Патент ссср 402064

 

Союз Советских

Социалистических

Республик

4Î2Î64

K АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

": Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 06.V111.1971 (¹ 1689115/18-24) М. Кл. G 11с 11 38 с присоединением заявки №

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изооретений и открытий

Приоритет

Опубликовано 12.Х.1973. Бюллетень № 41

У!Цх 681 327:37(0;l.". 8) Дата olla оликования описания 22.11.1974

Авторы изобретения

Ю. В. Трусевич и О, П. Назаров

Заявитель

ТУННЕЛЬНО-ДИОДНО-ТРАНЗИСТОРНАЯ ЯЧЕЙКА

ПАМЯТИ

Предлагаемое устройство относится к области вычислительной техники.

Известна туннельно-диодная-транзисторная ячейка памяти, содержащая два транзистора, два туннельных диода и дифференцирующую цепь.

Однако в известном устройстве непосредственное соединение пары Гото (последовательное соединение двух туннельных диодов) с коллекторной цепью транзистора приводит к значительному влияншо тепловых и начальных токов транзистора на положение рабочей точки пары Гото. Это не позволяет использовать обращенные диоды с малыми рабочими токами и, следовательно, с малым потреблением мощности. Ограничение амплитуды тактовых импульсов из-за наличия вторичного отпирания записывающего транзистора приводит к уменьшению области устойчивой работы по тактовому питанию.

Целью изобретения является создание устройства с меньшей потребляемой мощностью и лучшей помехоустойчивостью.

В предлагаемом устройстве эта цель достигается тем, что в нем использованы развязывающая цепь, состоящая из резистора, включенного между источником .питания и коллектором транзистора, конденсатора, включенного между коллектором транзистора и средней точкой, последовательно соединенных диодов; три последовательно соединенных диода, один из которых соединен с источником питания пары Гото, а два других соединены со средней точкой пары Гото; диод, включенный последовательно с парой Гото; два диода, последовательно включенных между источником питания пары Гото н базой считывающего транзистора; диод, вкл1оченный между базой записывающего транзистора и корпусом.

1Q Схема устройства изображена на чертеже, где обозначено: 1 — 7 — диоды, 8, 9 — обращенные диоды, 10 — транзнсзоры записи, 11 — транзистор считывания, 12, 13 — резисторы и 14, 15 — конденсаторы.

15 Предлагаемое устройство содержит транзистор записи; развязывающую цепь; три последовательно включенных диода в цепи записи; два последовательно включенных диода в цепи считывания; пару Гото и последователь20 но включенньш с ней диод; диод в базовой цепи записывающего транзистора; транзистор считывания; резистор в базовой цепи транзистора считывания; дпфференцирующую цепь в базе транзистора записи.

При отпирании транзистора записи в его коллекторной цепи течет ток, который переводит триггер на обращенных диодах в низковольтное (единнчное) состояние, При этом

ЗО «верхний» обращенньш диод находится в «вы402064

Предмет изобретения

Составитель P. Яворовская

Техред Л, Грачева

Редактор Л. Утехина

Корректор Л. Царькова

Заказ 406/16 Изд. № 150 Тираж 576 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Мннистров СССР по делам изобретений н открытий

Москва, )К-35, Раушская наб.. д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Соковольтном» состоянии, а «нижний» вЂ” в

«низковольтном».

При подаче отрицательного тактового импульса, транзистор считывания эмиттерным током, переводит ячейку в «нулевое» «высоковольтное» состояние. В этот момент отрицательный перепад напряжения через дифференцирующую емкость отпирает следующий транзистор записи. Таким образом осуществляется передача сигнала по ячейкам в каждом такте.

Диод 1 служит для восстановления заряда на конденсаторе, диоды 2, 3 — для блокировки тока разряда через обращенные диоды.

Диод 4 обеспечивает протекание тока считывания только через нижнюю ветвь пары Гото.

Диоды 5, 6 фиксируют напряжение тактового импульса, ограничивая его при больших амплитудах. Диод 7 служит для быстрой перезарядки дифференцирующего конденсатора 14 током записи. конденсатор Ы.-служит для развязки пары

Гото от цепи коллектЬрного питания.

Ту1шельно-диодно-транзисторная ячейка памяти, содержащая транзистор записи, пару

Гото, транзистор считывания, подключенный эмиттером к средней точке пары Гото, диффереяцирующее звено, подключенное к эмиттеру транзистора считывания, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения потребляемой мощl0 ности и увеличения помехоустойчивости, в ячейку введены три последовательно соединенных диода, включенных между источником питания и средней точкой пары Гото, конденсатор, включенный между катодом первого из

15 трех последовательно соединенных диодов и коллектором транзистора записи; резистор, включенный между коллектором транзистора записи и источником коллекторного питания; последовательно соединенные пятый и шестой

20 диоды, включенные между источником питания и базой транзистора считывания; седьмой диод, включенный между базой транзистора записи и шиной нулевого потенциала.