Запоминающее устройство

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических е"еспубпик (11) 500544 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено11.12.72 (21) 1858160/18-24 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет— (43) Опубликовано 25.01,76 Бюллетень №8

Гасударственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 681.327.66 (088.8) (45) Дата опубликования описания 28.05.76

С. И. Карый и Б. С. Севериновский (72) Авторы изобретения (71) Заявитель (54) ЗАПОМИНАЮШЕЕ УСТРОЙСТВО плохой локализации поля — магнитное поле помехи. Первое воздействует на запоминаю» шие элементы своего разряда, а второена запоминающие элементы соседних раэря дов. Токовые импульсы записи протекают одновременно по всем разрядным шинам, поэтому на запоминающие элементы каждого разряда воздействуют поле записи и поле помехи.

В зависимости от полярности токовых импульсов поле записи может вычитаться иэ поля помехи или складываться с ним. Такая нестабильносаь результирующего поля записи приводит к уменьшению пределов допустимых значений токовых импульсов записи и накладывает ограничение на шаг:.: разрядных шин, что снижает надежность p&» боты устройства и уменьшает плотность записи информации, Цель изобретения — повышение надежности работы устройства и увеличение плотности записи информации, Для этого в предлагаемом устройстве входные шины записи прямого и инверсного кодов каждого разряда подключены соотИзобретение относится к электронной вычислительной технике.

Известно запоминающее устройство (ЗУ), содержащее накопитель на тонких магнитных пленках, в каждом разряде которого входные а шины записи прямого и инверсного кодов подключены через элементы И соответственно к формирователям положительных и отрицательных токовых импульсов, выходы которт.:x соединены соответственно с выхо- 10 дами дополнительных формирователей положительных и отрицательных токовых импульсов и подключены к разрядной шине накопителя, причем входы дополнительных формирователей токовых импульсов соедине- 15 ны с выходами элементов И, и блок управления записью, выход которого подключен к одному иэ входов всех элементов И.

В таком устройстве по сигналу с блока управления записью в соответствии с кодом 20 иа входных шинах записи формирователи вырабатывают в каждую разрядную шину положительный или отрицательный токовый импульс записи: Каждый токовый импульс создает магнитное поле записи и по причине И г (51) М. Кл. (11С 11/14

500544

3 ветственно к входам элементов И дополнительных формирователей отрицательных и положительных токовых импульсов двух

30 соседних разрядов накопителя.

На чертеже изображена блок-схема 5 предлагаемого устройства.

Устройство содержит накопитель с запоминаюшими элементами 1 на тонких магнитных пленках с разрядными 2 и 3, 4 и адресными 5 шинами. Оно также содер- О жит формирователи положительных токовых импульсов 6, 7 и 8, отрицательных токовых импульсов 9, 1 0 и 1 1, дополнительные формирователи отрицательных импульсов

12, 13 и 14, положительных токовых импульсов 15, 16 и 17, входные шины записи прямого кода 18, 19 и 20, инверсного . кода 21,22 и 23, элементы И 24-35 и блок управления записью 36, выход которого подключен к одному из входов всех эле- о ментов И.

Входная шина записи 18 подключена к элементам 25 и 30, шина 19 - к элементам И 24, 26 и 31, шина 20 — к элементам И 25 и 32. шина 21 — к элементам

И 28 и 33, шина 22 — к элементам И

27, 29 и 34, шина 23 — к элементам

И 28 и 35, Выходы элементов И 24--29 подключены соответственно к входам дополнительных формирователей 12-17, а выходы элементов И 30-35 — соответственно к входам формирователей 6-11. Выходы формирователей 6 и 9 и выходы дополнительных формирователей 12 и 15 подключены к разрядной шине 2, выходы форми35 рователей 7, 10 и выходы дополнительных формирователей 13, 16 подключены к разрядной шине 3, а выходы формирователей

8, 11 и выходы дополнительных формирова40 телей 14, 17 — к разрядной шине 4.

