Магнитопленочная запоминающая матрица

Авторы патента:

БЕРЕЖНОЙ ЕВГЕНИЙ ФЕДОРОВИЧ

ШАШКО ВЛАДИМИР ДАНИЛОВИЧ

КРЫЛОВ ЛЕОНИД ПЕТРОВИЧ

ФУРТИЧЕВ ВИКТОР СИДОРОВИЧ

G11C11/14 - тонкопленочных

ОПИCАН

ИЗОБРЕТЕН ИЯ 1ц 447756

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 22.01.73 (21) 1877607/18-24 с присоединением заявки № (32) Пр,иоритет

Опубликовано 25.10.74. Бюллетень № 39

Дата опубликования описания 19.05.75 (51) M. Кл. G 11с 11, 14

Государственный комитет

Совета воннистров СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 681.325.66 (088.8) (72) Авторы изобретения Е. Ф. Бережной, В. Д. Шашко, Д. П. Крылов и В. С. Фуртичев (71) Заявитель (54) МАГНИТОПЛЕНОЧНАЯ ЗАПОМИНАЮЩАЯ МАТРИЦА

Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике и предназначено для использования в запоминающих устройствах.

Известны магнитопленочные запоминающие матрицы для хранения информации, которые содержат подложку, запоминающий слой в виде дискретных плоских пленочных пятен, числовые и разрядные шины и размещенный над шинами ферромагнитный кипер вЂ” гибкую пластину на основе смеси синтетических каучуков с наполнителем из ферритового порошка. В этих матрицах ферромагнитный кипер предварительно размагничивается при сборке матриц, а сам накопитель из матриц заключается в магнитный экран. В силу гистерезисности характеристики В= f(H) ферромагнитного кипера, он намагничивается импульсными полями, возникающими вследствие многократного воздействия импульсов считывания вЂ” записи, а также проникающими сквозь экран внешними магнитными полями, так как магнитный экран не полностью защищает матрицу от внешних магнитных полей, а лишь ослабляет последние в определенное число раз, равное коэффициенту ослабления. Намагниченный ферромагнитный кипер создает магнитные поля, которые демпфируют поворот намагниченности пленочного пятна, и тем самым нарушает работоспособность запоминающей матрицы.

Цель изобретения вЂ” повышение помехозащищенности магнитопленочной запоминающей матрицы. В связи с этим ферромагнитный кипер выполнен из двух слоев вЂ” ферритового и пермаллоевого с высокой магнитной проницаем остью.

На фиг. 1 изображена конструкция предложенной матрицы; на фиг. 2 вЂ” кривые распределения уровней сигналов с запоминающих элементов матрицы.

Магнитопленочная запоминающая матрица содержит фольгированное стеклотекстолитовое основание 1, диэлектрическую подложку

2, плоские пленочные пятна 3, числовые шины 4, стеклотекстолитовую прокладку 5, разрядные шины 6, ферритовый слой ферромагнитного кипера 7 и пермаллоевый слой ферро магнитного кипера 8.

На фиг. 2 приведены кривые зависимости

Я=/(У,), где У, вЂ” пороговое значение сигнала, Л вЂ” число запоминающих элементов матрицы, имеющих амплитуды сигналов, превышающих данный уровень сигнала. При этом цифрами 9 обозначена кривая распределения уровней сигналов с матрицы при размагниченном ферритовом слое (пермаллоевый слой отсутствует), 10 вЂ” кривая распределения уровней сигналов с матрицы при намагниченном ферритовом слое магнитным полем 50э

30 (пермаллоевый слой отсутствует), 11 вЂ” кри447756

3 вая распределения уровней сигналов с матрицы при намагниченном ферритовом слое магнитным полем 50э (пермаллоевый слой присутствует и плотно прилегает к ферритовому слою).

Двухслойный ферромагнитный кипер устраняет влияние остаточных магнитных полей ферритового слоя на работоспособность магнитопленочной матрицы, замыкая пермаллоевым слоем 8, плотно прилегающим к ферритовому слою 7, поля последнего. В результате этого они не взаимодействуют с намагниченностью пленочных элементов.

Кривые распределения уровней сигналов с матрицы при намагниченном ферритовом слое и неплотно прилегающем к нему пермаллоевом слое находятся между кривыми 10 и 11, причем положение их определяется зазором между слоями. Совпадение кривых 9 и 11 указывает на полное устранение влияния остаточных магнитных полей ферритового слоя на работоспособность магнитопленочной запоминающей матрицы.

Кроме того, конструкция предложенной магнитопленочной запоминающей матрицы с двухслойным ферромагнитным кипером заэкранирована от внешних магнитных полей.

Действительно, внешнее магнитное поле, проникающее в пермаллоевый слой 8 с высокой магнитной проницаемостью, сильно ослабля5 ется в нем. Пленочные пятна в рассматриваемой конструкции матрицы находятся достаточно близко к пермаллоевому слою 8. Поэтому в силу непрерывности изменения тангенциальной составляющей поля на границе двух

lo сред, на пленочные пятна действуют сильно ослабленное внешнее магнитное поле, Это также хорошо подтверждается экспериментальными результатами.

15 Предмет изобретения

Магнитопленочная запоминающая матрица, содержащая диэлектрическую подложку с расположенными на ней плоскими пленочны20 ми пятнами и числовыми и разрядными шинами и размещенный над ней ферромагнитный кипер, отличающаяся тем, что, с целью повышения помехоза щищенности, ферромагнитный кипер выполнен из двух слоев вЂ” фер25 ритового и пермаллоевого вЂ” с высокой магнитной проницаемостью.

447756

soo

ygxfQ фЯ

ЧО фиг. Г

Составитель Ю. Розенталь

Техред М. Семенов

Редактор E. Гончар

Корректор А. Дзесова

Типография, пр. Сапунова, 2

Заказ 1121/6 Изд. № 506 Тираж 591 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Магнитный накопитель информации // 442513

Накопитель магнитного оперативного запоминающего устройства // 439016

Накопитель на тонких магнитных пленкахвптбё^шщ "'.^«"ггрvuis^ й1ш(и. // 436390

Запоминающее устройство на магнитныхпленках // 434479

Способ изготовления тонкопленочныхматриц // 427382

Запоминающий блок // 427381

Оперативное запоминающее устройство с числовой выборкой // 424232

Патент 416758 // 416758

Патент 415896 // 415896

Магнитный носитель информации // 2128372

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Способ сверхбыстрого перемагничивания // 2279147

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Усовершенствованное многоразрядное магнитное запоминающее устройство с произвольной выборкой и способы его функционирования и производства // 2310928

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Запоминающее устройство с диэлектрическим слоем на основе пленок диэлектриков и способ его получения // 2343587

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Канал продвижения плоских магнитных доменов // 2053576

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Способ цифровой магнитной записи и воспроизведения информации // 2059295

Способ магнитной записи и воспроизведения информации // 2063070

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Магниторезистивная ячейка памяти // 2066483

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Магнитный носитель информации // 2074574

Способ управления продвижением плоских магнитных доменов // 2084971

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)