Запоминающая матрица

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (II) 546934

Союз Ооеетскик социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 11.03.74 (21) 2004286/24 с присоединением заявки № (23) Приоритет

Опубликовано 15.02.77. Бюллетень № 6

Дата опубликования описания 17.03.77 (51) М. Кл. G 11C 11 16

Государственный комитет

Совета Министров СССР (53) УДК 681.327.66 (088.8) по делам изобретений и открытий (72) Авторы изобретения

А. Б. Акинфиев, М. И. Гришечкин и Л. А. Рутковский (71) Заявитель (54) ЗАПОМИНАЮЩАЯ МАТРИЦА

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).

Известна запоминающая матрица, содержа- 5 щая на пластине из магнитоодноосного материала с ЦМД регистр сдвига и магниторезистивный датчик, а также катушки управления (1).

Недостатком такой матрицы является низ- 10 кое быстродействие.

Наиболее близким техническим решением к данному изобретению является запоминающая матрица, которая содержит в каждом узле пластину из магнитоодноосного материа- 15 ла с цилиндрическими магнитными доменами с расположенными на ней регистром сдвига из ферромагнитных аппликаций и магниторезистивным датчиком и катушки управления (2). 20

В известной матрице размеры чипов (пластин из магнитоодноосного материала, на которых располагаются регистры сдвига) должны быть достаточно большими, чтобы цепи дешифратора занимали на чипе площадь, 25 меньшую площади, занимаемой регистрами.

Использование общей для всей матрицы пары катушек, создающих вращающееся поле, требует для ее возбуждения значительной мощности источников и вызывает необходи- 3 мость использования для каждого чипа с регистрами отдельных цепей считывания-записи.

С целью повышения быстродействия матрицы и снижения потребляемой мощности в предлагаемой запоминающей матрице катушки управления выполнены в виде ортогональных секций, каждая пз KQTopbIx охватывает пластины из магнитоодноосного материала, принадлежащие одноименным строкам (столбцам) матрицы, а все магниторезистивные датчики, расположенные на указанных пластинах, соединены последовательно.

Разбиение общей катушки управления на секции позволяет применять менее мощные источники, создающие вращающееся поле, поскольку активное и индуктивное сопротивление секций меньше, чем общей катушки. Поскольку при указанной организации обращение осуществляется только к одному выбранному чипу, генераторы и магниторезистивные датчики чипов объединяются последовательно, чем резко сокращается количество цепей записи-считывания и повышается быстродействие матрицы.

На фиг. 1 и 2 показана конструкция предлагаемой запоминающей матрицы.

Запоминающая матрица содержит на диэлектрической подложке 1 пластины из магнитоодноосного материала с ЦМД (чипы) 2, на кoTopbIx расположены регистры сдвига из

546934 ферромагнитных аппликаций 3 и магниторезистивные датчики 4. Вокруг подложки 1 с чипами 2 вдоль каждого столбца матрицы располагаются катушки управления 5, а вдоль каждой строки матрицы — катушки управления 6. Генераторы доменов 7 объединены последовательно в цепь записи 8, а магниторезистивные датчики 4 объединены последовательно в цепь считывания 9.

При подаче сдвинутых по фазе и меняющих свою полярность импульсов тока в пару ортогональных катушек 5, 6 в месте их пересечения создается вращающееся поле, осуществляющее продвижение ЦМД в регистре 3 чипа 2, расположенного в пересечении катушек.

В полувыбранных чипах, подверженных воздействию поля только одной из возбужденных катушек 5 или 6, продвижения ЦМД в регистрах не происходит. Если домены хранятся на определенных участках аппликации, то происходит только их обратимое смещение.

Подача импульсов тока записи в цепь записи

8 приводит к генерации ЦМД только в чипе, расположенном в месте пересечения возбужденных катушек 5 и 6. В остальных чипах генерации ЦМД не происходит, поскольку в них магнитное поле либо меняется только по одной координате, либо вообще отсутствует.

Через цепь считывания 9, соединяющую магниторезистивные датчики чипов 2, сигнал с датчика выбранного чипа передается к усилителю считывания. Для того, чтобы с магниторезистивных датчиков полувыбранных чипов сигналы не поступали на вход усилителя и не маскировали сигнала с выбранного чипа, в полувыбранных чипах около магниторезистивных датчиков не должно бить цилиндрических магнитных доменов. Это достигается тем, что обращение к любому регистру всегда заканчивается на определенной позиции, в которой генерация домена при записи не производится.

Формула изобретения

Запоминающая матрица, содержащая в каждом узле пластину из магнитоодноосного

15 материала с цилиндрическими магнитными доменами с расположенными на ней регистром сдвига из ферромагнитных аппликаций и магниторезистивным датчиком и катушки управления, отличающаяся тем, что, с

20 целью повышения быстродействия матрицы и снижения потребляемой мощности, катушки управления выполнены в виде ортогональных секций, каждая из которых охватывает пластины из магнитоодноосного материала, при25 надлежащие одноименным строкам (столбцам) матрицы, а все магниторезистивные датчики, расположенные на указанных пластинах, соединены последовательно.

Источники информации, принятые во вни30 мание при экспертизе:

1. 1ЕЕЕ Trans. Magn., Ч. MAG-6, № 3, 1970, р. 447.

2. 1ЕЕЕ Trans. Magn., V. MAG-9, № 3, 1973, р. 433.

546934 фиг. 7

Риг. Г

Составитель Ю. Розенталь

Техред Е. Жаворонкова

Редактор Н. Каменская

Корректор О. Тюрина

Заказ 330 14 Изд. № 187 Тираж 769 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий! 13035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 475

Типография, пр. Сапунова, 2