Состав для удаления фоторезистов

Авторы патента:

H01L21/306 - обработка химическими или электрическими способами, например электролитическое травление (для образования диэлектрических пленок H01L 21/31; последующая обработка диэлектрических пленок H01L 21/3105)

G03F7/32 - жидкие составы для этих целей, например проявители

(и) 4390 35

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советск

Социалистических

Республик (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 14.11.72 (21) 1845701/26-25 с присоединением заявки № (32) Приоритет

Опубликовано 05,08.74. Бюллетень № 29

Дата опубликования описания 29.01.75 (51) М. Кл. Н 011 7/00

В 41f 19/08

Государственный комитет

Совета Министров СССР оо делам изобретений и открытий (53) УДК 621.383(088.8) (72) Автор изобретения

М. С. Лурье (71) Заявитель (54) СОСТАВ ДЛЯ УДАЛЕНИЯ ФОТОРЕЗИСТОВ (30 вЂ” 35%-ная) вЂ” 1 мл

0,5 вЂ” 7 мл

Изобретение относится .к технике фотолитографии и может быть использовано при производстве полупроводниковых приборов.

Известно использование растворов на основе органических соединении для удаления фоторезистов.

11редложенный состав обеспечивает качественное удаление фоторезиста, задубленного при высоких температурах, без дополнительного нагревания на всех операциях фотолитографии, исключает механическую об работку подложек, устраняет корродирующее действие раствора на материал подложки.

Состав для удаления фогорезиста состоит из перекиси водорода и моноэтаноламина, взятых в следующем соотношении:

Перекись водорода (30 вЂ” 35% -ная) вЂ” 1 мл

Моноэтаноламин 0,5 вЂ” 7 мл

Состав готовят непосредственно перед удалением фоторезиста с подложек путем добавления перекиси водорода в моноэтаноламин и помещают в него подложки с фоторезистом.

Фоторезист удаляется с подложки в ходе экзотермичеокой реакции между компонентами состава.

Пример. При изготовлении иремниевых р вЂ” n вЂ” р-транзисторов типа КТ326 для удаления фоторезистов использовался состав, где компоненты были взяты в следующих объемных соотношениях;

10 Перекись водорода ос. ч. 1 ч.

Моноэтаноламин 3 ч.

ПредмеT изобретения

Состав для удаления фоторезистов на ос15 нове органических растворителей, отличаю шийся тем, что, с целью упрощения технологии и повышения качества ловерхяости, он состоит из перекиси водо рода и моноэтаяоламина, взятых в следующих соотношениях:

20 Перекись водорода

Моноэтаноламин

Травитель для полупроводников // 385353

Способ получения контактных выводов // 384160

Виблио:>&?н/-. // 370682

Травитель // 369651

Всесоюзнаяh^trilt'"^ •••%/'>&;.' г lj&t nfittrlibu-it:x;ib-r s.^'; // 368777

Всесоюзная iп д-ггут!''! t-vhs'ljs'' !?' :';tия i lu 1 ;ш-1 г;лjsи :<:;.• ifi/iitt библиотекатравитель // 342249

Автомат для химической обработки // 333633

Травитель для полупроводниковых материалов // 308470

Способ защиты поверхности карбида кремния при высокотемпературном травлении // 270080

Органический проявитель для позитивных фоторезистов // 396664

Проявитель для литографских пластин // 374865

Состав разбавителя для смывания ненужного фоторезиста на пластине в процессе изготовления полупроводниковых устройств (варианты) и способ смывания ненужного фоторезиста (варианты) // 2126567

Фотополимеризующаяся композиция для изготовления защитного рельефа матрицы гальванопластического наращивания // 1632228

Изобретение относится к фотографии, в частности к фотополимеризующейся композиции для изготовления защитного рельефа гальванопластического наращивания

Раствор для проявления фотоформ // 1644077

Растворитель для вымывания полимера и его применение для обработки флексографической печатной формы // 2523810

Изобретение относится к растворителю для вымывания полимера и его использованию для обработки флексографической печатной формы. Растворитель включает 10-25 мас.% сложноэфирного углеводородного компонента, 50-75 мас.% простоэфирного углеводородного компонента и 10-25 мас.% спиртового углеводородного компонента. Растворитель применяют для обработки флексографической печатной формы на стадии промывки. Растворитель обладает менее опасными свойствами, чем известные растворители. Использование растворителя позволяет сократить время вымывания неотвержденного полимера из формы, при этом фактически никакого набухания формы после промывки не происходит, а также сократить время высушивания формы. 2 н. и 14 з.п. ф-лы, 1 табл., 1 пр.

Контейнер для органического обрабатывающего раствора для формирования структуры резистной пленки химического усиления, и способ формирования структуры, способ производства электронного устройства // 2615158

Изобретение относится к контейнеру, содержащему блок корпуса, который включает органический обрабатывающий раствор для формирования структуры резистной пленки химического усиления, представляющий собой органический проявитель. При этом органический обрабатывающий раствор содержит 1 ч./млн. или менее алкилолефина, имеющего количество атомов углерода, составляющее 22 или менее, и 5 ч./млн. или менее концентрации металлического элемента для каждого из Na, K, Са, Fe, Cu, Mg, Mn, Li, Al, Cr, Ni и Zn. Блок корпуса имеет внутреннюю стенку, приходящую в соприкосновение с органическим обрабатывающим раствором, при этом внутренняя стенка сделана из перфторсмолы. Органический проявитель содержит по меньшей мере один проявитель, выбираемый из группы, состоящей из основанного на кетоне растворителя, основанного на сложном эфире растворителя, основанного на спирту растворителя, основанного на амиде растворителя и основанного на эфире растворителя. Также предложен вариант контейнера, способ формирования структуры резистной пленки химического усиления и способ производства электронного устройства. Изобретение позволяет снизить встречаемость частиц, которые представляют проблемы в тонкой структуре. 4 н. и 6 з.п. ф-лы, 3 табл., 16 пр.

Процесс плазмохимического травления поликремния до кремния // 2110114

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно технологии изготовления ИС высокой степени интеграции на биполярных транзисторах, изготовленных по самосовмещенной технологии (ССТ) с двумя слоями поликремния

Способ непрерывной жидкостной химической очистки поверхности, преимущественно полупроводниковых пластин // 2118013

Изобретение относится к технологии жидкостной химической очистки поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин, и может быть использовано в электронной промышленности

Устройство для микроволновой вакуумно-плазменной с электронно-циклотронным резонансом обработки конденсированных сред // 2120681