Запоминающее устройство

 

ж

kin i i, i »"-»»»ота»»..

ОП ИКАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ к втоаскомю свиднальста

Союз Советских

Социалистических

Республик (") 52С 482 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено28.02.75 (21) 2108944/24 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано25.09,76,Б10ллетень ¹ 35 (45) Дата опубликования описания 06.12.76 (51) М. Кл. G 11 С 11/08

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (53) У ДК 68 1. 327. 66 (088.8 ) (72) А втор ы изобретения

А. И, Лапшин и A. 3, Савелов (71) Заявитель (54) ЗА!1ОМИНА10ШЕЕ УСТРОЙСТВО

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении устройств хранения дискретной информации, Известны запоминающие устройства (ЗУ ), содержащие ферритовые пластины с отварстиями записи и опроса, прошиты. :и управ ляю ними шинами (1, 2 1

Одно из известных ЗУ содержит ферритовые пластины с отверстиями записи и оп- 10

pocQ прошитыми ш11нами записи1 Опроса выходными шинами и шинами запрета (1.»

Недостатком этого ЗУ является частичное разрушение информации в невыбранных ячейках. 1б

Наиболее близким техническим решение 1 к изобретению является ЗУ, содержащее фсрритовые пластины с отверстиями записи и опроса, выходные шины и шины запрета, выполненные в виде бифилярных соленоидов, 2О шины записи и опроса (2).

Однако наличие шины смещения, »Hpoliyltletlной через все отверстия записи ферритовых пластин, усложняет прошивку матрицы и бл -.— ки управленпя, а также приводит к дополни- - б I BIII»IlBi. »t затРатах1 XIOJJIHoc» lt 1»1нны lTiPBTB и выходные шины. пропущенные через соответствую1дпе отверстия всех ферритовых пластин, Образуют контурь1 больш Ой пл Ощади и не защищены от помех, наводимых внутреннимн с1»гнала: ш устройства и сигналами BHBIlihllx. устройств. г1ро111ивка соседних отверстий феррптовых пластин шинами запрета и выходными шинамп приводит к частичному разрушению информации в невыбранных загоминающих ячейках, Это происходит за счет 1зазп1.чного рода гlеоднородностей материала„геометрических отклонений и за счет малого магнитного сопрот 1вления областей пластин, являю1цпхся зона. п1 поедпочтительной цирк »л»яцип потока при Воздейств1ги TDEOB записи. опроса и запрета и расположенных между соседними парами отве рстий.

11елью изобретечпя является угрощение л и ",овь1шенпе надежности У, Для этого в предлагаемом устройсяBB выходные шины и шины запрета грошиты соответственно через все нечетные отверстия опроса H записи каждой ферритово11

529482

Анал Огичные пр оцессы устраняют наводки от шин 6 запрета и предотвращают взаимное влияние друг на друга одноименных разрядных шин, Расположенные параллельно и имеющие б большие по плошади контуры шины опроса 2 и записи 5 пронизывают пакет ферритовых пластин 1 в одном направлении. Взаимные наводки, возникающие в этих шинах, на работу устройства не влияют, -ax как эти шины предназначены для прсиускания больших по величине токовых сигналов и при работе одной из них контуры других нахс дятся практически в разомкнутом нерабочем состоянии

Выходные шины 3 и шины 6 запцета пропущены через нечетные отверстия пластин 1, что практически исключает возможность разрушGFIBR информации B невыбранной ячейке памяти при воздействии а со® седние нечетные я !Ойки токов опроса, записи и загрета.

