Патент ссср 428451

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (11) 428451 (61) Зависимое от авт. свидетельства— (22) Заявлено 26. 04. 73 (21) 1913166/18-24 (51) М, Кл. О 11с 11/16, с присоединением заявки

Государственный комитет

Совета Министров СССР оо делам изобретений и открытий (32) Приоритет

Опубликовано15,()5, Я Бюллетень № 1S

Дата опубликования описания I5 ° I2e74 (53) УДК 628. 327,66 (72) Авторы изобретения

li. М. Лебедь, Ю. М, Яковлев, В. С. Филонич и П. П. Пахомов (71) Заявитель

PÞ Ф ? 154) СПОСОБ УllPABJl ЕН ИЯ

ЦИЛ ИНДРИЧ ЕСКИМИ МАГНИТНЫМИ

ДОМЕНАМИ

Изобретение относится к вычислительной технике, в истности, I; построению запомипак)ших и логических устройств на основе уп4 р;:.вляемогo движения цилиндрич cKHK магнитных доменов (ЦМД), и к электронике

СВЧ. Носителем информации в доменных

5 усгройствах памяти явля)отся стабильные магнитные цилиндрические домены, способные перемещаться при внешних воздсйл.виях, создающих в монокристалле учал.ки пониженной энергии вдоль траектории дьиж.ппя ЦМД. 1р

Известно несколько способов И

1!МД, основанных на создании локальных зон !

)ониженной эп(;ргии. Так, например, продви)кение ЦМД с помощью печа Hhlx llpoBoäínKoUI>Ix схем, обтекаемых импульсами тока.

Этот способ характеризуется малой плотностьк) информации, сложностью управления последовательными импульс а и и тока, Относительно большой потребляемой мощностью, необходимостью термостабилизации устроист ва из-за разогрева llластин!>1 H >III)(ëhсами с болыпой плогпостыо тока. Способ продвижения ЦМД с пом(иц!>!О llc1) маллоевых клинообразных аппликаций и пульсиру!о!цего магии гпого поля, нерп llänêóëÿðnoã0 к ИО: Н(P Х I I O(Т!1 11, 1II CT I! Il hl, I I j) 11 Г()Д(Н Т()Л ЬКО Дл Я jl Oменов, им(>1О)цих oTIIocnт(> ll>Ho б()лыпой диа- 25 метр (1О":) мкм), что не позволяет достигать высокой плотности записи информации. Kpo-!

)ме того, продвижение ЦМД с помощью Т или т пермаллоевых аппликаций и магнитного по-! ля, приложенного в плоскости пластины. Последний способ, получивший в настоящее вре мя наиболее широкое распространечие, позвоI

:ляет осуществлять (остаточно высокую плотность записи информации, однако связан сО значительными технологическими трудностями получения пермаллосвых аппликаций определенной геометрии, )кесткими требованиями к свойствам и толщине пермаллоя, а также требованиями, нала! немыми на вращающееся магнитное поле; прп этом самые незначительные деф(кты моно!(рпсталл)!ческой пла-. стинки или пленки отршьательно сказываются, на надежность работы устройства.

Д>т Обеспе>(c ни я выс()кой KopocTH передачи I ! информации предлагаегся направленное пере- мещение ЦМД Осущестч)ля гь с помощью: ,ультразвуковых (УЗ) упругих волн, в узлах «оторых создак)тся локальные участки поии:;жеnnoA энергии, определяющие перемещениеj н фиксированное положение домена.

На фим. 1 показано устр()йст.во для реализа:ции предлагаемого cnocot)H; на фиг. 2 пла-! стина с доменами и узлами ("(оячей ультразвуковой" волны.

Тонкая монокристаллическая пластина или пленка из магнитоодноосного материала помещается между двумя пластинами 2, образуя звукопровод. Для поддержания стабильного размера ЦМД иа пластину накладывается .магнитное поле, вектор напряженности которого перпендикулярен к поверхности пластины. Для возбуждения ультразвуковой волны в звукопроводе с помощью связки 3 кре-, пится пьезоэлектрический преобразователь 4. с нанесенными на нем электродами 5.

