Контактное устройство для подключения полупроводниковых приборов

 

О П И С А Н И Е дш 5450I9

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

К ЛВТОИСКОМ СВИДНЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 28.07.72 (21) 1814177/25 с присоединением заявки №

Госуларственный комитет (23) Г1риоритет

Совета Министров СССР

Опубликовано 30.01.77. Бюллетень № 4 ло делам нзвбретеннй (51) М. Кл, - Н OIL 21/68 (53) УДК 621.382(088.8) и открытий

Дата опубликования описания 14.03.77 (72) Авторы изобретения

Н. В. Староверов и А. Г. Пуховский

Минский завод «Транзистор» (71) Заявитель (54) КОНТАКТНОЕ УСТРОИСТВО

ДЛЯ ПОДКЛЮЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЪ|Х ПРИБОРОВ

Изобретение относится к области полупроводникового машиностроения и может быть использовано B электронной промышленности при контроле параметров полупроводниковых приборов, например транзисторов.

Известно устройство для подключения транзисторов с точно высокой скоростью, содержащее стержень с продольным пазом. В пазу закреплена одна пара контактных головок в виде U-образной направляющей, изготовленной из упругого материала и покрытой слоем диэлектрика. В нижней ее части укреплены контактные площадки. Другая пара контактных головок соединена с подвижными упорами и приводным механизмом. 1 ранзисторы, подлежащие контролю, из любого загрузочного устройства подаются к U-образной направляющей. Далее под действием силы тяжести транзисторы перемещаются вниз до подвижного упора. Г1ри этом средний вывод транзистора находится внутри U-образной направляющей, а два крайних — снарууки. С помощью подвижных упоров транзисторы поштучно подаются на измерительную позицию, где контактные головки прижимаются к выходам, осуществляя при этом подключение к измерительной аппаратуре.

На сборочных и испытательных операциях выводы довольно большого числа транзисторов деформируются, получая при этом произвольную форму, причем многие виды деформации выводов не являются основанием для отбраковки транзисторов на межоперационных контрольных операциях. Конструкция изб вестного устройства позволяет надежно подключать к измерительной аппаратуре транзисторы только с прямыми выводами. 1ранзисторы с деформированными выводами застревают на входе в U-образную направляющую

1р и при движении в неи. Кроме того, транзисторы с некоторыми видами деформации выводов могут подключиться двумя выводами к одной контактной площадке.

l аким образом, известное устройство в ус1,-. ловиях полупроводникового производства не оосспечивает надежного подключения к измерительной аппаратуре транзисторов с реальнои рормой выводов.

Цель изобретения — повышение производительности и надежности работы. Это достш ается тем, что одна пара контактных головок выполнена в виде ножей с прикрепленными к ним упругими пластинами, покрытыми слоем диэлектрика. Ножи неподвижно установ2 лены между направляющими и соосны с ними.

На фиг. 1 показан общий вид предлагаемого устройства; на фиг. 2 вид сверху; на фиг. 3 — сечение по А — А на фиг. 2; на фиг.

4 — сечение по Б — Б на фиг. 2.

545() j ci

Транспортирующий ротор 1 выполнен из диэлектрика и имеет пазы 2 для загрузки транзисторов. В верхней части направляющих 3, 4 и ножей 5, 6 зазор между ними несколько больше толщины вывода транзисторов (см. фиг. 3), книзу зазор расширен с целью уменьшения силы трения между стенками направляющих и ножей и деформированными выводами транзистора при их перемещении в зазорах. Крайние направляющие выдвинуты вперед навстречу движения ротора 1. Они имеют на концах с внутренней стороны скругление по радиусу, а ножи б, 6— симметричные фаски (см. фиг. 2). На продолжении направляющей 4 в зоне контактирования с внутренней стороны прикреплена пластина из диэлектрика i . Контактные пластины 8, 9, 10 состоят из упругих пластин 11, l2, 13, слоев диэлектрика, нанесенного с двух сторон на часть упругих пластин, и контактных площадок 14, закрепленных на слое диэлектрика. Контактные площадки имеют форму удлиненного прямоугольника, вытянутого вдоль траектории движения выводов, и выступают над слоем диэлектрика. Контактные пластины 8, 9, 10 крепятся к ножам 5, 6 и направляющей 3 сзади по ходу движения транспортирующего ротора 1, упругие пластины

ll, 12, 13, изготовленные, например, из бериллиевой бронзы, помимо функций каркаса и пружинной подвески выполняют также функцию экранов, в значительной степени уменьша1ощих паразитную емкость контактного механизма. 11ривод контактного механизма состоит из кулачка 15, рычага 16 с роликом 17, пружины 18, прижима 19, соединенного с рычагом 16 пружиной 20, регулировочного винта 21, который фиксируется в рабочем положении гайкои 22. 11ружина 20 и винт 21 служат для регулирования усилия прижима контактных площадок 14 к выводам контролируемого транзистора в момент измерения,,Цля сообщения транспортирующему ротору 1 вращательного движения с остановками может служить, например, мальтийский механизм (на чертеже не показан). В таком случае кулачок 15 может быть закреплен на валу водила мальтийского механизма.

