Магнитный запоминающий элемент

 

l46P (») 529483

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено07.04.75 (21) 2121958/24 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано25.09.76,Бюллетень ¹35 (45) Дата опубликования описания 02.12.76 (51) М. Кл. -

& 11 С 11/08

Гасударственный намитет

Совете Министров СССР па делом изобретений и открытий (53) У ДК 68 1, 327,66 (088.8 ) (72) Авторы изобретения

А. О, Тимофеев и А. И. Водяхо

Ленинградский ордена Ленина зпектротехнический институт им, В. И. Ульянова (Ленина) (54) МАГНИТНЫЙ ЗАПОМИНАЮШИЙ ЭЛЕМЕНТ

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при псстроении устройств хранения дискретной инфор мации.

Известны магнитные запоминающие зле- 5 менты (ЗЭ), содержащие ферритовую пластину с отверстиями, прошитыми попарно управляющими обмотками, Один из известных магнитных ЗЭ сс держит ферритовую пластину с отверстиями, 10 расположенными вдоль осей симметрии пластины, и управляющие обмотки, Недостатком элемента является малый выходной сигнал.

Наиболее близким к изобретению являет !5 ся магнитный ЗЭ, который содержит ферритовую пластину с отверстиями, два из которых расположены вдоль вертикальной, а два других — вдоль горизонтальной оси симметрии пластины, первую обмотку, прошитую 20 через первую пару отверстий в противоположных направпеняих, и вторую обмотку, прошитую через вторую пару отверстий в противоположных направлениях, Однако известный магнитный ЗЭ можно 25 использовать в ЗУ только с линейной выборкой информации, Е1ель изобретения — расширить область применения магнитного ЗЭ.

Это достигается тем, что в магннтном

ЗЭ выполнены на ферритовой пластине два дополнительных отверстия, расположенные на одной из осей симметрично по отношению к другой оси пластины и прошитые третьей обмоткой в противоположных направлениях.

На чертеже изображен предлагаемый мат нитный ЗЭ, Магнитный ЗЭ содержит ферритовую пластину 1 с отверстиями 2 и 3, расположенными вдоль вертикальной осп симметрии пластины, отверстиями 4 и 5 и дополнительными отверстиями 6 и 7, расположенными на горизонтальной оси, симметрично относительно точки пересечения осей, Первая обмотка 8 прошита через отверстия 2 и 3 в противоположных направлениях, вто529483

I . Я

Составитель Ю, Розенталь

Редактор 0. Стенина Техред М. Ликович Корректор В, Микита

Заказ 5324/81 Тираж 723 П одписное

ЫНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 рая обмотка 9 — через отверстия 4 и 5 в противоположных направлениях, третья обмотка 10 — через отверстия 6 и 7 в прс тивопол ожных направлениях.

Координатная выборка осуществляется методом геометрического совпадения токов, В первом такте по третьей обмотке 10 (координатная обмотка Х ) подается имцульс тока считывания 3х, во втором такте по второй обмотке 9 (координатная обмотка Ц ) подается импульс тока восстановления j ц, в третьем такте повторным действием 3 „осуществляется собственно считывание. В качестве выходной обмотки используется разрядная обмотка 8.

Запись осуществляется методом идеального намагничивания, Использование принципа координатной выборки информации позволяет существенно уменьшить расход адресного оборудования и расширить область применения магнитного ЗЭ, Формула изобретения

Магнитный запоминающий элемент, содержащий ферритовую пластину с отверстиями, два из которых расположены вдоль вертикальной, а два других — вдоль горизон)4 тальной оси симметрии пластины, первую обмотку, прошитую через первую пару отверстий в противоположных направлениях, и вторую обмотку, прошитую через вторую пару отверстий в противоположных направу лениях, отличающийся тем, что>с целью расширения области применения элемента, он содержит на ферритовой пластине два дополнительных отверстия, расположенных на одной из осей симметрич © но по отношению к другой оси пластины и прошитых третьей обмоткой в противоположных направлениях,

Магнитный запоминающий элемент Магнитный запоминающий элемент 

 

Похожие патенты:
Наверх