Разностный элемент управления

 

юсесv оэн«я

1 и Вйтен т но " :-: -; в ч зснеяа кот на ЙЬ о и и с Й й4

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Соеетскин

Социалистических

;Республик (11, 100590

К АВТОРСКОМУ СВИДВТИДЬСТВУ (6l) Дополнительное к авт. свид-ву (22) ЗаявленсО9.01.74 (21) 1987633/26-21 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 25.01.76Бтоллетеиь № 3 (б1) М,.К.;.

Н СХЗ К Я9t08

Гесудерстненн!нй нвмнтет

Сената Мнннстрва СССР ев делам нааеретеннй п етнрьпнй ($3) УДК 621.374 (088,8), (45) Дата опубликования описания 15.04.16 (72) Авторы изобретения

С. А. Бирюков и И. B. Ханова. (71) Заявитель (54) РАЗНОСТНЫЙ ЭЛЕМЕНТ УПРАВЛЕНИЯ

Изобретение относится к вычисл гельйой технике и может быть использовано в вычислительных машинах, построенных на ин- тегральных схемах.

Известен разностный элем нт управления 5 (РЭУ), содержащий входной многоэмиттериый транзистор, коллектор которого подклк!чен к базе выходного транзистора, один из ,эмяттеров — к эмиттеру выходного транэи-! стора и к тактовому входу, база входного 1О многоэмиттерного транзистора через резистор подключена к источнику опорного напряжения, выполненному в виде цепочки иэ нескольких последовательно включенных диодов. ld .Цель изобретения — уменьшить зависн!) мость длительности выходного импульса от длительности входного.

Для этого анод дополнительного диода подключен к базе входного многоэмиттер-. ного транзистора, а катод — к катоду одно го иэ диодов источника порного напряжения.

На чертеже приведена схема разностного элемента управления. 25

Коллектор входного многоэмиттериого транзистора 1 подключен к базе выходного ииВертируюшего транзистора 2, - эмиттер которого соединен с одним иэ эмиттеров мно ,гоэмиттерного транзистора 1 и подключен к тактовому входу 3. База входного многс4 ,эмиттерного транзистора 1 соединена с анодом диода 4, катод которого подключен к катоду диода 5 . Баэл транзистора 2 че1 рез резистор 6 подключена к плюсу основ ного источника питания 7. С анода диода 6 через резистор 8 снимается опорн е напря ;жение для питания входного многоэмит-.ер ного транзистора 1. Чиоды 5, 9 и 10 со-! единены последовательно. Катод диода 1О ,соединен с общим проводом. Вывод 11выход РЭУ.

Устройство работает следующим обри.зом, При низком потенциале на вход . схемы многоэмитгорный транзистор 1 открыт и насыщен, диод 4 заперт, а транзис;ор 2 закрыт и на выводе 11 высокий потенциал.

:При подаче положительного фронта на вход

3 входной многоэмиттерный транзистор 1 закрывается. Напряжение на базе транзиСоставитель И.Разинова техрел Eänaóðó ä M Корректор 3. кврасова

Редактор Г.Сухова

Заказ 4723 Изл. МДОд т ирак 1О29

ШШИ11И Государственного комитета. Совета Министров СССР но делам изобретений и открытий

Москва, ll3035, Раушская наб., 4

Подпи ное

Филиал ППП "Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 стора 1 возрастает только до значения опорного напряжения. Напряжение на базе транзистора 2 возрастает, но он остается закрытым, а диод 4 открывается.

При подаче отрицательного фронта на- 5 пряжение на базе многоэмиттерного транзистора 1.вследствие емкостного прохождения уменьшается, и транзистор 1 остается закрытым. Транзистор 2 открывается, и напряжение íà его коллекторе повторяет 10 изменение напряжения на входе 3. На выводе 11 формируется отрицательньй фронт, По окончании действия отрицательного фронта напряжение, ца базе многоэмиттер- 1к ного транзистора 1 начинает возрастать

an напряжения отпирания за счет тока резистора 8. Транзистор 2 остается открытым. На выводе 3.1 сохраняется низкий потенциал. Когда напряжение на базе мно» 20 гоэмиттерного транзистора 1 достигает напряжения отпирания, т ранзистор 1 отпирается, транзистор 2 занира тся и напряжение на выводе 11 повышается.

Формула изобретения

Разностный элемент управления, содержащий входной многоэмиттерный транзистор, коллектор которого подключен к базе выходного транзистора, один из эмиттеровк эмиттеру выходного транзистора и .к тактовому входу, база входного мпогоэмиттерного транзистора через резистор подключена к источнику опорного напряжения, выполненному в виде цепочки из нескольких последовательно включенных диодов, о тл и ч а ю шийся тем, что, с целью уменьшения. зависимости длительности выходного импульса от длительности входноА. го, анод дополнительного диода подключен к базе входного многоэмиттерного транзистора, а катод - к катоду одного из диодов источника опорного напряжения.