Устройство для измерения параметров транзисторов

 

О П И С А Н И Е ()5О5971

ИЗОБРЕТЕ Н ИЯ

Союз Саветских

Социалистических

Ресоублик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 08.04.74 (21) 2013092/26-25 с присоединением заявки— (23) Приоритет— (43) Опубликовано 05.03.76. Бюллетень № 9 (45) Дата опубликования описания 29.06.76 (51) )VI.Кч 2 G 01 g 31/26

Государственный комитет

Совета Министров СССР по аслам изобретений и открытий (53) УДК 621.382.3 (088.8) (72) Авторы изобретения

Г. Д. Каплан, А. Ф. Заикин и 1О. А. Курлович (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ

ПАРАМЕТРОВ ТРАНЗИСТОРОВ

Изобретение относится,к контрольно-измерительной технике, предназначенной для контроля параметров (измерения и классификации) полупроводниковых биполярных транзисторов.

Известные устройства для измерения постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте т С,.; и емкостей переходов транзисторов, например емкости перехода коллектор — база С„(, содержат генераторы ВЧ-сигнала, вольтметр, контактное устройство и источник питания постоянным током. iB этих устройствах для перехода от измерений т, . С„; к измерениям С, б и обратно применяется ключ, который заземляет базу испытуемого транзистора при измерении,, C„или подключает базу к токосъемному сопротивлению при измерении

С, с .

Недостатками известных устройств являются малая точность и низкая производительность измерений.

Предложенное устройство позволяет устранить указанные недостатки благодаря тому, что (между клеммой контактного устройства для подключения базы транзистора и землей включен последовательный резонансный LСконтур, а параллельно конденсатору этого контура подключен вольтметр. Это обеспечивает автоматические измерения высокочастотпых параметров без каких-либо переключений цепей контактного устройства.

Структурная схема устройства приведена и - ч ер те же.

Устройство содержит генераторы 1 и. 2

ВЧ-сигнала, подключенные к коллекторной С и эмиттерной E клеммам контактного устройства 3 соответственно. K эмиттерной клемме также подключен вольтметр 4. К базовой клемме B контактного устройства 2 подключен последовательный Е.С-контур, состоящий из индуктивности 5 и конденсатора б. Второй вывод контура заземлен. Паразитная индуктивность 7 электрического вывода базовой клеммы включена последовательно LC-контуру. Параллельно конденсатору б включен вольтметр 8. Индуктивность 5 выполнена переменной (подстроечной).

Рассмотрим работу устройства для случая, когда частота измерения т,, С, б и частота измерения С, б С, равны. В других случаях принцип проведения из(мерений сохраняется, а под частотой измерения понимают частоту

25 измерения т,, 6, (;.

При подготовке устройства к работе последовательный 1.С-контур настраивается так, чтобы на частоте измерений резонировали суммарная индуктивность 5 и 7 и емкость

З0 конденсатор а б. Контроль настройки осуще505971

U,=U, 2 -.„,C, где U, — напряжение, измеряемое вольтметром 4;

U„— напряжение на выходе генератора 1;

f — частота измерений.

При измерении С, б ВЧ-сигнал от генератора 1 вызывает ток через 1.С-контур. Величина тока зависит от велчины ВЧ-на пряжения и от С, ;, так как резонансное сопротивление LC-контура много меньше емкостного сопротивления емкости коллектор — база испытуемого транзистора. Вольтметр 8 измеряет напряжение, пропорциональное С, б. где U, — напряжение, ром 8;

U, — напряжение ра 1; измеряемое вольтмет-. на выходе генератоствляют, замкнув клеммы С вЂ” В контактного устройства 2 конденсатором с емкостью около 10 пф, а клеммы Š—  — накоротко по минимальным показаниям вольтметра 4.

При измерении т ... C, ВЧ-сигнал от генератора 1 попадает по цепи внутренней обратной связи испытуемого транзистора на эмиттерную клемму контактного устройства 2 и измеряется вольтметром 4. Резонансное сопротивление. последовательного 1.С-контура может быть сведено до величины менее 1 ол.

Это обеспечивает короткое замыкание базы испытуемого транзистор а на «землю», что соответствует методике измерения ",r„C и устраняет влияние паразитной индуктивности 7 на результат измерений. Сказанное поясняется формулой:

С, ; — емкость перехода коллектор †ба;

С вЂ” емкость конденсатора 6, При измерении С, б ВЧ-сигнал от генератора 8 вызывает ток через LC-контур, вели5 чина которого зависит только от ВЧ-напряжения и от величины C,„;, та к как резонансное сопротивление контура много меньше емкостного сопротивления е мкости эмиттер— база испытуемого транзистора. Вольтметр 8

lo измеряет напряжение, пропорциональное С, д.

U, = U„

15 где U,— напряжение, измеряемое вольтметром 8; напряжение на выходе генератора 8; емкость перехода эмиттер †ба; ем.кость конденсатора 6.

U„—

Сэ — 6

20

Автоматический переход от измерений одного параиетра к измерениям другого осуществляется включением и выключением генераторов 1, 8 и вольтметров 4, 8 без какихлибо коммутаций цепей контактного устройства.

Формула изобретения

ЗО

Устройство для измерения параметров транзисторов, содержащее генераторы, вольтметр и контактное устройство, о т л и ч а ющ ее ся тем, что, с целью повышения точноЗS сти и производительности измерений, между клеммой контактного устройства для подключения базы испытуемого транзистора и землей включен последовательный, настраиваемый резонансный LC-контур, а параллельно

4о,конденсатору этого контура подключен вольтметр.