Запоминающая ячейка

 

28О546

Союз Соеотониз

Сеииелиотичеокиз

Роептблие

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 05.Х.1964 (№ 923484I18-24) с присоединением заявки ¹

Приоритет

Опубликовано 03.1Х,1970, Бюллетень ¹ 28

Дата опубликования описания 9.ХП.1970

Кл. 21а1, 37/52

МПК G 11с 11/38

УДК 681.327.6 (088.8) комитет по долею изобретений и открытий ори Совете Миннотров

СССР

Автор изобретения

В. А, Вуль

Заявитель

ЗАПОМИНАЮЩАЯ ЯЧЕЙКА

Изобретение относится к области запоминающих устройств.

Известны запоминающие ячейки на туннельных диодах с произвольной линейной выборкой строк. Они содержат туннельный диод, резистор смещения и элементы для связи с числовой и разрядной линиями.

Однако эти ячейки не пригодны для неразрушаемого считывания информации с помощью сверхвысокочастотных (СВЧ) радиоимпульсов.

Отличием предложенной ячейки является то, что T) ííåëüíûé диод включается на конце отрезка длинной линии, шунтпрующего линию передачи, связывающую числовую и разрядную линии памяти. Это позволяет выполнить неразрушаемое считыгапие с помощью СВЧрадиоимпульса опроса, подаваемого в числовую линию. Амплитуда радиоимупьса в разрядной линии зависит в этом случае от хранимой туннельным диодом информации.

На чертеже изображена принципиальная схема запоминающей ячейки.

Ячейка включает в себя туннельный диод I, резистор 2 смещения. который используется одновременно как элемент связи с числовой линией 8, элемен- 4 связи с разрядной линией 5, отрезок б длинной линии, на одном конце которого установлен туннельный диод 1, а другой — шунтирует линию передачи 7, связывающую числовую 8 и разрядную 5 линии.

Сопротивление смещения и напряжение источника смещения, подаваемое через числовую линию 8, должны обеспечить триггерный (двуста бпльный) режим, устойчивые состояния которого на восходящей туннельной (хранение «1») и диффузионной ветвях вольт-амперной характеристики различаются значениями напряжения и тока туннельного диода, а также дифференциального сопротпвления туннельного перехода.

В частности, дифференциальное сопротивление на восходящей ветви оказывается, примерно, на порядок больше, чем сопротивление в устойчивом состоянии на восходящей туннельной ветви.

В качестве элемента 4 связи может быть выбран резистор, последовательно соединенные резистор и конденсатор, конденсатор, а также нелинейные элементы: импульсный или о бр а ще нный туни ельный диод.

Запись информации производится обычными методами — по совпадению видеоимпульсов в числовой 8 и разрядной 5 линиях запоминающего устройства.

Считывание осуществляется с помощью

СВЧ-радиои мпульса опроса, подаваемого в числовую линию 8, причем частота заполне30 пия этого радиоимпульса связана с парамет280546

Предмет изобретения

Составитель А. А, Соколов

Текред Л. Я. Левина Корректор Л. Л. Евдоной

Редактор Поздняк

Заказ 3498/14 Тираж 480 Подписное

ЦНИИГ1И Комитета по делам изобретений и открьпий при Совете Министров СССР

Москва, К-35, Раушская иаб,, д. 4!5

Типография, пр. Сапунова, 2 рами туннельного диода 1 и отрезка б длинной линии. Указанный отрезок б и тупнельный диод 1 образуют колебательную систему, эквивалентную последовательному контуру, резонансная частота которой должна совпадать с частотой считывания.

Если в запоминающей ячейке хранится «0», дифференциальное сопротивление туннельного диода 1 велико и слабо шунтирует колебательную систему. Входное сопротивление последовательного контура со значительной величиной добротности оказывается малым и сильно шунтирует линию передачи 7, в результате чего амплитуда радиоимпульса в разрядной линии мала.

При хранении «1» (на восходящей туннельной ветви характеристики) дифференциальное сопротивление диода .1 .мало и сильно шунтирует колебательную систему, добротность которой резко снижается. Входное сопротивление последовательного колебательного контура обратно пропорционально величине добротности, т. е. в данном случае возрастает.

В результате увеличения входного сопротивлснпя увеличивается уровень СВЧ-сигнала в разрядной линии 5.

Частота заполнения радиоимпульса в такой запоминающей ячейке при отношении уровней считывания «1» и «О» не менее 15 дб может достигать половины собственной резонансной частоты туннельного диода 1. Время нарастания СВЧ-радиоимпульса соответствует

10 двум-трем периодам частоты заполнения, т. е. предельная скорость считывания может быть достаточно высокой.

Запоминающая ячейка, содержащая туннельный диод и резистор смещения, отличаю и аяся тем, что, с целью неразрушаемого радиочастотного считывания информации, тун20 нельный диод расположен на конце отрезка длинной линии, шунтирующего линию передачи, связывающую числовую и разрядные линии,