Устройство для нанесения тонкого равномерного слоя покрытия

 

Союз Советских

Социалистических

Республик

О Л И С А Н И Е <„,5в7521

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 13.03.73.(21) 1892757/21 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 05.05.77.Бюллетень № 17

{51) M. Кл.е

Н 05 K 3/00

Государственный камитет

Савета Министрав СССР аа делам изобретений и атирытий (53) УДК 621.793 (088.8) (45) Дата опубликования описания 27.06.7 т

Ю, А. Панков v В, Г. Мухин (72) Авторы изобретения (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ IAHECE:IIH ТОНКОГО

РАВНОМ EPHO1"O СЛОЯ I О>КРЫ ТИЯ туруИзобретение относится к устройствам для получения тонких равномерных слоев и может быть использовано для нивелирования покрытий при получении определенных геометрических параметров слоя. 5

Известно устройство для нанесения тонкого слоя покрытия, например припоя, на поверхность изделий, преимущественно на подложки микросхем, включающее ванну для припоя, механизм перемещения подло- Ip жекt óçå >. для у-даления излишке и выравнивания поверхности припоя, выполненный в виде гибкой, смачиваемой материалом покрытия фольги с внешним рабочим контуром. 15

Недостатками этого устройства являются ограниченная возможность регулирования толщины покрытия, малая производительность и невысокое качество покрытия при получении тонких слоев полуды из при- 20 поя.

С целью расширения пределов регулирования толщины покрытия, улучшения его качества и увеличения производительности в устройстве, содержащем. ванну для при- 25 поя, мехенп:ю. перемещения подложек „ узел для удал - >ця пз —. тшка л в - ., - ., а>-,т.-,,:

IIOBepXHOCT?I ILp" > ПОя, ВЫПО lll . >,". .>. i В д. гибкой, смачиваемой материало: ло.; т:тпя фольги с внешним рабочим контуро;,:>, юкая фолы а д->я удаления нзл пиков >pènîÿ и вь .равнивания его поверхчс;т .. с ь.:.>. ь:--п системой сквозных прорезей..:. ilp.>меp параллельных ее вне,.чему р=:;.=-,е:: —. ко:.:— ентэв астр >i>c;.; —.:,:.ух >-.,..>.: к >;, х.

l ибк» я фо!, - :),» зекрепле.. -1; —.:я . >гюй

cTopoHbi > ;. > t п>омо>т; дечжателя»,, li> ° ."..т внешний р,-.3,чий контур 3 со стороц.- незакрепленного конце.

Лля получения тонкого слоя при-.>оя 4заданных геометрических раз,: .-ро.- -;a подложке микросхемь- 5, в фольге> в пределах ее рабочего участка 6, выполнена системе сквозных прорезе

Устройство раба ест с:lãäóê i ъ образо :, Перед началом ра оты фольгу 1,: ужив"; ют в ванне с расплавом припоя 8 и располега557 521

Фиг. f ют ее в объеме расплава над выходящей из ванны подложкой микросхемы 5.

Указанной подложкой захватывают и поднимают фольгу 1 из расплава припоя

8 над поверхностью глицерина 9. Зта опеРация обеспечивает совмещение рабочего участка 6 фольги с припоем на подложке и их молекулярное сцепление. При этом капиллярная система 10, образованная молекулярным сцеплением., остается связан- щ ной с расплавом. припоя в ванне. За счет сил сцепления подложкой поднимают фольгу над уровнем глицерина на высоту рабочего участка 6.

Перемещение фольги ограничивается на д указанной высоте держателем, после чего дальнейшее движение подложки осуществляется уже относительно сквозных прорезей 7, обеспечивающих выравнивание слоя и удаление части излишков припоя на внеш- gp нюю сторону фольги.

Наличие глицерина в качестве поверхностно — активного вещества улучшает текучесть припоя и предохраняет прорези в фольге от затягивания их припойной плен- 26 кой. цикл обработки полуды заканчивается по прохождении подложки относительно внешнего рабочего контура Э фольги, где тонкий слой покрытия на облуженных участках 30

11 подложки нивелируется за счет нарушения равновесного состояния мениска 12 полуды во время перемещения фольги относительно подложки. Таким образом, на облуженных участках подложки остается тонкий и равномерный слой покрытия с геометрическими параметрами, заданными системой прорезей 7, зависимой от количества прорезей, их конфигурации и расположения на рабочем участке фольги.

Формула изобретения

Устройство для нанесения тонкого, равномерного слоя покрытия, например припоя, на поверхность изделий, преимущественно на подложки микросхем, включающее ванну для припоя, механизм. перемещения подложек и узел для удаления излишка и выравнивания поверхности припоя, выполненый в виде гибкой, смачиваемой материалом покрытия фольги с внешним. Рабочим контуром, отлич аю ще ес я тем, что, с целью расширения пределов регулирования толщины, улучшения качества покрытия и увеличения производительности, фольга снабжена системой сквозных прорезей, например параллельных внешнему рабочему контуру

557521

Фиг. 2

Составитель П. звягин

Редактор И. Марковская Техред Н. Андрейчук Корректор Ж. Кеслер

Заказ 992/65 тираж 1003 Подписное

UHHHHH Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д, 4/5

Филиал ППП "Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Устройство для нанесения тонкого равномерного слоя покрытия Устройство для нанесения тонкого равномерного слоя покрытия Устройство для нанесения тонкого равномерного слоя покрытия 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области технологии микроэлектроники, в частности, к технологии формирования на подложках тонкопленочных рисунков с помощью лазерного луча и к устройствам, позволяющим реализовать такую технологию

Изобретение относится к электролитическим способам изготовления печатных схем и заключается в избирательном электрохимическом травлении фольгированного диэлектрика при его движении относительно линейного секционного электрод-инструмента
Изобретение относится к радиоприборостроению и может найти применение при изготовлении печатных плат с элементами проводящего рисунка схемы, работающими на размыкание - замыкание и располагаемыми в любом месте поля платы (тастатура номеронабирателя, контакты плоские, разъемы)
Изобретение относится к способу изготовления многослойной платы с печатным монтажом

Изобретение относится к способу изготовления композиционного многослойного материала, предпочтительно материала с перекрестной ориентацией армирующих волокон, в соответствии с которым параллельно расположенные волокна покрываются матричным веществом и вместе с предварительно сформированными нетекучими композициями параллельно расположенных волокон или перекрещивающимися системами параллельно расположенных волокон пропускаются через зону дублирования, причем ориентация волокон в соединяемых слоях имеет по крайней мере два направления

Изобретение относится к созданию трехмерной электронной аппаратуры
Наверх