Элемент памяти

 

Союз Советских

Социалистииеских

Республик

ОЛ ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (и) 557417 (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 24.11.75 (21) 2192624/24 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет (43) Опубликовано 05 05.77. Бюллетень М 17 (4б) Дата онубликования описаини24.06.77 (б1) М. 1 л.з 6 11 С 11!22

Гасударственная квинтет

Саввтв Министрав СССР но делам иэабретений и аткрытий (53) УДК 681.327.66 (088.8) (72) Авторы изобретения И. В. Завалин, В. А. Завадский, А. В. Иващенко, В. К, Максимов и И. В. Потыкевич (71) Заявитель (54) ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ

Изобретение относйтся к вычислительной технике и может быть использовано при создании митогабаритных запоминающих устройств ЭВМ.

Известны элементы твтмяти, способные нахо,диться в одном из двух устойчивых состояний, содержащие пластину из сегиетоэлектрического материала с нанесенным иа нее слоем полупроводника.

Один из известных элементов памяпт содержит пластину из сегиетоэлектрического ь.атериала, на одной стороне которой расположен слой полупроводника с нанесенным на него электродом управления, подключенным ко входу элемента (Ц.

Недостатком элемента является его низкая надежность.

Наиболее близким техническим решением к предложенному изобретению является элемент ламяти, который содержит,как и предложенный,последовательно расположенные электрод поляризации, пластину из сегнетоэлектрического материала и слой полупроводника с нанесенным на него, электродом управления, подключенным ко входу элемента т2) .

Недостатком известного элемента памяти является низкая надежность вследствие нестабнльности н плохой воспроизводимости выходных характеристик слоя полупроводника, имеющего значнтельнло протяженность и подвергающегося влиянию воздействий внетнней среды.

Целью изобретения являетса повьппение надежности известного элемента памяти.

Поставленная цель достигается тем, что элемент памяти, содержащий последовательно расположенные электрод поляризации и нластнпу из сегнетоЮ электрического материала, и слой пол1чтроводиика с нанесенным на него электродом управления, подключенным ко входу элемента, содержит слой металла, расположенный между слоем полупроводника н пластиной нз сегнетозлектрнческого матеИ риала.

На чертеже изображен элемент памяти, содержащий пластину1 из сегнетоэлектрического материала. На одной стороне пластины 1 расположен электрод поляризации 2. На друтой стороне расположен слой полупроводника 3, отделенный от шшстины 1 слоем металла 4. Слой полупроводника 3 снабжен электродом управления 5, подключаемым ко входу элемента.

Запись информации производится подключе25 кием к электродам 2 и 5 источника напряжения. При i

557417

Составитель 1О. Розенталь

Техред Н, Бабурка твдактор И. Ыарховская

Корректор . Л. Веселовска»

Тираж 728 .. Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретена» и открытий

113035, Москва, Ж-35, Рауиикая наб., д, 4/5

Заказ 854/61

Филиал ППП "Патент", r. Уигорор, уа Проектная, 4 этом происходит поляризация сегнетоэлектрического материала пластины 1, заключенного между вышеуказанными электродами. В результате поляризации на поверхности пластины 1 появляется поляризацнонный заряд и, в зависимости ът знака заряда; происходит обогащение или обеднение носителями слоя полупроводника 3, рашоложенного в зоне электрода 2. Регистрация состояния полупроводника 3 (неразрушаннцее считывание) производится подключением регистрирующего прибора между 1Е электродами 2 и 5, Ограничение поверхности слоя полупроводника площадью электродов 2 и 5, зависимость параметров этого слоя только от его толщины, позволяет получить более стабильные характеристики элемента памяти, свободные от влияния внешних воздействий, что приведет к повышению надежности элемента. Следует отметить, что такая конструкция

4 элемента не требует применения дополнительных,нассивирующих покрытий. формула изобретения

Элемент памяти, содержащий последовательн расположенные электрод поляризации и пластину иэ сегнетоэлектрического материала, и апай полу-, проводника с нанесенным иа sего знектродом, управления, подключенным ко входу,элемента, отличающийся тем, что, с целмо повытпения надежности элемента, между.аиоем попупроводни* ка и пластиной из сегнетозжктрического материала расположен слой матапаль

Источники информации, принятые во внимание, нри экспертизе:

1. Пвмвт СИА У М81765, кл 340-174 mI

18.04.71.

2. ТИИЭР, т. 54, М б, 19бб, с. 30-38.