Патент ссср 416313

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

4l63l 3

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 24.1,1972 (№ 1741739/23-26) с присоединением заявки ¹

Приоритет

Опубликовано 25. I I.1974. Б!0.1летснь,й 7

Дата опубликования описания 26Л 1.1974

М. Кл. С Olf 7/30

В 011 17/24

Гасударственный комитет

Совета Министров СССР ао делам иэооретений и аткры!тий . ДК 661.862,22(088,8) Авторы изобретения

В. М. Самойлов, А. H. Рябов и T. И. Киселева

Заявитель

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОКИСИ АЛЮМИНИЯ

ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ПО МЕТОДУ

ВЕРНЕЙЛЯ

Таблица.>!етод определения

Технологический параметр

Количественная характеристика

С диментационный анализ по методике ГOI1

70% частиц с гэкв=4 — 12 мкм, частицы диаметром более 40 мкм отсутствуют

Дисперсный состав

Рентгенографический

Содержание а = модификации >

) 95%

Фазовый состав

По подаче пылевым генератором ПГ-1

Сыпучесть

18 — 20 г/час

По адсорбции воздуха

Термовесовой анализ

10 — 17 м jr

О, 50/О

Удельная поверхность

Влажность

Изобретение относится к способам получения окиси алюминия для выращивания монокристаллов по методу Вернейля, Известен способ получения окиси ал!ов!!!нн!! термическим разложением алюмоаммони(шых квасцов при температуре 1170 С, в результате которого получают окись алюминия у-модификации, Однако у-модификация окиси 3люминия прн изменении метереологических условий имеет 10 неустойчивую влажность и сыпучесть. Этими недостатками не обладает окись алюминия (гексагональная) а-модификация, которую получают при осаждении из раствора хлорнда

à Iþìííèÿ 3ммиаком с последующим IIðîl> 1 ливаннем прн TLмпературе †11 С. Этот способ нсприго1011 для широкого нсп!!л!! зов!1ния н промьпнлс!шостн из-з3 многоступс! I÷3той техно,тогин и высокой стоимости сырья.

Цель изобретения — получение окиси и 1I0минин гсксагон3.1ь110f! х10 I!IôIII 3111!1! ТсРмнчсСКИМ P33,10ÆCIIIii >l 3,1!0МОЗХ>!МОНН!!Ни!\ КВ IC

II0B. Д 131 31 01 0 B васны 100;- 3 15IIOT 5 ——

10 вес., а (в р;1счеге на коне шый продукт1 предварительно по,чучсш!ой окиси 3люмпння гексагональной модификации, получаемой, например, нз гнлроокпсн ал10мнння.

Составитель В. Безбородова

Тскред Т. Миронова

Корректор Л. Орлова

Гг-.:.игор Т. Фадеева

Заказ 1517/7 Изд, ¹ 532 Тираж 537 Подписное

Ц1-1ИИГ111 Государственного комитета Совета Министров СССР по делям изобретений и открытий

Москва, )1(-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Пример. В алюмоаммопийные квасцы перед обжигом добавляют 5 — 10 вес. о/о гексаго-!!à 1üíой модификации окиси алюминия (в расчете на получаемую окись ал!оминия) в виде тонкодисперсного порошка (в случае рубина вводится также активатор в виде раствора би«ромата аммония) и тщательно перемешивают компоненты. Смесь помещают в нагретую до 1170 С печь и выдерживают при этой температуре 1,5 час.

Полученный продукт вынимают из горячей и е ч и и после о х л а )к д е н н я и р о с е и В а ю т 1-1 е р е 3 сито с 10 " отв/см ¹ 100. Приготовленная таким образом шихта представляет собой тонкодисперсный порошок окиси ал!оминия со следующими характеристиками (см. таблицу).

Выращенные из полученной окиси алюминия кристаллы рубина 1!мекн меньшее количество дефектов и с разориентировкой блоков не более 30 мин по сравнению с кристаллами, выращенными из окиси алюминия у-модификации.

5 Предмет изобретения

1. Способ получения окиси алюминия для выращивания кристаллов по методу Вернейля термическим разложением алюмоаммоний10 ных квасцов, отличающийся тем, что, с целью получения окиси алюминия гексагональной модификации, в квасцы добавляют

5 — 10 вес. % в расчете на конечный продукт окиси ал1оминия гексагональной модифика15 ции.

2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что добавляемую в квасцы окись алюминия гексагональной модификации получают из гидроокиси алюминия.

Патент ссср 416313 Патент ссср 416313 

 

Похожие патенты:
Изобретение относится к производству монокристаллов корунда и других тугоплавких веществ по методу Вернейля, в частности кристаллов сапфира и рубина с эффектом астеризма, которые иначе называются звездчатыми

Изобретение относится к кристаллографии, конкретнее к устройствам для выращивания монокристаллов из расплава, и может быть использовано, в частности, для получения монокристаллов методом горизонтальной направленной кристаллизации в вакууме

Изобретение относится к выращиванию монокристаллов корунда сине-фиолетовой гаммы окраски и может быть использовано в ювелирной промышленности
Наверх