Магнитная ячейка памяти

 

О П И С А Н И Е „>)520620

ИЗОЬЕЕтЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДИТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву(22) Заявлено 10.01.75 (21)2096980/24 с присоединением заявки № (23) Приоритет(51) М. Кл.

0 11 С 11/16

Государственный комитет

Совета Министров СССР

IlQ делам иэооретвннй и открытий (43) Опубликовано05.07.76.Бюллетень № 25 (53) УДК 681.325.66 (088,8) (45) Дата опубликования описания, 22.10.76

В, Д. Мочалов, А, Г, Жучков и Т, С. Ткачева

1 (72) Авторы изобретения (71) Заявитель (54) МАГНИТНАЯ ЯЧЕЙКА ПАМЯТИ

Изобретение относится к области авто. матики и вычислительной техники и может быть использовано для построения ОЗУ.

Известны магнитные ячейки памяти, содержащие пластину иэ магнитоодноосного .материала, в которой при определенных условиях возникают стабильные цилиндричес кие магнитные домены (БМД), и различные средства управления доменами, расположенные на поверхности пластины (1, 2) . p

Одна иэ известных магнитных ячеек памяти содержит пластину иэ магнитоодноосного материала с UML1 и располом енные на ней токовые проводники управления (1).

Недостатком этой ячейки является ее слож- ц ность, Наиболее близким техническим решением к данному изобретению, является магнитная ячейка памяти, содержащая, как и предложенная, пластину иэ магнитоодноосного ма- р) териала с UMll и расположенные на ней то"" ковые проводники управления. и ферромагнитную аппликацию (2). Недостатком известной ячейки является ее относительная сложность и большая потребляемая мощность. 25

Целью изобретения является упрощение ячейки и снижение потребляемой мощности.

Поставленная цель достигается (путем .того, что в магнитной ячейке памяти, содер:жащей пластину из магнитоодноосного ма—

;териала с UMQ и расположенные на ней то,|ковые проводники управления и ферромагниъ;ную аппликацию последняя выполнена Г-об-! разной формы, а токовые проводники управ-! лейия расположены перпендикулярно еесторо, нам.

На чертеже представлена принципиальная схема магнитной ячейки памяти.

Магнитная ячейка памяти содержит плас1тину 1 иэ магнитоодиоосного материала с ! цилиндрическими доменами 2, источник Э магнитного поля смещения, ферромагнитную аппликацию 4 Г-образной формы и токовые проводники управления 5 и 6, расположен ные перпендикулярно ее сторонам.

Г-образная ферромагнитная аппликация

4 может быть расположена относительно то iêîâûx проводников управления 5, 6уаэличиым образом: под проводниками, между ними, над ними - в зависимости от назначения, 520620 условий работы и технологиче ких возмож— ностей изготовления устройства.

В пластине 1 при наличии постоянного поли смещения, создаваемого источником 3 н направленного перпендикулярно к поверхности пластины, под аппликапией 4, играющей роль магнитостатической ловушки, находится домен 2. IIog действием градиентного магнитного внешнего поля, создаваемого током, протекающим по проводникам 5 или 6, Ip и накладываемого на поле смещения, домен

2 начинает перемещаться в плоскости пластины в направлении максимального уменьшения суммарного магнитного поля, т. е. вдоль сторон Г-образной аппликации 4. 15

Магнитная ячейка памяти работает следующим образом.

Наличие домена 2 под одним из концов

Г-образной ферромагнитной аппликации 4- принимается за нулевое состояние ячейки па - 20 мяти.

Тогда запись единицы в ячейку осуществляется подачей токового импульса сначала по проводнику 5, а затем по проводнику 6.

При этом полярность импульсов такова, что градиентное магнитное поле заставляет домен 2 перемещаться вдоль сторон -o6paaной аппликапии 4 к позиции 1".

Стирание единицы или запись нуля в ячейку производится подачей токового импульса сначала по проводнику 6, а затем по пров воднику 5. При этом полярность импульсов противоположна полярности импульсов запи4 си в ячейку единицы, Домен 2 переходит в позицию "О .

Сравнительные испытания данной магнит ной ячейки памяти с известной показали, что она позволяет снизить в несколько раз мощность, потребляемую от источника питания.

Ф ормула из о бр етения

Магнитная ячейка памяти, содержащая пластину из магнитоодноосного материала с цилиндрическими доменами и расположенные на ней токовые проводники управления и ферромагнитную аппликацию, о т л и ч а ющ а я с я тем, что, с целью упрощения устройства и снижения потребляемой мощно сти, ферромагнитная аппликация выполнена

Г-образной формы, а токовые проводники управления расположены перпендикулярно ее стор онам.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1. Патент США ¹ 3460116, кл. 340174 от 5.08.1969.

2. М. А. Боярченков и др. "Магнитные доменные логические и запоминающие устройства, изд-во Энергия", 1974 г., стр.

63.

ЦНИИПИ Заказ 4635/190

Тираж 723 Подписное

Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4