Устройство работает следуюшим образом, На входные шины записи 18-23 подаются сигналы кода записи. Блок управления записью 36 вырабатывает сигнал, разрешаюший запись информации. Элементы И

24-35 вырабатывают сигналы, запускаюшие соответствуюшие формирователи 6-17.

Если на шины 18-20 поступает, например, код «111", а на шины 21-23 код "ООО", то срабатывают формирователи 6-8 положительных токовых пмпульсов и дополнительный формирователь отрицательных токовых импульсов (амплитуда тока последнего, а также всех остальных дополнительных формироват лей вырабатывается такой, чтобы напряженность магнитного псля этого тока была равна напряженности суммарного поля помехи от токов записи двух соседних разрядов). В результате в 6О разрядную шину 3 поступает токовый импульс записи, амплитуда которого меньше номинальной. Однако напряженность магнитного поля записи, действуюшего на запоминаюшие элементы 1 разрядной шины 3 „будет номинальной, так как она суммируется с напряженностью магнитного поля помехи от токовых импульсов по разрядным шинам

2 и 4. Если, в отличие от предыдушего пр Mepa,на шину 18 подать код «О", а на шину 21 — код "1", то срабатывают формирователи 9, 7 и 8. В результате в разрядную шину 3 поступает токовый импульс записи номинальной амплитуды, который создает номинальную величину напряженности магнитного поля записи. Так как токовые импульсы в шинах 2 и 4 имеют различную полярность, то поле помехи, наводимое ими в запоминаюших элементах 1 разрядной шины 3, компенсируется. Аналогичный результат получится, если, в отличие от первого примера, на шину 20 подать код "О", а на шину 23 — код «1".

Если, в отличие от первого примера, на входные шины 18 и 20 подать код "О", а на шины 21 и 28 — код "1", то срабатывают формирователи 9, 7, 11 и 16. В результате в разрядную шину 3 поступает токовый импульс, амплитуда которого бол ше номинальной. Однако напряженность магнитного поля записи, действуюшего на запоминающие элементы 1 разряда 3, будет номинальной, так как из нее вычитается напряженность магнитного поля помехи от токовых импульсов записи по разрядным шинам

2и4

Если на входные шины записи подают коды, инверсные приведенным выше, то результат будет аналогичным, с той лишь разницей, что в разрядную шину 3 будет поступать отрицательный токовый импульс.

Устранение нестабильности магнитного поля записи, которое было рассмотрено для запоминаюших элементов разрядной шины 3, справедливо для запоминаюших элементов любого другого разряда.

Таким образом, при любом коде записи устраняется нестабильность магнитного поля записи во всех разрядах, что повышает надежность работы устройства и позволяет увеличить плотность записи информации.

Предмет изобретения

Запоминаюшее устройство, содержашее накопитель на тонких магнитных пленках, в аждом разряде которого входные шины записи прямого и инверсного кодов подключены через элементы И соответственно к форми500544

Составитель С,Карый

Техред И Карандашова КорректоР А.Степанова

Редактор Г.Иванова

Изд. ¹le

Заказ 5500

Тираж 723

Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений н открытий

Москва, 113035, Раушская наб., 4

Филиал ПП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, рователям положительных и отрицательных токовых импульсов, выходы которых соединены соответственно с выходами дополнительных формирс> вателей положительных и отрицательных токовых импульсов и подклю- 5 чены к разрядной шине накопителя, причем входы дополнительных формирователей токовых импульсов соединены с выходами элементов И, и блок управления записью, выход которого подключен к одному из 10 входов всех элементов И, о т л и ч а ю ш е е с я тем, что, с целью повышения надежности работы устройства и увеличения плотности записи информации, входные шины записи прямого и инверсного кодов каждого разряда подключены соответственно к входам элементов И дополнительных формирователей отрицательных.и положительных токовых импульсов двух соседних разрядов накопителя.

Запоминающее устройство Запоминающее устройство Запоминающее устройство 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)
Наверх