чертеже представлена схема питателя.

Он состоит,из сепарационных камер 1 и

2, соединенных между собой трубопроводом

3. В нижней части каждой камеры закреплены по ристые перегородки 4 и 5, под которыми расположен газораспределительный коллектор б с двухходовым краном 7. Сепарационные камеры соединены с вертикальной питательной трубкой 8 через наклонные отверстия

9,в ее боковой поверхности.

Питатель работает следующим образом.

В сепарацион ные камеры 1 и 2 подают шихту разного состава. При,переключении крана 7 в положение 1 кислород поступает под пористую перегородку 5. При этом шихта

1 в камере 2 переходит в псевдоожиженное состояние. Унесенные частицы поступают в питательную трубу 8 через наклонные отверстия

9, а затем — в горелку кристаллизационного аппарата (па чертеже показа но условно), После переключения двухходового крана 7 в положение II кислород поступает под перегородку 4 сепарационной камеры 1.

Вынос сырья из камеры 2 прекращается, а в камере 1 шихта переходит в псевдоожиженное состояние. Далее процесс повторяется.

В ropeëêó кристаллизационного аппарата поступает сырье:иного состава. Предложенное у стройство:позволяет автоматизировать процесс выращиванзтя кристаллов переменного состава и значительно повысить их качество.

Предмет изобретения

1. Питатель сыпучих материалов для выЗО ращивания кристаллов по методу Вернейля, 426691

Составитель В. Пополитов

Тскред Е. Борисова

Корректор И. Симкина

Pe;,àêòîð Г. Ивиенкова

Заказ 1733, 567 Изд. ¹ 836 Тираж 65! Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, 71(-35, Раушская наб., д. 4/5

Тнн. Харьк. фнл. пред. «Патент». включающий .сепаратор с пористой перегородкой, располо>кенный под ней газораспределительный коллектор и вертикальную питательную трубку, отлича ощийся тем, что, с целью выращивания кристаллов переменного состава, сепаратор разделен на вертикальные камеры, а трубка выполнена с боковыми отверстиями, соединяющими ее с камерами.

2. Питатель по п. 1, отлича оцийся тем, что казимеры сепаратора в веркней части выC полнены g,íàðóæíûìè боковыми срезами и соединены между собой трубопровода м и.

Питатель сыпучих материалов Питатель сыпучих материалов 

 

Похожие патенты:
Изобретение относится к производству монокристаллов корунда и других тугоплавких веществ по методу Вернейля, в частности кристаллов сапфира и рубина с эффектом астеризма, которые иначе называются звездчатыми

Изобретение относится к кристаллографии, конкретнее к устройствам для выращивания монокристаллов из расплава, и может быть использовано, в частности, для получения монокристаллов методом горизонтальной направленной кристаллизации в вакууме

Изобретение относится к выращиванию монокристаллов корунда сине-фиолетовой гаммы окраски и может быть использовано в ювелирной промышленности
Наверх