Запоминающее устройство

 

О П И С А Н И Е (11) 466548

ИЗОБРЕТЕ Н И Я

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 25.07.72 (21) 1816288/18-24 с присоединением заявки № (51) М. Кл. G 11ñ 11 16 тосударственный комитет (23) риоритет

Совета Министров СССР ао делам изобретений н открытий

Опубликовано 05.04.75. Бюллетень № 13

Дата опубликования описания 14.07.75 (53) УДК 681.325.66 (088.8) (72) Авторы изобретения

И. В. Прангишвили и Г. Г. Стецюра

Ордена Ленина Институт проблем управления (71) Заявитель (54) ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО

Изобретение относится к области автоматики и вычислительной техники и может быть использовано при построении устройств для хранения дискретной информации.

Известны запоминающие устройства (ЗУ), содержащие пластину из немагнитного материала, на одной поверхности которой расположены ферромагнитные аппликации, а на другой — постоянный магнит, источник вращающегося радиального электромагнитного поля, соединенный с блоком управления источником вращающегося электромагнитного поля, узлы записи информации, соединенные с блоком управления записью, и узлы считывания информации.

В этих устройствах для запоминания информации используются создание, перемещение и уничтожение магнитных доменов в тонком слое монокристалла ферромагнетика.

Обладая целым рядом достоинств, такие ЗУ гребуют сложной технологии изготовления высококачественных монокристаллов. Области перемещения домена ограничены монолитным участком монокристалла, и перевести домен из одного монокристалла в другой можно только, уничтожая и вновь создавая домен. Таким образом, создание ЗУ большого объема требует либо создания больших монокристаллов, либо введения инородных элементов в структуру ЗУ.

Целью изобретения является упрощение технологии изготовления известных ЗУ, Эта цель достигается за счет того, что устройство содержит расположенную параллель5 но первой пластине из немагнитного материала вторую пластину из немагнитного материала, на поверхности которой размещены частицы ферромагнитного материала. Узлы записи выполнены в виде соленоидов, поме1О щенных на поверхности второй пластины из немагнитного материала против соответствующих концов ферромагнитных апплика ций первой пластины из немагнитного материала.

15 На фиг. 1 изображено предложенное ЗУ; на фиг. 2 — узел записи, Устройство содержит первую пластину 1 из немагнитного материала с ферромагнитными аппликациями, источник вращающегося

20 радиального электромагнитного поля 2, узел считывания 3, блок управления 4 источником, постоянный магнит 5, вторую пластину 6 из немагнитного материала с размещенными на ее поверхности частицами ферромагнитногс

25 материала, герметизирующий кожух 7, блоК управления записью 8 и узел записи информации 9.

В устройстве первая пластина 1, источник поля 2 и узел считывания 3 могут быть выЗо полнены так же, как и в известных ЗУ на

466548

35

3 магнитных доменах. Постоянный магнит 5 расположен под пластинами 1 и б так, что его магнитное поле направлено нормально поверхности пластин, что позволяет удерживать частицы из ферромагнитного материала, играющие роль элемснтарных носителей двоичной информации, на поверхности пластины 6, Расположение частиц на говерхности пластины 6 фиксируется действием ферромагнитных аппликаций, расположенных на пластине 1 и играющих роль генераторов неоднородного магнитного поля так же, как и в известных ЗУ на магнитных доменах. По. ложение частиц в плоскости пластины б может фиксироваться также различного рода механическими направляющими, нанесенными на поверхность пластины 6. Поверхность пластины 6 с расположенными на ней носителямп закрываются герметичным кожухом

7, предохраняющим их от пыли и влаги. Блок управления записью 8 выдает сигналы в узел записи, который осуществляет фазовый сдвиг частиц, и в блок 4, инвертирующий направление вращения поля.

Узел записи представляет собой соленоид, расположенный над одной из ферромагнитных аппликаций. На фиг. 2 пунктиром показаны расположенные на пластине 1 известные аппликации 1 — и Т-образного типа и положение соленоида по отношению к ним.

Выходы соленоида подключены к блоку 8.

