Двухоперационный тиристор

Авторы патента:

H01L29 - Полупроводниковые приборы для выпрямления, усиления, генерирования или переключения, а также конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них (H01L 31/00-H01L 47/00,H01L 51/00 имеют преимущество; способы и устройства для изготовления или обработки приборов или их частей H01L 21/00; конструктивные элементы иные чем полупроводниковые приборы или электроды для них H01L 23/00; приборы, состоящие из нескольких компонентов на твердом теле, сформированные на одной общей подложке или внутри нее, H01L 27/00; резисторы

петен:и; ничеснал

0 "Олио > е

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. саид-ву (22) Заявлено ОЗО 169. (21) 1293512/26-25 с присоединением заявки ¹ 1880068/26-25 (23) Приоритет

Опубликовано 050679, Бюллетень № 21

Дата опубликования описания 05 . 06 . 79

Государственны Й комитет

СССР ио дедам изобретений и открытый (72) Авторы изобретения

И. В. Грехов и И. A. Линийчук (7l) ЗаяВИтЕЛЬ Ордена Ленина физико-технический институт им. A. Ф. Иоффе (54 ) ДВУХОПЕРАЦИОННЫР 1ИРИСТОР

Изобретение относится к области конструирования полупроводниковых переключающих приборов.

Известны двухоперационные тиристоры, содержащие планарный,эмиттер со слоем высокой концентрация у поверхности и базу со слоем повышенной концентрации примеси у анодного эмиттерного перехода,а также электроды к эмиттерам и ко второй базе. Однако известные тиристоры отличаются низким значением выключаемого тока

Лигач,пониженными частотными свойствами, высоким остаточным напряжением

0(дв H др °

Для улучшения электрофизических параметров в предлагаемом тиристоре планарный эмиттерный слой, через

1 который осуществляется управление, выполнен из двух однотипных областей с различной коицентрацией примеси, причем область, примыкающая к переходу, имеет меньшую концентрацию примеси по всей поверхности перехода, а широкая база содержит слой с повышенной концентрацией примеси переменной величины, при этом градиент концентрации направлен в сторону примыкающего к нему эмиттера.

Описаннйе конструктивные особенности тиристора позволяют повысить выключае мый ток за счет обеспечения необходимых величин коэффициентов усиления по току составляющих транзисторов ({р-р-р> ° n-p-n) при

{. выполн енин условя я « „.„+«„„„" 1, . Ма также за счет низкого сопротивления растекания управляемой базы и повышенного напряжения пробоя планарного эмиттера.

Наличие в слоЕ широкой базы тиристора области с повышенной концентрацией примеси, градиент которой направ.лен к анодному э>иттеру, позволяет существенно .уменьшить толщину базы без изменения величины I > п-р, что сокращает время переходных процессов включения и выключения.

Улучшение .частотных харак,.еристик достигается также за счет действия встроенного поля в широкой базе.

Структура может быть реализована при помощи ряда. последовательных диффузий или посредством эпитаксильного наращивания.

Предлагаемая конструкция двухоперационного.тиристора по сравнению с известными конструкциями имеет

45742 лучшие значения таких параметров . как выключаемый анодный ток, время включения и выключения и остаточное напряжение.

Формула изобретения двухоперационный тиристор р-п-,ð-птипа, содержащий планарный змиттер со слоем высокой концентрации у поверхности и базу со слоем повышен- р ной концентрации примеси у анодного эмиттерного перехода, а такЖе элек1

4 троды к змиттерам и ко второй базе, отли чающий с я тему чтоу, с целью повышения выключаемого тока и улучшения частотных характеристик, содержащийся в базе слой по вышенной концентрации примеси выполнен с переменной концентрацией, градиент которой направлен в сторону . примыкающего к нему змиттера, а упомянутый планарный змиттер выпол нен так, что слой с высокой концентрацией примеси отделен от базы однотипным с Ним слоем с меньшей концентрацией. р р

Заказ 3253/51 Тираж 922 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035 Москва Ж-35 Ра шская наб. д. 4 5

Филиал ППП Патент, r Ужгород, ул. Проектная, 4

Составитель О. Федюкина

Редаккто Л. Письман Тех е Н. Андрейчук Ко екто К. Папп

Похожие патенты:

Тиристор // 455685

Полупроводниковый материал для записи голограмм // 453976

Способ изготовления мдп-структур на основе арсенида галлия // 444507

Полупроводниковый прибор // 432840

Силовой магнитоуправляемый элемент // 419988

Патент 410492 // 410492

Запоминающее устройство12 // 409454

Способ определения теплового режима полупроводниковых, например автотракторных, // 409318

Патент 398068 // 398068

Симметричный тиристор // 397122

Полевой транзистор с p-n переходом и способ его изготовления // 2102818

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к вертикальным полевым транзисторам с р-n переходом

Варактор // 2102819

Изобретение относится к области полупроводниковых приборов, а именно к варакторам (варикапам) полупроводниковым приборам, реактивностью которых можно управлять с помощью напряжения

Полупроводниковый прибор с барьером шоттки // 2105385

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, в частности к приборам с барьером Шоттки (БШ) на фосфиде индия (InP)

Туннельный прибор // 2105386

Изобретение относится к туннельным приборам, а именно к функциональным элементам наноэлектроники и вычислительной техники, и может быть использовано для приборного и схемотехнического применения нанотехнологии, например для построения одноэлектронных логических схем, создания схем одноэлектронной памяти, работающих при комнатной температуре

Способ изготовления туннельного прибора // 2106041

Изобретение относится к способам изготовления функциональных элементов наноэлектроники и вычислительной техники и может быть использовано для изготовления одноэлектронных логических схем, схем одноэлектронной памяти, работающих при комнатной температуре

Симметричный тиристор // 2106720

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, а именно к симметричным тиристорам, представляющим собой интегральный прибор, состоящий из двух встречно-параллельно включенных тиристоров с общим управляющим электродом, и может быть использовано при создании новых типов симметричных тиристоров

Двухзатворная мдп-структура с вертикальным каналом // 2106721

Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и наноэлектронике и может быть использовано при создании интегральных схем с элементами субмикронных и нанометровых размеров, особенно в тех случаях, когда требуется обеспечить высокую плотность элементов

Биполярный транзистор интегральной схемы // 2108640

Вертикальный мдп-транзистор интегральной схемы // 2108641

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано для создания интегральных схем (ИС) большой степени интеграции

Полупроводниковая кремниевая структура // 2110117