Патент ссср 417909
0 П И С А Н-"И Е 417909
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
Союз Советских
Социалистических
p tty$p„„! g
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Зависимое от авт. свидетельства ¹
Заявлено 12.V11.1972 (№ 1814761/26-9) М. Кл. Н 03k 19. 08 с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 28.11.1974. Бюллетень № 8
Дата опубликования описания 2.VII.1974
Государственный комитет
Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
УДК 621.374.32(088.8) Авторы изобретения А. Г. Филлипов, С. А. Пронин, В. М. Белопольский, В. В. Прушинский, А. П. Удовик и В. М. Мамута
Заявитель
СЛОЖНЫЙ ИНВЕРТОР
Изобретение относится к вычислительной техничке и предназначено для использования в качестве мощного усилителя при построении схем логических элементов, а также в качестве усилителя импульсных сигналов.
Известны сложные инверторы, содержащие управляющий, .инвертиру ощий и повторительный транзи сторы.
Однако в известной схеме имеет место перераспределение токов в базах управляющего и инвертирующего транзисторов при изменении тока нагрузки, причем увеличение тока нагрузки вызывает уменьшение тока базы инвертирующвго транзистора, что резко ограничивает диапазон изменений TolKoiB нагрузки.
Кроме того, в данной схеме в момент:переключения возможно одновременное открытое состояние повторительного и инвертирующего транзисторов, что приводит к увеличению потребляемой мощности и создает импульсные помехи ia цепях питания.
Цель изобретения — расширение диапазона изменения токов нагрузки и исключение
Одновременного открьгтого состояния повторительного и инвертирующего транзисторов при переключении.
Это достигается введением в схему переключающего транзистора и смещающего диода с на коплением заряда, причем база упра вляющего транзистора соединена с коллектором переклю гаюгцего транзистора, эмпттср псрекл1очающсго транзистора подключен к входной шине н аноду смсщающего диода с накоплением заряда, катод которого соединен с базой ипвертирующего транзистора, а эмиттер н база переключающего транзистора через резисторы подключены к шине питания.
На чертеже показана принципиальная схема предлагаемого сложного инвертора.
1О Сложный ннвертор содержит .переключающий 1, управляющий 2, инвсртирующпй 3 н повторит ельный 4 транзисторы, смещающий диод 5 с накоплением заряда, резисторы 6 — 9, шину 10 питания, общую шину 11, вход 12
15 сложнОГО tttlBopTopQ, выход 13.
При поступлении на вход инвертора положительного перепада напряжения по достижении им уровня U„-„ток базы транзистора 1 переключается из входной цепи в базу уп20 равляющего транзистора 2,,который насыщаегся и закрывает повторительный транзистор 4. Транзистор 3 открывается, и формирование отрицательного фронта выходного импульса происходит по достижении на входе
25 уровня напряжения К-„+Уг. Таким образом, ннвертируюгций транзистор 3 открывается позже, чем закрывается повторительный транзистор 4, что исключает одновременное открытое состояние этих транзисторов. Рас30 пределение токов базы транзисторов 2 и 3
417909
Составп rc.ü Д. Голубович
Техред Г. Васильева
Редактор Ю. Агапова
Корректор Н. Торкина
Закал 1558(16 Изд. K 1358 Тираж 811 Подписное
ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по деля l паобрстен).й и открытий
Москва, )К-35, Раушская наб., д. 4/5
Гп,)ографня, пр. Сапунова, 2 ооеспечнвается резисторным делителем, состоящим из резисторов 6, 7 и 8. В этом случае базовый ток транзистора 3 не зависит от тока нагрузки, что позволяет расширить диапазон изменений токов нагрузки. .При поступлении на вход инвертора отрицательного перепада напряжения по достижении входным сигналом уровня напряжения
Уб, + Уп начинается рассасывание избыточного заряда в базе ипвертирующего транзистора 3 через смещающий диод 5 с накоплением заряда. По окончании рассасывания заряда в базе транзистора 3 он закрывается. По достижении входным сигналом
УРОВНЯ НаПРЯжЕНИЯ Оба НаЧИНаЕтСЧ РаССаСЫвание избыточного заряда в базе управляющего транзистора 2.
По окончании рассасывания заряда транзистор 2 закрывается, напряжение па его коллекторе возрастает до уровн . открывания повторительного транзистора 4, и на выходе формируется положительный фронт выходного импульса. К этому моменту инвертирующий транзистор 3 оказывается уже закрытым, что исключает возмсжность протекания сквозного тока в выходных транзисторах 3 и 4.
Предлагаемый стожный инвертор сохраняет преимущество известных схем сложных инверторов — высокое быстродействие прн работе на большую емкосгную нагрузку, и в то же время исключает возможность одновременного открытого состояния выходных транзисторов при переключении и зависимость распределения токов базы транзисторов от изменения тока нагрузки. Кроме того, н данной схеме можно использовать меньшее напряжение питания без ухудшения остальных характеристик схемы за счет исключения диода в цепи, перехода эмиттер-база повторительного транзистора 4. Это позволяет снизить мощность, потребляему1о схемой.
Предмет изобретения
Сложный иквертор, содержащий управлявший транзистор, коллектор которого соединен с базой повторительного транзистора, и ин15 вера ирующий транзистор, коллектор которого подключен, э 1иттеру повторительно)го транзистора, отличающийся тем, что, с целью расшнрепия диъпазопа изменения токов нагрузки и исключения одновременного откры20 того состояния повторительного и инвертирующего 1ранзисторов при перекл)очении. он содержит нереключа1ощий транзистор и с.,1ецающий диод с накоплением заряда, причем база управляющего транзистора соединена с кол;екторсм переключающего транзистора, эми) тер переключающего транзистора пс дключен к входной шине и аноду смещающе;о диода с накоплением заряда, катод ксторого соединен с базой инвертирующего тран30 з11стора, а эмиттар и оаза переключающего транзистора через резисторы подключены к шин" питания.
