Способ очистки веществ направленной кристаллизацией расплава

Авторы патента:

C30B11 - Выращивание монокристаллов обычным замораживанием или замораживанием при температурном градиенте, например по методу Бриджмена-Стокбаргера (C30B 13/00, C30B 15/00,C30B 17/00,C30B 19/00 имеют преимущество; под защитной жидкостью C30B 27/00)

ОП АНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ (и) 422450

Союз Советских

Социалистических

Республик

К ЛВтОИСКОМ Г СВИДЕтИЛЬСтВ Г (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 31.12.71 (21) 1733345/23-26 с присоединением заявки № (32) Приоритет

Опубликовано 05.04.74. Бюллетень ¹ 13

Дата опубликования описания 05.09.74 (5l) Л!. Кл. В 01j 17/06

С 22I> 9/02

Государственныи комитет

Совета Министров СССР по делам иэооретений и открытий (53) УДК 669.054(088.8) (72) Авторы изобретения

Е. А. Басистов, А. Е. Голуб и Т. Б. Маркина (71) Заявитель (54) СПОСОБ ОЧИСТКИ ВЕЩЕСТВ НАПРАВЛЕННОЙ

КРИСТАЛЛ ИЗАЦИЕЙ РАСПЛАВА

Изобретение относится к кристаллизационной очистке веществ и может применяться в химической промышленности, в металлургии и в производстве полупроводниковых материалов.

Известен способ очистки веществ направленной кристаллизацией расплава в контейнере с использованием погруженного в расплав нагревателя, перемещаемого по вертикали со скоростью движения фронта кристаллизации.

Размещение плоского горизонтального нагревателя над поверхностью твердой фазы очищаемого вещества способствует выравниванию фронта кристаллизации. Однако при этом под нагревателем создаются самые неблагоприятные условия для конвекции расплава. Концентрирование примеси в слое расплава под нагревателем снижает эффективность очистки и вынуждает сильно перегревать расплав во избежание захвата загрязненного расплава твердой фазой.

Цель изобретения вЂ” устранение захвата расплава твердой фазой.

Для этого нагревателю, установленному свободно по вертикали и оказывающему давление»а твердую фазу, сообщают движение по горизонтали.

Кристаллизация при таких условиях позволяет устранить захват расплава твердой фазой при минимальном перегреве расплава, в результате чего повышается эффективность очистки.

На чертеже дана схема, поясняющая предлагаемый способ.

5 Пререкристаллизируемьш материал загружают в контейнер 1, плоское дно которого охлаждают холодильником 2. Нагреватель 3, имеющий плоскую нижнюю поверхность, помещают на дно контейнера.

10 В процессе кристаллизации нагревателю сообщают возвратно-поступательное движение по горизонтали. В рсзультате скольжения нагревателя по поверхности твердой фазы, на которую он оказывает давление. разру15 шается диффузионный слой и обеспечивается контакт расплава со всеми участками фронта кристаллизации.

Предмет изобретения

Способ очистки веществ направленной кристаллизацией расплава в контейнере с охлаждаемым дном с использованием погруженного в расплав нагревателя, перемещаемого по вер25 тикали со скоростью движения фронта кристаллизации, о тл и ч а ю щи и с я тем, что, с целью устранения захвата расплава твердой фазой, нагреватель установлен с возможностью свободного перемещения по вертикали

30 под действием твердой фазы и ему сообщают движение Ilo горизонтали.

422450

Составитель Е. Басистов

Техред Е. 1>орисова

Корректор О. Тюрина

Редактор Г. Ивченкова

Типография, пр. Сапунова, 2

Заказ 2799/4 Изд Kв 748 Тираж 678 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-З5, Раушская наб., д. 4/5

Способ очистки веществ направленной кристаллизацией расплава

Похожие патенты:

Патент 416313 // 416313

Способ получения монокристаллов сцинтилляционных материалов // 415916

Устройство для подачи порошкообразного материала // 413985

Установка для выращивания монокристаллов по методу вернейля // 403236

Шихта для выращивания монокристаллов магний-марганцевых ферритов // 394094

Устройство для выращивания кристаллов и исследования кинетики их роста // 388779

Устройство для плавки немагнитных материалов // 351574

Устройство для выращивания монокристаллов // 342395

Способ приготовления пудры окиси алюминия для выращивания монокристаллов корунда методом вернейля // 324781

Устройство для выращивания монокристаллов по способу вернейля // 304784

Способ выращивания монокристаллов полупроводниковых соединений // 2105831

Изобретение относится к получению сложных полупроводниковых соединений типа A3B5 и A4B6

Устройство для получения термоэлектрических материалов // 2107116

Изобретение относится к термоэлектрическому приборостроению и может найти применение в создании высокоэффективных преобразователей на основе полупроводниковых материалов для прямого преобразования тепловой энергии в электрическую, например, в холодильниках, термостатах, агрегатах для кондиционирования воздуха и других устройствах

Способ выращивания звездчатых монокристаллов тугоплавких окислов по методу вернейля // 2124077

Изобретение относится к производству монокристаллов корунда и других тугоплавких веществ по методу Вернейля, в частности кристаллов сапфира и рубина с эффектом астеризма, которые иначе называются звездчатыми

Способ получения высококачественных монокристаллических заготовок // 2127774

Изобретение относится к металлургии, преимущественно к технологии получения литых монокристаллических заготовок из сплавов, содержащих Fe-Co-Ni-Al-Cu-Ti (ЮНДКТ)

Способ получения никелида титана и сплавов на его основе // 2132415

Способ получения окрашенных монокристаллов (его варианты) // 2132416

Способ получения монокристаллов (его варианты) // 2133787

Изобретение относится к выращиванию синтетических монокристаллов и промышленно применимо при изготовлении ювелирных изделий, а также высокопрочных оптических деталей (небольших окон, линз, призм и т.п.)

Способ получения окрашенных монокристаллов (его варианты) // 2134314

Сцинтилляционный материал на основе йодида цезия и способ его получения // 2138585

Изобретение относится к области выращивания активированных монокристаллов и может быть использовано при производстве сцинтилляторов, применяемых в приборостроении для ядерных, космических, геофизических исследований, для медицинской и промышленной компьютерной томографии

Устройство (печь цивинского-эдемского) для получения слитков кремния // 2147631