Запоминающее устройство
266848
ОПИСАН ИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советскил
Социалистическиз
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
Кл, 21ат, 37/04
Заявлено 17.Х.1968 (№ 1276857/18-24) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 01.1V.1970. Бюллетень № 12
Дата опубликования описания 15ХП.1970
МПК G Ilc 11/38
УДК 681.327.67(088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
Г
I
А. М. Гончаров и А. А. Алексеев
Горьковский исследовательский физико-технический институт „
1 ь I. ", 1
Авторы изобретения
Заявитель
ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО
Известны запоминающие устройства (ЗУ) на туннельных диодах, которые включены последовательно в направлении разрядных шин.
В качестве развязывающих элементов применены трансформаторы.
Из-за наличия большого количества развязывающих трансформаторов аппаратура, применяемая в известных устройствах, громоздка.
Кроме того, изготовление высокочастотных трансформаторов технологически трудоемко.
Применение развязывающих трансформаторов в запоминающих устройствах требует дополнительной экранировки их от посторонних наводок.
Известен наиболее близкий прототип запоминающего устройства на туннельных диодах, в котором в качестве развязывающих элементов применены полупроводниковые диоды.
Большое количество полупроводниковых диодов (четыре штуки на одно запоминающее устройство) усложняет схему.
Цель изобретения — разработка менее громоздкого запоминающего устройства повышепной надежности.
Это достигается тем, что каждый туннельный диод включен между средними точками двух пар последовательно соединенных полупроводниковых диодов, причем между соседними туннельными диодами включена только одна пара диодов.
В такой схеме полупроводниковых диодов почти вдвое меньше, в результате чего значительно уменьшаются размеры запоминающей матрицы и увеличивается надежность работы
5 устройства.
Изложенная сущность изобретения поясняется принципиальной схемой устройства.
К общей точке последовательно соединенных полу.проводниковых диодов 1 и 2 подсоединен
10 анод туннельного диода 8, катод которого соединен с общей точкой двух последовательно включенных диодов 4 и 5. К этой же точке подключен анод туннельного диода б, катод которого присоединен к средней точке двух
15 последовательно соединенных диодов, и так весь разряд.
При этом диоды 1 и 2 подключены к шине 7, диоды 4 и 5 — к тнине 8, а диоды 9 и 10 — к шине 11, 20 Прн записи, например «1», в ячейке 12 ток записи проходит через диод 4, туннельный диод 8 и диод 2, а при считывании ток считывания проходит через диод 1, туннельный диод 8 и диод 5. При записи, например «1», в ячейке
25 18 ток записи проходит через диод 9, туннельный диод б и диод 5, а при считывании ток считывания проходит через диод 4, туннельный диод б и диод 10, Таким образом через диоды 4 и 5 при запи30 си проходит ток записи одной ячейки, а при
266848
Предмет изобретения
12 !
lÎ
Составитель В. Щеглов
Техред Т, П. Курилко Корректор Н. С. Сударенкова
Редактор С. Лазарева
Заказ 1821/8 Тираж 480 Подписное
Ц1-1ИИПИ Копитета по делам изобретсilèé и открытий при Совсге Министров СССР
Москва )К-35, Рагшская наб., д. 4/5
Типография, пр, Сапунова, 2 считывании — ток считывания другой ячейки, т. е. каждый диод работает фактически в двух ячейках памяти. В результате количество диодов в запоминающей матрице определяется выражением Л = (т+ 1) п, где m — количество чисел запоминающего устройства, а а — количество разрядов числа.
Из приведенной формулы видно, что количество полупроводниковых диодов в предложенной схеме запоминающей матрицы практически в два раза меньше по сравнению с известными схемами.
Запоминающее устройство (ЗУ), содержащее туннельные диоды, последовательно вклю5 ченные в направлении разрядных шин, огличаюи1ееся тем, что, с целью сокращения количества используемых элементов и увеличения надежности работы ЗУ, каждый туннельный диод включен между средними точками двух пар
10 последовательно соединенных диодов, при этом между соседними туннельными диодами включена одна пара диодов.
