Патент ссср 262976

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 07.Х.1968 (№ 1276725/18-24) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 04.11.1970. Бюллетень № 7

Дата опубликования описания 2.VI.1970

Кл. 21а>, 37/52

Комитет по делам изобретений и открытий орн Совете Министров

СССР

МПК G 11c

УДК 681.327.66(088.8) Авторы изобретения

В. М. Маижалей и Г. И. Васильков

Заявитель

МАТРИЦА ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА

Уже известны матрицы запоминающих устройств, содержащие запоминающие элементы в виде цепей последовательно соединенных туннельных диодов и резисторов, к средней точке которых подключены схемы совпадения, импульсные входы, которых подключены к разрядным шинам, а потенциальные — к числовым шинам. При этом запоминающие элементы для каждого слова подключены к шинам питания, В описываемой матрице, с целью ее упрощения и повышения надежности, в шины питания включены трансформаторы со вторичными обмотками, подключенными к коллекторам числовых транзисторов, базы которых соединены с соответствующими числовыми шинами, а эмиттеры объединены и подключены к формирователю гашения.

На фиг. 1 приведена принципиальная схема матрицы на туннельных диодах; на фиг. 2— вольтамперная характеристика бистабильного запоминающего элемента.

Матрица состоит из запоминающих бистабильных элементов, образованнных последовательным соединением туннельных диодов 1 и резисторов 2. Горизонтальные ряды бистабильных элементов образуют числа запоминающего устройства. На фиг. 1 показаны только первое и последнее числа. Все остальные

%цсла аналогичны. Вертикальные ряды бистабильных элементов образуют разряды. На фиг. 1 показаны только младший и старший разряды, остальные разряды аналогичны.

Напряжение смещения на бистабильные элементы подается по числовым шинам 3 через вторичные обмотки числовых трансформаторов 4. Ко входам 5 запоминающих элементов подсоединены импульсно-потенциальные схемы «И», состоящие из обычных диодов б, 10 конденсаторов 7 и резисторов 8. Схемы «И» имеют импульсный 9 и потенциальный 10 входы. Выходами схем «И» 5 являются входы бистабильных элементов. Импульсно-потенциальные схемы «И» могут быть другого типа, 15 например диодно-трансформаторные.

Выход формирователя гашения 11 через ши.ну 12 соединен с эмиттерами всех числовых транзисторов 18. Числовые транзисторы и потенциальные входы схем «И» каждого числя

20 управляются через шины 14, которые подсоединены к выходам потенциального дешифратора (на фиг. 1 не показан).

К импульсным входам схем «И» каждого разряда через разрядные шины записи 15 под25 соединены разрядные формирователи записи

15.

Работает матрица следующим образом. а) Режим считывания.

Н". шину 14 (фиг. 1) выбранного числа с вы30 хода потенциального дешифратора подается

262976

55 разрешающий (нулевой) потенциал, а на всех шинах 14 остальных (невыбранных) чисел остаются запрещающие положительные ,потенциалы.

Таким образом выбирается адрес числа.

После этого запускается формирователь гашения 11, который выдает импульс положительной полярности. Этот импульс через шину 12 прикладывается к эмиттерам всех числовых транзисторов 18. Он проходит через один из числовых транзисторов 18, на базе которого разрешающий (нулевой) потенциал, и через трансформатор 4 и числовую шину 3 прикладывается к резисторам 2 бистабильных элементов выбранного числа.

У всех бистабильных элементов (фиг. 2) характеристики а туннельных диодов пересекаются линиями нагрузки б в трех точках, две из которых в и г являются устойчивыми, причем, если рабочая точка бистабильного элемента находится в положении г, считается, что он находится в состоянии «единица», если в положении в — в состоянии «нуль».

Приложение положительного импульса к резистору 2 (см. фиг. 1) бистабильного элемента равносильно смещению линии нагрузки б в положение д (фиг. 2). При смещении линии нагрузки в положение д характеристика а туннельного диода,и линия нагрузки д пересекаются только в одной точке е.

Если у бистабильного элемента рабочая точка находилась в положении г, то под действием положительного импульса она перемещается в положение е и после прекращения действия положительного;импульса (когда линия нагрузки возвращается в положение б)— в положение в, т. е. бистабильный элемент переключается из состояния «единица» в состояние «нуль», и на его выходе образуется перепад напряжения порядка 0,45 в для германиевых туннельных диодов.

Если рабочая точка бистабильного элемента находилась в положении в, она под действием положительного импульса перемещается в положение е и после прекращения его действия возвращается в прежнее положение. Вистабильный элемент по-прежнему, находится в состоянии «нуль», и на его выходе образуется перепад напряжения помехи порядка 0,04 в для германиевого туннельного диода, в 10 раз меньше сигнала единицы. Таким образом, на выходах бистабильных элементов выбранного числа, находящихся в состоянии «единица», во время гашения образуется перепад напряжения, а на выходах бистабильных элементов, находящихся в состоянии «нуль», этот перепад не образуется. После гашения все бистабильные элементы выбранного числа оказываются в положении «нуль». Чтение информации, т. е.

Зо

40 преобразование выходного перепада единицы бистабильного элемента в стандартный сигнал, можно производить известными способами.

После считывания информации происходит ее регенерация, т. е. запись прочтенной информации по этому же адресу. В тех разрядах, где прочлись единицы, запускаются разрядные формирователи записи 1б.

Импульсы отрицательной, полярности с выходов формирователей записи через шины 15 прикладываются ко всем импульсным входам

9 схем «И» разрядов, где прочлись единицы, но проходят только через схемы «И» выбранного числа, на потенциальных входах 10 которых имеется разрешающий потенциал. Импульсы, прошедшие через схему «И», увеличивают прямой ток через туннельные диоды к которым подсоединены указанные схемы

«И», до величины, большей пикового тока лс (см. фиг. 2), и устанавливают бистабильные элементы в состояние «единица».

Через схему «И» невыбранных чисел импульсы не проходят, так как диоды б (см. фиг. 1) заперты положительным потенциалом.

o) Режим записи.

На шину 14 выбранного числа с выхода потенциального дешифратора подается разрешающий (нулевой) потенциал, на все остальные шины невыбранных чисел подается запрещающий потенциал. После этого запускается формирователь гашения, и выбранное число гасится, как при режиме считывания. После гашения формирователи записи 1б запускаются не в тех разрядах, где прочлись единицы (как при регенерации), а в тех, где требуется записать единицы. Требуемая информация записывается в выбранное число, как нри регенерациии.

Предмет изобретения

Матрица запоминающего устройства, содержащая запоминающие элементы в виде цепей последовательно соединенных туннельных диодов,и резисторов, к средней точке которых подключены схемы совпадения, импульсные входы которых подключены к разрядным шинам, а потенциальные — к числовым шинам, при этом запоминающие элементы для каждого слова подключены к шинам питания, отличающаяся тем, что, с целью ее упрощения и повышения надежности, в шины питания включены трансформаторы со вторичными обмотками, подключенными к коллекторам числовых транзисторов, базы которых соединены с соответствующими числовыми шинами, а эмиттеры объединены:и подключены к формирователю гашения.

262976 фиг. f

9иг. Z

Составитель В. М. Щеглов

Редактор Б. Б. Федотов Техред А. А. Камышникова Корректоры: 3. Полетаева и А. Николаева

Заказ 1327)5 Тираж 500 Подписное

LIHHHHH Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, SK-35, Раушская наб., д. 4у5

Типография, пр. Сапунова, 2