Магнитный запоминающий элемент

 

1,въ;-т .: гЛ t. 1

l .- l t l l".).: 1 " n., 0:- бл,1о Гс ъ . а

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

<п SI6099

Сею Оееетскик

Соцналистнческнк

Рвснублнк (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 10.03.75 (21) 2112563/24 с присоединением заявки № (23) Приоритет

Опубликовано 30.05.76. Бюллетень ¹ 20

Дата опубликования описания 02.08.76 (51) Ч. Кл.-" G 1! С 11/08

Государственный комнтет

Совета Министров СССР но аалам ндсбретекнй н открытий! (53) УДК 681.327.66 ! (088.8) (72) Авторы изобретения

Е. П. Балашов, А. И. Водяхо, А. О. Тимофеев и Л. А. Шумилов

Ленинградский ордена Ленина электротехнический институт им, В. И. Ульянова (Ленина) (71) Заявитель (54) МАГНИТНЫЙ ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ

Изобретение относится к области вычислительной техники и предназначен для использования в оперативных запоминающих устройствах, работающих по принципу координатной выборки информации.

Известны магнитные запоминающие элементы, содержащие ферритовую пластину с отверстиями, расположенными вдоль оси симметрии пластины, разделенными равными по сечению перемычками и прошитыми координатными, разрядной и выходной обмотками.

Один из известных магнитных запоминающих элементов содержит ферритовую пластину с одним большим и двумя малыми отверстиями. В этом элементе через малое крайнее отверстие проходят выходная и одна из координатных обмоток. Для такого элемента принципиально возможно совмещение разрядной и одной из координатных обмоток, т. е. получение эффекта прохождения по одному проводу в каждое отверстие, однако в этом случае необходимо иметь несколько комплектов разрядного оборудования.

Наиболее близким техническим решением к данному изобретению является магнитный запоминающий элемент, который содержит, как и предложенный, ферритовую пластину с большим крайним и четырьмя малыми отверстиями, расположенными вдоль оси симметрии пластины и разделенными равными по сечению перемычками, координатные обмотки, разрядную обмотку записи, прошитую через четвертое малое крайнее отверстие, выходную обмотку, прошитую через большое крайнее отверстие (1).

Недостатком известного элемента является прохождение двух координатных обмоток через одно и то же отверстие.

Цель изобретения — упрощение магнитного запоминающего элемента.

Это достигается тем, что в предлагаемом матнитном запоминающем элементе, содержащем ферритовую пластину с большим крайним и четырьмя малыми отверстиями, расположенными вдоль оси симметрии пластины и разделенными равными по сечению перемычками, координатные обмотки, разрядную обмотку записи, прошитую через четвертое малое крайнее отверстие, выходную обмотку, прошитую через большое крайнее отверстие, одна из координатных обмоток прошита через третье малое отверстие, а другая — через первое и второе малые отверстия в противоположных напр авлениях.

В предлагаемом элементе каждое отверстие пластины прошито только одной обмот30 кой.

516099

На фиг. 1 показан магнитный запоминающий элемент; на фиг. 2 — граф переходов сердечника выбран ного элемента.

Магнитный запоминающий элемент (фиг.

1) содержит ферритовую пластину 1 с большим крайним и четырьмя малыми отверстиями, расположенными вдоль оси симметрии пластины и разделенными равными по сечению перемычками, разрядную обмотку 2 записи, прошитую через четвертое малое кр айнее отверстие, первую координатную обмотку 3, прошитую через третье малое отверстие, вторую координатную обмотку 4, прошитую через первое и второе малое отверстия в противоположных направлениях и выходную обмотку 5, прошитую через большое крайнее отверстие. По координатным обмоткам могут подаваться токи как положительной, так и бтрицательной полярности I +, I„-, I;, I„-, по разрядной обмотке записи подается однополярный разрядный ток записи. Iр.

Разрушающее считывание осуществляется совместным действием координатных токов

I + и 1„+. При считывании «1» перемагничивается перемычка, прилегающая к большому отверстию с внешней стороны, и в выходной обмотке появляется полезный сигнал, в полуизбранных сердечниках при этом материал прилегающий к малым отверстиям перемычек, может перемагничиваться в зависимости от предыстории по различным контурам.

Направление на магниченности перемычек, прилегающих к малым отверстиям, не имеет принципиального значения, поэтому и нформационным состоянием «О» и «1» ставятся в соответствие магнитные состояния, характеризующиеся намагниченностью крайней перемычки «вверх» и «вниз», соответственно при произвольном направлении намагниченности перемычек, прилегающих к малым отверстиямм.

Запись «1» осуществляется совместным действием координатных токов 1,— и 1,—, которые намагничивают «вверх» три перемычки, прилегающие к малым отверстиям (фиг.

2). Насыщение трех перемычек «вверх» заставляет оставшиеся три перемычки намагни5 титься «вниз», т. е. происходит установка элемента в состояние «1». При записи «О» разрядный ток запрещает действие тока I„—, стремящегося намагнитить крайнюю перемычку «вверх», т. е. запрещает переход,из

10 состояния «О» в состояние «1».

Основным достоинством описанного выше элемента является наличие в каждом отверстии по од ному проводнику, что позволяет существенно упростить процесс сборки мат15 риц. Сравнительные испытания предложенного и известных элементов показали, что одновременно повышается надежность запоминающего устройства за счет уменьшения вероятности короткого замыкания меж20 ду различными шинами.

Формула изобретения

25 Магнитный запоминающий элемент, содержащий ферритовую пластину с большим крайним и четырьмя малыми отверстиями, расположенными вдоль оси симметрии пластины и разделенными равными по сечению

30 перемычками, координатные обмотки, разрядную обмотку записи, прошитую через четвертое малое крайнее отверстие, выходную обмотку, прошитую через большое крайнее отверстие, отличающийся тем, что, 35 с целью упрощения элемента, одна из координатных обмоток прошита через третье малое отверстие, а,другая через первое и второе малые отверстия в противоположных направленчях.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе.

1. Авт. св. № 226954, кл. G 11с 11/08, от

02. 08. 67.

516099 !г 7 (2 фиг.f

Х;л1у г

7к л1у nI p

Ix лая

)z, Фиг. 2

Составитель Ю. Розенталь

Техред Т. Курилко

Редактор Т. Рыбалова

Корректор О. Тюрина

Типография, пр. Сапунова, 2

Заказ 1682/11 Изд. № 1437 Тираж 723 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

1!3035, Москва. Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Магнитный запоминающий элемент Магнитный запоминающий элемент Магнитный запоминающий элемент 

 

Похожие патенты:
Наверх