Способ изготовления матрицы для запоминающего устройства

Авторы патента:

G11C5/12 - Запоминающие устройства статического типа (накопление информации, основанное на относительном перемещении носителя записи и преобразователя G11B; полупроводниковые приборы для запоминающих устройств H01L, например H01L 27/108-H01L 27/115; импульсная техника вообще H03K, например электронные переключатели H03K 17/00)

c=".о оз:ма о чатен-: / .::;,сиам

1-. „.,фффффр ма ЙЫД (II) 466 544

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВМДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Ресоуолик (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 11.03.74 (21) 2004880/18-24 с присоединением заявки № (32) Приоритет

Опубликовано 05.04.75. Бюллетень № 13

Дата опубликования описания 08.07.75 (51) М. Кл. 6 1lc 5. 12

Государственный комитет

Совета Министров СССР (53) УДК 681.327.6 (088.8) по делам нзооретений и открытий (72) Авторы изобретения

Ю. В. Остапенко, В. В. Бушин и H. Д. Новик

Ордена Ленина институт кибернетики АН Украинской ССР (71) Заявитель (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАТРИЦЫ

ДЛЯ ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА

Предмет изобретения

Изобретение относится к области вычислительной техники, в частности к технологии изготовления матриц для запоминающих устройств (ЗУ) ЭВМ.

Известен способ изготовления матриц для

ЗУ, заключающийся в нанесении адресных и разрядных шин на металлизированный диэлектрик, оплавлении диэлектрика, расположенного между шинами, потоком горячего газа с последующей изоляцией эпоксидной смолой, металлизацией и покрытием этих шин магнитным материалом с прямоугольной петлей гистерезиса.

Однако при использовании известного спосооа толщина изоляционного слоя между шинами и магнитным слоем неравномерна из-за неоднородности поверхностного натяжения слоя изолирующего материала в процессе его нанесения, а изоляция в местах утоньшения ненадежна.

Целью изобретения является повышение кач еств а м атр ицы.

Эта цель достигается тем, что перед нанесением изоляционного покрытия из эпоксидной смолы на шины наносят смесь из неплавкого материала, например MgO.

На металлизированном с двух сторон лавсане методом фотолитографии изготавливают с одной стороны вЂ” адресные, а с другой вЂ” ортогональные им разрядные шины. Оплавляют матрицу в потоке горячего газа. На шины наносят методом опудривания смесь: окись ме5 талла вЂ” связующее, например MgO и эпоксидная смола (2:1). Затем изолируют шины эпоксидной смолой, металлизируют и покрывают методом химического осаждения магнитным материалом с прямоугольной петлей гистере10 зиса.

15 Способ изготовления матрицы для запоминающего устройства, заключающийся в нанесении адресных и разрядных шин на металлизи ров анный диэлектрик, оплавлении диэлектри-а, расположенного между шинами, пото20 ком горячего газа с последующей изоляцией эпоксидной смолой, металлизацией и покрытием этих шин магнитным материалом с прямоуго IbEIOH петлей гистерезиса, отличаюшийся тем, что, с целью повышения качест25 ва матрицы, перед нанесением изоляционного покрытия из эпоксидной смолы на шины напосят смесь из неплавкого материала, например MgO.

Матрица для запоминающего устройства // 466541

Дозатор для тороидальных ферритовых сердечников // 462215

Матрица сопротивлений // 461447

Устройство для нанизывания ферритовых сердечников диаметральными отверстиями на моонтажжный проводник // 461446

Шаблон для прошивки накопителя постоянного запоминающего устройства // 454585

Матрица для запоминающего устройства // 452853

Матрица для запоминающего устройства // 452852

Устройство для разбраковки п-образных ферритовых сердечников // 449374

Механизм подачи и фиксирования сердечников устройство прошивки матриц // 447104

Постоянное запоминающее устройство (пзу) х-конфигурации // 2134915

Изобретение относится к ПЗУ Х-конфигурации

Конструкция ячейки памяти с вертикально расположенными друг над другом пересечениями // 2156013

Изобретение относится к вычислительной цифровой технике, конкретно к конструкции ячейки памяти с вертикально расположенными друг над другом пересечениями

Устройство для умножения напряжения // 2159472

Изобретение относится к устройству для создания отрицательного высокого напряжения, которое требуется, например, для программирования электрически стираемой программируемой постоянной флэш-памяти

Схема для генерации отрицательных напряжений // 2189686

Изобретение относится к схеме для генерации отрицательных напряжений с первым транзистором, первый вывод которого соединен с входным выводом схемы и второй вывод которого соединен с выходным выводом схемы и вывод затвора которого соединен через первый конденсатор с первым выводом тактового сигнала, со вторым транзистором, первый вывод которого соединен с выводом затвора первого транзистора, второй вывод которого соединен со вторым выводом первого транзистора и вывод затвора которого соединен с первым выводом первого транзистора и со вторым конденсатором, первый вывод которого соединен со вторым выводом первого транзистора, а второй вывод которого соединен со вторым выводом тактового сигнала, причем транзисторы являются МОП-транзисторами, выполненными, по меньшей мере, в одном тройном кармане (Triple Well)

Масштабируемое устройство обработки данных // 2201639

Многомерная структура адресации для электронных устройств // 2248626

Изобретение относится к средствам, обеспечивающим возможность адресации в устройстве, содержащем один или более объемных элементов

Способ неразрушающего хранения и извлечения данных и устройство для осуществления данного способа // 2271581

Изобретение относится к устройству хранения данных, к способу осуществления бездеструктивного считывания данных и способу придания поляризации парам субъячеек памяти

Модуль полупроводниковой памяти и приемный блок устройства записи-считывания для него // 2327235

Игровая система, позволяющая определять местоположение игрового устройства в казино // 2335802

Изобретение относится к игровым системам и, в частности, к способам и средствам, позволяющим определять местоположение игрового устройства в казино