Блок 8 пропускает через соленоид импульсы тока, достаточные для фиксирования элементарного носителя, находящегося в поле действия соленоида.

ЗУ работает следующим образом, При вращении магнитного поля источника

2 элементарные носители ферромагнитные частицы перемещаются вдоль системы аппликаций по замкнутому пути. Число элементарных носителей в ЗУ постоянно и информация в нем записывается за счет фазового сдвига носителей, Это означает следующее. Предположим, в регистре все допустимые места расположения элементарных носителей заняты ими. Перенумеруем носители в порядке их расположения в регистре и устраним все нечетные носители. Далее будем считать, что если носитель расположен в указанном исходном положении, то это положение соответствует записи «О», если носитель переместить в соседнее свободное место (имеющее номер на 1 больший), это соответствует записи «1». Записанная так информация без изменения циркулирует по регистру ЗУ. Так ::е как в ЗУ на доменах, все носители информации проходят мимо узла считывания 3, который регистрирует появление элементарного носи-.еля путем выдачи сигнала.

Запись информации в предложенном ЗУ происходит следующим образом.

3 а п и с ь «О». В момент когда в поле действия узла записи 9 должен прийти элементарный носитель, -соответствующий «1», блок

8 подает в соленоид удерживающий импульс тока. Этот импульс подается до тех пор, пока вращающееся поле не сдвинет всю информацию так, что в поле действия соленоида должен будет прийти носитель, соответствующий «О». Если во время импульса в поле действия соленоида действительно находился носитель, соответствующий «1», то он будет задержан и тем самым переведен в состояние

«О». Если такого носителя не было, то это означает, что уже был записан «О» и подача импульса не изменяет положения.

3 а п и сь «1». В момент, когда в поле действия узла записи 9 должен прийти элементарный носитель, соответствующий «О», блок

8 подает сигнал управления в блок 4, который реверсирует направление вращения магнитного поля. Одновременно блок 8 подает удерживающий импульс в соленоид узла записи. Этот импульс подается до тех пор, пока не произойдет такой сдвиг, что в поле действия соленоида должен будет прийти носитель, соответствующий «1». После этого блок

8 прекращает подачу удерживающего импульса и в блок 4 подает сигнал, инвертирующий направление вращения поля. В результате в устройство записана «1».

Предмет изобретения

Запоминающее устройство, содержащее первую пластину из нем агнитного материала, на одной поверхности которой расположены ферромагнитные аппликации, а на другой — постоянный магнит, источник вращающегося радиального электромагнитного поля, соединенный с блоком управления источником вращающегося электромагнитного поля, узлы записи информации, соединенные с блоком управления записью, и узлы считывания информации, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью упрощения технологии изготовления устройства, оно содержит расположенную параллельно первой пластине из немагнитного материала, вторую пластину из немагнитного материала, на поверхности которой размещены частицы ферромагнитного материала, а узлы записи выполнены в виде соленоидов, помещенных на поверхности второй пластины из немагнитного материала против соответствующих концов ферромагнитных аппликаций первой пластины из немагнитного материала.

466548

Рог 1

Фиг. 2

Составит"ль Ю. Розенталь

Тсхред 3. Тараненко

Редактор Л. Утехина

Корректор Л. Брахиина

Типография, пр. Сапунова, 2

За .<аз 16!8/15 Изд. № 645 Тираж 648 Подписное

ЦНИИПИ Государственпого комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Запоминающее устройство Запоминающее устройство Запоминающее устройство 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к магнитным материалам, а именно, к использованию осевой симметрии для задания магнитных свойств материалов

Изобретение относится к области металлургии, а именно к магнитным материалам, в частности к использованию осевой симметрии для задания магнитных свойств материалам

Изобретение относится к разработке памяти в области магниторезистивной оперативной памяти с передачей спинового вращательного момента

Изобретение относится к устройству памяти, включающему в себя структуру магнитного туннельного перехода (МТП)

Изобретение относится к вычислительной технике

Изобретение относится к вычислительной техники, а именно к ячейкам магнитного туннельного перехода

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при создании запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах
Наверх