Элемент памяти

 

ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ по авт.св. № 440960, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности элемента, он содержит дополнительные области запоминания, прилегающие к основной области запоминания и расположенные по обеим сторонам затвора liHOn структуры по ширине канала.Фиг.1(Л CZелtN9соО) ^ to>&^

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК

„,, SU „„529672 (51)Ъ G 11 С 11/40

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И 0THPblTHA

Н ASTOPCH0MY СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) 440960 (21) 1976537/18-24 (22) 11,12.73 (46) 23. 11.88. Бюл. И 43 1 (72) Г.С. Хрящев, В.Д. Сафонов и Л.А. Зенцова (53) 628.327.6(088.8) (54) (57) ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ по авт.св.

1440960, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности элемента, он содержит дополнительные области запоминания, прилегающие к основной области запоминания и расположенные по обеим сторонам затвора

ИНОП структуры по ширине канала.

5296 72

I

Изобретение относится к вычйслительной технике и предназначено для создания полупроводниковых постоянных запоминающих устройств с электрической перезаписью информации с сохранением информации при отключении питания °

Известен элемент памяти по авт.св.

У 440960 на основе МНОП (металл— нитрид кремния — двуокись кремния— полупроводник) структуры, содержащий область двуслойного диэлектрика с эффектом запоминания, две области двуслойного диэлектрика, не обладающие эффектом. запоминания и прилегающие к области запоминания и имеющие толщину двуокиси кремния в 15-20 раз больше толщины слоя двуокиси кремния в области запоминания, и две области маски- 20 рующего диэлектрика, расположенные по обеим сторонам затвора по ширине ка— нала.

Недостатком известного устройства является то, что при считывании инфор- 5 мации в элементе памяти, находящемся в состоянии "1", возможно появление паразитных токов утечки между стоком и истоком МНОП структуры, обусловленное наличием расположенных по обеим 30 сторонам затвора по ширине канала областей маскирующего диэлектрика, которое может быть принято за признак

"0" и привести к ложному считыванию йнформации.

Цель изобретения — повышение надеж.ности элемента памяти при считывании информации.

Это достигается тем, что в элемент памяти введены дополнительные области > запоминания, прилегающие к основной области запоминания и расположенные по обеим сторонам затвора МНОП сгруктуры по ширине канала.

На чертеже показана конструкция элемента памяти.

Элемент памяти содержит: исток 1, область 2 двуслойного диэлектрика, не обладающую эффектом запоминания, область 3 маскирующего диэлектрика, основную область 4 запоминания- двуслойного диэлектрика, дополнительную область 5 запоминания двуслойного диэлектрика, сток 6 и электрод 7 затвора.

При работе элемента памяти при считывании информации на электрод затвора 7 подается считывающее напряжение.

В состоянии "0" элемент памяти обладает низким пороговым, напряжением и при подаче считывающего напряжения в цепи исток 1 — сток 6 появляется .ток, который является признаком состояния "О".

В,состоянии "1" пороговое напряжение элемента определяется высоким пороговым напряжением области 4 двуслойного диэлектрика с эффектом sanoминания и дополнительных областей 5 двуслойного диэлектрика, прилегающих к основной области запоминания 4.

Введение дополнительных областей 5 с эффектом запоминания по обеим сторонам затвора МНОП структуры по ширине канала позволяет исключитЬ появление паразитных токов открывающихся областей 3 маскирующего диэлектрика, расположенных по обеим сторонам затвора по ширине канала и прилегающих к истоку и стоку. Отсутствие тока при подаче считывающего напряжения служит

11 1! признаком состояния 1

Такая конструкция элемента памяти устраняет возможность ложного считывания состояния "0" в элементах памя11 II ти, находящихся в состоянии 1

529672

Редактор Н. Сильнягина Техред M.Моргентал Корректор В.Романенко

Заказ 6487

Тирам 590 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ушгород, ул..Проектная, 4.