Патент ссср 414762

Авторы патента:

H05K3/26 - очистка и(или) полировка токопроводящей схемы

6 ее о,, о ., ае TC:1 T„, ™ " хи ...з с, .

П ИСАЙ ИЕ

4l4762

Союз Советских :Социалистимеских

Республик

ЗОБРЕТЕН ИЯ

АВТОРСКОМУ СВИЯЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”

М, Кл. Н 05k 3/26

Заявлено 01.1Х.1972 (№ 1824034/26-9) с присоединением заявки №вЂ”

ПриоритетвЂ”

Опубликовано 05.11.1974. Бюллетень № 5

Дата опубликования описания 18Х11.1974.

Государственный комитет

Соавта й1инистров СССР по делам нэооретеннй н открытий

УДК 667.826 (088.8) Авторы изобретения В. А. Дьяконов, Л. H. Куликов, А. Е. Богатырев, Е. И. Бобкова и

А. П. Карташова

Заявитель

СПОСОБ ОЧИСТКИ

Предмет изобрcтення

Изобретение относится к технологии производства деталей радиоэлектронной аппарату- ры.

Известен способ очистки поверхностей прецизионных деталей радиоэлектронной аппаратуры от технологических фоторезистивных покрытий обработкой их в нагретых органических растворителях.

Однако известный способ не обеспечивает таких технологических покрытий, как заполимеризированные пленки фоторезистов, некоторых лаков и эмалей.

Цель изобретения вЂ” сохра1:ение высо:;ого класса чистоты обрабатывасмы.I 103ерх1гостей.

Предлагаемый способ отличается тс I что в качестве растворителя используют расплавленный дифениламин.

Суть способа состоит в следующем: очищаемую деталь с пленкой заполимеризированного фоторезиста погружают в горячий расплав высокоплавкого растворителя, нагретого до температуры не менее 200; для улучшения очистки растворитель расплавляют в ряде вани, через которые перемещается деталь. После обработки в расплавленном растворителе остатки загрязнений смывают в трихлорэтилене при небольшом подогреве.

Такой процесс позволяет устранить как пленку, так и следы загрязнений на поверхности деталей.

Ниже приведены структурная формула дифениламнна и его температурные характеристики.

10 Т пл.=54 С

Т кпп.=302 С

Описа шый способ, позволяя уда IIIII технологические слои и загрязнения, обеспечивает сохранение высокого класса чистоты полированных поверхностей. Он дает возможность упростить технологический процесс очистки интегральIII Iz схем, полупроводниковых приборов и механизировать удаление пленок фоторезисторов.

Способ очистки поверхностей прецизионных деталей радиоэлектронной аппаратуры от технологиче".êè.; фоторезистивных покрытии обработкой пх в нагретых органических растворителях, отлича1ои1ийся тем, что, с целью сохранения высокого класса чистоты обрабатываемых поверхностей, в качестве растворителя

30 используют расплавленный дифенпламин.

Похожие патенты:

Патент 401029 // 401029

Моющая азеотропная композиция // 380695

Моющая азеотропная композиция // 372251

Способ удаления задубленного поливинил- циннамата из щелей трафаретов // 176621

Способ получения фотошаблонных заготовок // 2208920

Изобретение относится к электронной промышленности, в частности к способам получения фотошаблонных заготовок (ФШЗ), одного из основных материалов микроэлектроники

Способ очистки изделий из бериллиевой керамики от примеси углерода // 2258331

Изобретение относится к способам очистки керамических изделий от примесей, в частности к способу очистки поверхности и объема изделий из керамики ВеО от примеси углерода, в том числе подложек для микросхем и мощных резисторов, транзисторов, окон для СВЧ-радаров, каналов газоразрядных лазеров, поверхности и объема вакуумно-плотных изоляторов, применяемых в камерах с магнитным обжатием-МАГО, для получения высокотемпературной замагниченной водородной плазмы

Способ получения фотошаблонных заготовок // 2269213

Изобретение относится к электронной промышленности

Способ получения фотошаблонных заготовок // 2292679

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано на литографических операциях при изготовлении фотошаблонов для полупроводниковых приборов и интегральных схем

Способ производства полупроводниковых систем на основе фольгированного полиимида // 2295845

Изобретение относится к способу производства полупроводниковых систем, в частности к вскрытию контактных площадок в печатных платах, шлейфах, микросхемах, изготовленных на основе полиимидной пленки, когда необходимо удаление с контактных площадок адгезива из эпоксидной смолы, которой склеивается медная фольга с полиимидной основой

Способ производства полупроводниковых систем на полиимидном основании // 2295846

Изобретение относится к электротехнике, в частности к способу производства полупроводниковых систем, изготавливаемых на основе полиимида, где требуется вскрытие контактных площадок для соединения проводящих слоев разных уровней печатных плат

Способ получения фотошаблонных заготовок // 2308179

Изобретение относится к области электротехники, в частности к изготовлению фотошаблонных заготовок, предназначенных для формирования интегральных схем

Устройство для зачистки плоских поверхностей обрабатывающей жидкостью, преимущественно суспензией пемзового абразива // 2050710

Изобретение относится к технологии изготовления печатных плат и может быть использовано в радиотехнической, электротехнической и приборостроительной промышленности

Способ очистки отверстий печатных плат // 2074537

Изобретение относится к радиоэлектронной промышленности, а именно к очистке печатных плат

Устройство для зачистки контактных поверхностей многослойных печатных плат // 2010465

Изобретение относится к технологии производства многослойных печатных плат, а именно к устройствам для зачистки контактных поверхностей