П рсшивка ь чен !1в1х Отв:.- ()ст!!ях От .")ствует, а прилежащие к ни: области ферритовой пластины IB предназначены для хранения информации. Захват этнх областей потоком переключаю!цейся ячейки не влияет на информацисн1!Ое состояние пласти! ы„

Гаким Оспазсм. .разгpiiiиченис 11нфсрма» ционных областей соседи! с ячеек четнь1! !и

Я

Отверст 1л ями при всдIи г и Оезкс;,1, увечит.е нию магнитного сспрот!IBJ ения между этиооластями и !1редотврац!ае.) взаимный захват и перераспределение их магнитных потоков. Это обстоятельство дает возможМ ность 1е ограничив=".)B сверху величину- управляюцшх токов, что„. в свою очередь, позволяет резко снизить требования к стабильности источников питания, к разбросу параметров комплектую!дих эле! "ентов, Ьосмирс

49 вать переключен!1е запомингк)щих ячеек и расшир1!ть температурный диапазон работы устройства, Запоминающее устройство, содер)кащее ферритовые пластины с Отверстия:;1!1 заш:— си !.. Опроса,, выходные шины н шины запрета, выполненные в виде б! филярпых соленоидов, I!I!!i J 1 за1 иси и U..ц) Оса с т л и ч а ю щ с с с я тем, что, с цель.о упрощения и повышения надежности устройства, выходные !Инны и шины запрета грониты соответственно чер з все не :-:тные Отверстия опроса и записи каждой ферритовой гластины, а нины записи и ci .Ipoñà прошиты через соответствую)лие отверстия всех ферpBTDBbIx пласти11 В Одном нап!)авпени1;, Источники инфср).ации, .при>!ятые вс внимание при экспертизе: пластины, а шины записи и опроса прошиты через соответсвующие отверстия всех ферритовых пластин в одном направлении.

На чертеже дана принципиальная схема описывае мог о запоминающего устр ойства, Устройство содержит ферритовые пластины 1, прошитые шинами 2 опроса, выходными шинами 3, подключенными к усилителям 4 воспроизведения, шинами 5 записи, шинами 6 запрета, подключенными к формирователям 7 тока запрета, и блоки 8 вь!борки адресных шин опроса и записи.

Через выбранную запоминающую ячейку пластины 1 по шине 2 опроса пропускается ток опроса, который считывает хранящуюся в ячейке информацию, переключая магнитный поток вокруг отверстия опроса, Перекг!ючение магнитного потока происходит через перемычку, расположенную между отверстиями опроса и записи, а также через перемь1чку, расположенную между ребром пластины и отверстием записи, В момент переключения потока в выходной шине 3 наводится считанный сигнал, который поступает на вход усилителя 4.

Затем по шине 5 записи поступает ток записи, который переключает магнитный поток вокруг отверстия записи, восстанавливая исходное состояние ячейки, существовавшее при записи единичной информации, В том случае, когда необходимо записать нулевую информаци1О, по шине 6 запрета пропускается ток запрета формирователя 7, который компенсирует действия тока записи на запоминающую ячейку- и она сохраняет состояние, установленное током опроса, С помощью блоков 8 выборки адресных шин выбирают следующую пару шин опроса и записи, и операции считывания и записи повторяются в другой запоминающей ячейке пластины 1. В момент прохождения считанной нулевой или единичной информации по шине 3 на нее воздействуют помехи, наводимые сигналами, действующими в самом устройстве и за его пределами. Эти поме- Формула изобретения хи могут исказить сигналы нуля и единицы„

Я что может нарушить работу устройства, Выполнение выходной шины 3 в виде бифилярного соленоида, когда прямой и обратный проводники проходят в непосредственной близости один от другого и от поверхности

56 пластинь 1, сводит эти помехи к неопасной для работы устройства величине, Это достигается экранирующим действием ферритовой пластины и тем, что градиент

55 поля наводок достаточно мал в небольшом объеме пространства, в результате чего на прямом и обратном проводниках наводятся практически одинаковые по величине пар; зитные сигналы, направленные встречно в контуре выходной шины 3, 1. Авторское свидетельство СССР

М 326803, М. Кл. G 11 С 11/08, приоритет 10.04.1972 г, 529482

2. Авторское свидетельство СССР

N 271582,М.Кл. G11C 11/08. приоритет 01,08,1968 г.

Составитель Ю. Розенталь

Редактор В, йибобес Техред М. Ликович Корректор В. Микита

Заказ 5324/81 Тираж 723 Подписное

Е1НИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Запоминающее устройство Запоминающее устройство Запоминающее устройство 

 

Похожие патенты:
Наверх