Буферное устройство на мдп-транзисторах

 

тофиг, ;д

О Il И С А"-"Н -И::Е.

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

"(i>) 458 099

Союз Советских

Социалистических

Ресгублик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 09.08.73 (21) 1956417/26-9 (51) M. Кл. Н 03k 19/08 с присоединением заявки № 1956418/26-9

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений н открытий (32) Приоритет

Опубликовано 25,01.75. Бюллетень № 3

Дата опубликования описания 10.03.75 (53) УДК 621.374.32 (088.8) (72) Авторы изобретения В. П. Сидоренко, А. Я. Сирота, Ю. В. Прокофьев и Ю. В. Таякин (71) Заявитель (54) БУФЕРНОЕ УСТРОЙСТВО НА МДП-ТРАНЗИСТОРАХ

Изобретение относится к импульсной технике, Известно буферное устройство на МДПтранзисторах, содержащее инвертор с неперекрывающимися фазами, инвертор с предзарядом. предвыходной и выходной каскады.

Целью изобретения является повышение бы.стродействия и расширение функциональных возможностей.

Для этого вход устройства соединен с входами обоих инверторов, а выход инвертора с неперекрывающимися фазами соединен с затвором разрядного транзистора выходного каскада, исток которого соединен с общим выводом, а сток — с выходом устройства,,причем выход инвертора с предзарядом соединен с затворами разрядных транзисторов предвыходного каскада, истоки которых соединены с общей шиной, сток первого разрядного транзистора соединен с истоком:первого зарядного транзистора, сток и затвор которого соединены с первой шиной импульсного на пряжения, и с затвором второго зарядного транзистора, сток которого соединен с второй шиной импульсного напряжения, а между его истоком и затвором включен конденсатор положительной обратной связи, лричем исток второго зарядного транзистора соединен со стоком второго разрядного транзистора и с затвором зарядного транзистора выходного каскада, сток которого соединен с источником постоянного напряжения, а исток — с выходом устройства, Кроме того, исток первого разрядного транзистора соединен с первой шиной импульсного на,пряжения.

Изобретение пояснено чертежами.

На фиг. 1 приведена принципиальная электрическая схема устройства; на фиг. 2 — последовательность фаз, необходимая для работы

10 устройства, Буферное устройство на МДП-транзисторах содержит входной инвертор с неперекрывающимися фазами на транзисторах 1 — 3, инвертор с предзарядом на транзисторах 4 — 6 и

15 конденсаторе обратной связи 7, предвыходной каскад на транзисторах 8 — 11 и конденсаторе обратной связи 12 и выходной каскад на тран:,Hñòîðàõ 13, 14.

Устройство работает следующим образом.

20 Импульсом фазы Ф„заряжается конденсатор 7 через транзисторы 4 и 6. Одновременно импульсом фазы Ф заряжается конденсатор

12 через зарядные транзисторы 8, 10 и разряжается распределенный конденсатор нагрузки

25 через транзистор 14, Транзистор 13 закрыт, так как напряжение на его затворе привязано к уровню земли фазы Ф, через открытый транзистор 10.

В случае, если после действия фазы Ф„, на30 пряжение на входе устройства соответствует

458099 состоянию «логической 1», затвор транзистора 14 разряжается в интервале времени сдвига фазы Ф; и Ф; (т,) через транзисторы 2 и

3 и транзистор 14 закрывается.

Во время действия имлульса фазы Ф, напряжение фазы передается на затвор транзистора 13 через открытый транзистор 10, транзистор 13 открывается и заряжает емкость нагрузки до уровня «логической 1». Конденсатор положительной обратной связи 12 служит для более полной передачи на|пряжения фазы

Ф; на затвор транзистора.

В случае, если после действия фазы Ф напряжение на входе устройства соответствует состоянию «логическото 0»,,затворы первого и второго разрядных транзисторов 9, 11 заряжаются через открытый транзистор 5 и транзисторы открываются.

Конденсатор положительной обратной связи 7 служит для ускорения процесса заряда затворов транзисторов 9, 11 и более полной передачи напряжения питания. Во время паузы между импульсами фаз Ф и Ф; конденсатор 12 разряжается через открытые транзисторы 9, 11. Транзисторы 10, 13 закрыты, и выход буфера привязан к уровню земли через открытый транзистор 14.

Предмет изобретения

1. Буферное устройство на МДП-транзисторах, содержащее инвертор с неперекрывающимися фазами, инвертор с предзарядом, пред,выходной и выходной каскады, о т л и ч а юще е ся тем, что, с-целью повышения быстродействия и расширения функциональных возможностей, вход устройства соединен с входами обоих инверторов, а выход инвертора с неперекрывающимися фазами соединен с затвором разрядного транзистора выходного каскада, исток которого соединен с общим

10 выводом, а сток — с выходом устройства, причем выход инвертора с предзарядом соединен с затворами разрядных транзисторов предвыходного каскада, истоки которых соединены с общей шиной, сток первого разрядного тран15 зистора соединен с истоком первого зарядного транзистора, сток и затвор которого соединены с первой шиной импульсного напряжения, и с затвором второго зарядного транзистора, сток которого соединен с второй шиной им20 пульсного напряжения, а между его истоком и затвором включен конденсатор положительной обратной связи, причем исток второго зарядного транзистора соединен со стоком .второпо разрядного транзистора и с

25 затвором за ряд ного транзистора выходного каскада, сток, которого соединен с источником постоянного напряжения, а исток — с выходом устройства.

2. Устройство по и. 1, отличающееся

30 тем, исток первого разрядного транзистора соединен с первой шиной импульсного напряжения.

458099

Риг

Фиг. 2

Составитель И. Разинова

Техред Т. Миронова

Редактор А. Зиньковский

Корректор 3. Тарасова

Типография, пр. Сапунова, 2

Заказ 520/16 Изд. № 327 Тираж 902 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, 5К-35, Раушская наб., д. 4/5

Буферное устройство на мдп-транзисторах Буферное устройство на мдп-транзисторах Буферное устройство на мдп-транзисторах 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в радиоэлектронных устройствах различного назначения, в частности, в усилительных устройствах, импульсных устройствах, автогенераторах

Изобретение относится к электронным интегральным схемам типа, содержащего способные образовывать логические схемные структуры

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при создании конструкций логических комбинированных Би-КМОП сверхбольших интегральных схем (СБИС) со сверхмалым потреблением мощности

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при создании конструкций логических сверхбольших интегральных схем (СБИС) со сверхмалым потреблением мощности
Наверх