Пьезоэлектрическим преобразователем может служит пластина, изготовленная из пьезоматериала, либо тонкая пьезоэлектрическая пленка, осажденная в вакууме иа торец звукопровода, если необходимо управлять движением доменов с размерами меньше !О мкм.

Пьезоэлектрический преобразователь воз- буждает ультразвуковые колебания кристаллической решетки. При этом в пластине образуется стоячая ультразвуковая волна. Узлы стоячей ультразвуковой волны являются локальными зонами пониженной эисргии. Кроме того, упругое попе, воздействуя иа кристал,лическую решетку, модулирует величину силы связи доменов 6 с дефектами кристалпической решетки. Домен перемещается н состоянии с минимумом энергии, т. е, в уз<;и 7 стоячей ультразвуковой волны.

Расстояние между узлами определяется длиной ультразвуковой волны. Изменяя длину волны (меняя частоту электромагнитного. сигнала, поданного на преобразователь), мож- но осуществлять направленное перемещение

1ЯМД по трааекториям, образованным узлами ультразвуковых волн. . Этот способ управления движением доменов обладает следующими преимуществами, но сравнению с известными, и позволяет значи4 тельно повысить быстродействие устройства, так как скорость ° движения доменов можно приблизить к скорости распространения ультразвуковых волн в твердом теле; значительно упростить технологию изготовления элементов памяти, исключая необходимость нанесения пермаллоевых аппликаций, снимает ограничения, налагаемые технологией изготовления пермаллоевых элементов чалых размеров (до 1 — 5 мкм), что требуется для увеличения плотности записи информации; производить направленное распространение доменов в двух взаимно-ортогональных направлениях, что достигается при помощи двух пьезопреобразователей, расположенных по торцам монокристаллической пластины магнитного материала.

Предлагаемый способ управления ЦМД предназначается для осуществления направленного перемещения доменов в запоминающих устройствах вычислительной техники. Совместно с генератором ЦМД, аннигилятором и

20 устройством считывания информации пластина ионокристаллического материала, на которую воздействуют ультразвуком, представляет собой регистр сдвига.

На чертежах позиция 8 — генератор.

l25

Предмет изобретения

Способ управления цилиндрическими магнитными доменами в пластине монокристаллического магнитоодноосного материала, основанный на приложении внешнего магнитного поля смещения, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия, в пластине создают стоячие ультразвуковые волны, лока,лизуют цилиндрические магнитные домены в участках с пониженной энергией, соответствующих узлам указанных волн, и перемещают цилиндрические магнитные домены путем по85 следовательного изменения частоты ультразвуковых волн.

Подписное

Тираж УЗ/

Збказ Х. .1 Изд. Yi /

ЦНИИ11И Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, 113035, Раушская наб., 4

Предприятие «Патент», Москва, Г-59, Бережковская наб., 24

Составитель В,Фииоии » р т Л.ТЮРИНА 1 екред Корректор И KBg83+G1HOBB

T.Êóðèëîâ

Патент ссср 428451 Патент ссср 428451 Патент ссср 428451 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к магнитным материалам, а именно, к использованию осевой симметрии для задания магнитных свойств материалов

Изобретение относится к области металлургии, а именно к магнитным материалам, в частности к использованию осевой симметрии для задания магнитных свойств материалам

Изобретение относится к разработке памяти в области магниторезистивной оперативной памяти с передачей спинового вращательного момента

Изобретение относится к устройству памяти, включающему в себя структуру магнитного туннельного перехода (МТП)

Изобретение относится к вычислительной технике

Изобретение относится к вычислительной техники, а именно к ячейкам магнитного туннельного перехода

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при создании запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах
Наверх