Накопитель на тонких магнитных пленкахвптбё^шщ "'.^«"ггрvuis^ й1ш(и.

Авторы патента:

нзобретенн Л. А. Азатов, Ш. Д. Мебуке, И. Г. Симоновский, Г. С. Качухашвили, К. А. Коринтели, А. Н. Гонглиашвили , Г. С. Микадзе

G11C11/14 - тонкопленочных

О П И С А Н И Е (ii) 436390

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистичесних

Респубпин (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 04.09.72 (21) 1825657/18-24 с присоединением заявки № (32) Приоритет

Опубликовано 15.07.74. Бюллетень № 26

Дата опубликования описания 18.12.74 (51) М. Кл. G 11c 11/14

Гасударственный комитет

Совета а1иннатраа СССР па делам изооретений и открытий (53) УДК. 628.927.66 (088.8) (72) Авторы изобретения Л. А. Азатов, Ш. Д. Мебуке, И. Г. Симоновский, Г. С. Качухашвили, К. А. Коринтели, А. Н. Гонглиашвили и Г. С. Микадзе

Тбилисский научно-исследовательский институт приборостроения и средств автоматизации (71) Заявитель (54) НА КО П ИТ ЕЛ Ь НА ТО Н КИ Х

Изобретение относится к области средств вычислительной техники и предназначено для построения быстродействующих запоминающих устройств.

Известен накопитель на цилиндрических тонких магнитных пленках, нанесенных на т(роволочную подложку, собранный в пакет из плоских плат и двух коммутационных плат, расположенных по его торцам, имеющих сквозные отверстия, через которые продеты цилиндрические тонкие магнитные пленки, ортогонально расположенные к платам.

Целью изобретения является упрощение конструкции и уменьшение габаритов накопителя.

Указанная цель достигается тем, что по всей длине каждой из плоских плат нанесен ряд многовитковых адресных обмоток, составленных из плоских витков, с изоляционными прослойками между ними; каждая из обмоток охватывает группу цилиндрических тонких магнитных пленок; концы обмоток выведены на площадки, подсоединенные к цепям управления адресом, а поверх многовитковых адресных обмоток нанесено покрытие из материала с высокой магнитной проницаемостью.

На фиг. 1 изображен накопитель.

Он собран в виде пакета из прямоугольных плат 1. На торцовых частях пакета уложены коммутационные платы 2. Пакет имеет сквозные отверстия 3, через которые продеты цилиндрические тонкие магнитные пленки (ЦТМП) 4, расположенные ортогонально к плоскости плат 2. Каждая плата 1 представляет собой диэлектрическую основу, на которой по всей длине платы в несколько рядов размещены многовитковые адресные обмотки

5, составленные из плоских витков, с изоля10 ционными прослойками. Каждая из обмоток охватывает группу цилиндрических тонких магнитных пленок. Концы обмоток переходят на площадки 6, последние служат для подсоединения цепей управления адресом.

15 На фиг. 2 изображен один из возможных вариантов изготовления многовитковой адресной обмотки путем печатного монтажа.

Диэлектрическую основу платы 1 несколькими последовательными этапами покрывают

20 слоем проводника 7 и слоем изоляции 8. Проводник имеет форму плоского витка, а количество витков в обмотке, нанесенной на плате, определяется количеством слоев проводника. Для изготовления таких плат можно

25 использовать обычную технологию многослойного печатного монтажа. Процесс изготовления позволяет получить одновременно все обмотки, расположенные на данной плате.

Внешнюю поверхность многовитковой адЗ0 ресной обмотки покрывают Г-образным тон436390 ким пермаллоевым слоем, представляющим собой магнитный кипер 9, который сбеспечивает локализацию магнитного поля в пределах обмотки. Такой магнитный кипер дает возможность довести до минимума зазор между платами в накопителе и уменьшить размеры плат. При сборке накопителя из плат все отверстия поразрядно совпадают, образуя сквозные каналы, в которые продеваются

ЦТМП 4, по торцам его размещаются торцовые коммутационные платы 2, имеющие металлизированные отверстия, соответственно соединенные печатными проводниками, и выводы для подсоединения к цепям управления разрядов.

Применение предлагаемого накопителя обеспечивает гибкое распределение объема накопителя по числам и разрядам, так как па каждой плате расположены m многовитковых обмоток, каждая из которых охватывает N разрядов одного числа, внешняя коммутация которых позволяет перераспределять объем накопителя между числами и разрядами. Например: количество разрядов в пределах (N вЂ”:Nm) с шагом N, а количество числовых обмоток в пределах (1 вЂ”:m).

Для повышения виброустойчивости и надежности платы адресных обмоток с вставленными ЦТМП и торцовыми платами собраны в пакет с определенным шагом, а пространство между платами заполнено эластичным компаундом, благодаря чему получается

5 монолитная конструкция накопителя, не создающая недопустимых механических напряжений в проволочных подложках магнитных пленок при их температурном расширении.

Предмет изобретения

Накопитель на тонких магнитных пленках, содержащий две коммутационные платы со

15 сквозными отверстиями, через которые продеты тонкие магнитные пленки на проволочных подложках, отличающийся тем, что, с целью упрощения конструкции и уменьшения габаритов, на каждой из плоских плат по всей

20 ее длине нанесен ряд многовитковых адресных обмоток с изоляционными прослойками между ними, каждая из которых охватывает группу тонких магнитных пленок на проволочных подложках, а концы обмоток выведе25 ны на контактные площадки, причем поверх многовитковых адресных обмоток нанесено покрытие из материала с высокой магнитной проницаемостью.

436390

Составитель Л. Азатов

Техред 3. Тараненко Корректор T. Добровольская

Редактор Б. Нанкина

Типография, пр. Сапунова, 2

Заказ 3320)8 Изд, № 1818 Тираж 591 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, )К-35, Раушская наб., д. 4/5

Накопитель на тонких магнитных пленкахвптбё^шщ .^«ггрvuis^ й1ш(и.

Способ изготовления тонкопленочныхматриц // 427382

Запоминающий блок // 427381

Оперативное запоминающее устройство с числовой выборкой // 424232

Патент 416758 // 416758

Патент 415896 // 415896

Патент 411692 // 411692

Патент 411520 // 411520

Патент 410467 // 410467

Патент 410458 // 410458

Магнитный носитель информации // 2128372

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Способ сверхбыстрого перемагничивания // 2279147

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Усовершенствованное многоразрядное магнитное запоминающее устройство с произвольной выборкой и способы его функционирования и производства // 2310928

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Запоминающее устройство с диэлектрическим слоем на основе пленок диэлектриков и способ его получения // 2343587

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Канал продвижения плоских магнитных доменов // 2053576

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Способ цифровой магнитной записи и воспроизведения информации // 2059295

Способ магнитной записи и воспроизведения информации // 2063070

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Магниторезистивная ячейка памяти // 2066483

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Магнитный носитель информации // 2074574

Способ управления продвижением плоских магнитных доменов // 2084971

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)