Накопитель магнитного оперативного запоминающего устройства

 

<п1 439016

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 12.04.73 (21) 1907692/18-24 с присоединением заявки № (32) Приоритет

Опубликовано 05.08.74.. Бюллетень № 29

Дата опубликования описания 30.01.75 (51) М. Кл, G 11с 11, 14

Гасударственный квинтет

Саавта Министраа СССР аа делам изобретений в открытий (53) УДК 681.325.66 (088.8) (72) Автор изобретения

М. А. Сычев (71) Заявитель (54) НАКОПИТЕЛЬ МАГНИТНОГО ОПЕРАТИВНОГΠ— ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА

Устройство предназначено для применения в оперативных запоминающих устройствах (ЗУ) ЦВМ.

Известны накопители магнитных оперативных ЗУ, выполненные на цилиндрических тонких магнитных пленках. В этих накопителях цилиндрические тонкие магнитные пленки нанесены на поверхность разрядных проводов (стержней), на которых намотаны числовые обмотки. 10

Однако в таких накопителях невозможно полное подавление помех даже при идеальной симметрии разрядной цепи.

Цель изобретения заключается в повышении помехозащищенности благодаря компен- 15 сации помех при помощи симметричной (относительно разрядной цепи) числовой обмотки.

Эта цель достигается тем, что каждая числовая обмотка выполнена из двух одинаковых противоположно намотанных секций, вклю- 20 ченных параллельно и встречно.

На чертеже условно изображено одно четырехразрядное число накопителя.

Числовая обмотка состоит из одинаковых секций 1 и 2. 25

Первая секция 1 числовой обмотки, состоящая из трех витков, намотана на разрядные провода 3 — б, например, в направлении по часовой стрелке. Вторая секция 2 числовой обмотки намотана на разрядные провода 3 †30 в противоположном направлении. Разрядные провода 3 — 6 относятся соответственно к первому, второму, третьему и четвертому разрядам накопителя. Начало (Н) секции 2 и конец (К) секции 1 присоединены к токозадающим резисторам 7, которые подключены к коллектору коммутирующего транзистора 8. Начало секции 1 и конец секции 2 числовой обмотки присоединены к точке подключения источника питающего напряжения 9 (паразитные емкости 10 связи между витками секций числовой обмотки и проводом 3 показаны на чертеже только для крайних витков) . К концам провода 3 первого разряда подключен дифференциальный усилитель считываемых сигналов 11 (усилители остальных разрядов на чертеже не показаны) .

При работе накопителя для считывания информации открывают коммутирующий транзистор 8. Считывающий числовой ток протекает через открывшийся транзистор 8 и через одинаковые токозадающие резисторы 7. Затем равные половины числового тока текут через секции 1, 2 числовой обмотки и попадают в точку подключения источника питающего напряжения 9 (на чертеже показан р — п — ртранзистор, и соответственно выбрана полярность источника питающего напряжения — Е) .

В момент считывания информации индуктивное сопротивление секций 1, 2 числовой об439016

Предмет изобретения

Составитель М. Сычев

Корректор Н. Аук

Редактор Л. Утехина

Техред Т. Миронова

Заказ 1!4, 3 Изд, Ко 179 Тираж 591 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д, 4/5

Типография, пр Сапунова, 2 мотки велико, и практически все скоммутированное транзистором 8 напряжение питания оказывается приложенным к каждой из секций !, 2 числовой обмотки. Возникающий при этом на секциях 1, 2 числовой обмотки перепад напряжения Уь через паразитные емкости 10 попадает на провод 3 (на разрядные провода 4 — 6 остальных разрядов) и далее на усилитель 11. Секции 1 и 2 числовой обмотки одинаковые, поэтому токи помех II и 1з обеих секций взаимно компенсируются.

Секции 1 и 2 числовой обмотки намотаны в противоположных направлениях, но включены встречно, поэтому их магнитные поля складываются и оказывают на разрядные провода то же действие, что и числовая обмотка в других накопителях.

Накопитель магнитного оперативного запоминающего устройства, выполненный на цилиндрических тонких магнитных пленках, содержащий разрядные провода с магнитным

10 покрытием с намотанными на них числовыми обмотками, отличающееся тем, что, с целью повышения помехозащищенности, каждая числовая обмотка выполнена из двух одинаковых противоположно намотанных секций, 15 включенных параллельно и встречно.

Накопитель магнитного оперативного запоминающего устройства Накопитель магнитного оперативного запоминающего устройства 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)
Наверх