Транзисторы с помощью вибробункера и направляющего лотка или другим загрузочным устройством (на чертеже не показаны) подаются к транспортирующему ротору 1. При совмещении осей паза 2 ротора 1 и направляющего лотка транзистор заходит в паз.

Транспортирующему ротору 1 сообщается вращательное движение, при этом выводы транзистора заводятся в зазоры между направляющими и ножами, причем каждый вывод заходит только в предназначенный для него зазор. Это обеспечивается общим заострением направляющих и ножей кверху, вслед5

crave чего заход выводов в зазор между этими но ;à.aè происходит на небольшой длине вывода близко к корпусу транзистора, где выводы наиболее прямые, односторонним скруглснпем на направляющих 3, 4 и симметричнымп фасками на ножах 5, 6, что позволяет компенсировать погрешность расположения транзистора в пазу 2, погрешности изготовления транзистора и возможную деформацию вывода в непосредственной близости от корпуса.

I lîñледующими перемещениями транспортирующего ротора выводы транзистора вводятся на всю длину вначале в зазоры между направляющими 3, 4 и ножами 5, 6, затем в зазоры между контактными пластинами 8, 9, 10.

После подачи транзистора на измерительную позицию кулачок 15 поворачивает рычаг

1b, прижим 19 прижимает контактные пластины 8, 9, 10 с расположенными между ними выводами транзистора к продолжению направляющеи 4. llри этом выводы транзистора надежно подключаются к контактным площадкам 14, а датчик синхронизации (на чертеже не показан) выдает сигнал на включение измерительной аппаратуры. l àê как контактные площадки расположены вдоль траектории движения выводов, то длина их может быть увеличена в обе стороны от измерительной позиции. Это позволяет подключать транзисторы как с прямыми выводами, так и с выводами, отогнутыми относительно оси приоора в ту или иную сторону.

11еред поворотом транспортирующего ротора на следующий шаг, кулачок 15 отпускает рычаг 16, прижим 19 отходит от контактных пластин 8, У, 10, которые разжимаются, и выводы транзистора освобождаются.

11роконтролированный транзистор перемещается транспортирующим ротором на разгрузочную позицию, а на измерительную позицию подводится следующий транзистор.

Формула изобретения

Контактное устройство для подключения полупроводниковых приборов, например транзисторов с проволочными выводами, содержащее контактные элементы, установленные на контактных головках и подключенные к измерительной аппаратуре, направляющие и приводной механизм с поворотным кулачком, на который опирается рычаг, связанный с прижимным элементом контактных головок, о тл и ч а и щ е е с я тем, что, с целью повышения производительности и надежности работы устройства, одна пара контактных головок выполнена в виде ножей с прикрепленными к ним упругими пластинами, покрытыми слоем диэлектрика, неподвижно установленных между направляющими и соосных с ними.

Редактор И, Грузова

Составитель Н. Островская

Техред А, Камышникова

Корректор А. Николаева

Заказ 209г7 Изд. ¹ 166 Тираж 1019 Подписное

ЦИИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Я(-35, Раушская паб., д. 4,5

Типография, пр. Сапунова, 2

Контактное устройство для подключения полупроводниковых приборов Контактное устройство для подключения полупроводниковых приборов Контактное устройство для подключения полупроводниковых приборов Контактное устройство для подключения полупроводниковых приборов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к устройствам, предназначенным для удержания кремниевых пластин во время термообработки при изготовлении полупроводниковый приборов

Изобретение относится к электростатическому держателю, используемому для обработки подложек, таких как полупроводниковые пластины

Изобретение относится к технологии нанесения покрытий и может быть использовано в качестве приспособления для закрепления пластинчатых деталей в технологическом оборудовании при нанесении на пластинах различных покрытий и тонких пленок, например на подложках полупроводниковых элементов

Изобретение относится к способу формирования штабелей легируемых с одной стороны полупроводниковых пластин, в частности солнечных полупроводниковых пластин, для загрузки технологической лодочки партиями полупроводниковых пластин, в которой предопределенное четное число полупроводниковых пластин рядами устанавливают в установочные шлицы подлежащего расположению точно в горизонтальной плоскости транспортировочного держателя с обращенным кверху отверстием для штабелирования

Изобретение относится к способу формирования штабелей легируемых с одной стороны полупроводниковых пластин, в частности солнечных полупроводниковых пластин, для загрузки технологической лодочки партиями полупроводниковых пластин, в которой предопределенное четное число полупроводниковых пластин рядами устанавливают в установочные шлицы подлежащего расположению точно в горизонтальной плоскости транспортировочного держателя с обращенным кверху отверстием для штабелирования

Изобретение относится к устройству и способу управления температурой поверхности, по меньшей мере, одной подложки, лежащей в технологической камере реактора CVD

Изобретение относится к области электронной техники, а более конкретно к устройствам для закрепления подложек, работающим в экологически чистых средах и вакууме
Наверх