Элемент памяти

 

ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ, содержащий полупроводниковую подложку п-типа, на которой расположен слой диэлектрика, и подвижную проводящую пластину, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей элемента, он содержит области полупроводника р-типа, размещенные под слоем диэлектрика в полупроводниковой подложке п-типа, и металлические электроды, расположенные на слое диэлектрика, а нижний конец подвижной проводящей пластины 'соединен с полупроводниковой подложкой п-типа.

союз советсних соаелистичесяих

РЕСПУБЛИН (19) (11) (б1) 4 С 11 С 11/40

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ .СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 2199622/24 (22) 15. 12. 75 (46) 30.08.86. Бюл. 11- 32 (7!) Институт физики полупроводников Сибирского отделения АН СССР (72) А.И.Мишин и E.È.Черепов . (53) 681.327.66(088.8) (56) Ланчер. Светомодулирующие ЭЛТ для проекционных систем отображения, "Электроника", В 25, 1970.

Сотсков Б.С. Основы расчета и проектирования электромеханических элементов автоматических и телемеханических устройств. М., "Энергия",,1965, с. 562.

Патент США У 3553364, кл. Н 04 H 5/74, опублик. 05.01.71. (54) (57) ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ, содержащий полупроводниковую подложку п-типа, на которой расположен слой диэлектрика, и подвижную проводящую пластину, о т л и ч а ю щ.н и с я тем, что, с целью расширения функциональных возможностей элемента, он содержит области полупроводника р-типа, размещенные нод слоем диэлектрика в полупроводниковой подложке п-типа, и металлические электроды, расположенные на слое диэлектрика, а нижний конец подвижной проводящей пластины соединен с полупроводниковой подложкой п-типа.

570282

Изобретение относится к области радиоэлектроники и предназначено для построения устройств отображения визуальной информации, запоминающих устройств ввода-вывода информации.

Известен элемент памяти, содержащий подвижную проводящую пластину, расположенную на диэлектрической. подложке. Хранение информации таким элементом осуществляется за счет за- 10 ряда, образованного в диэлектрике.

Однако этот заряд обладает нестабйльностью, вследствие чего время хранения информации практически неуправляемо (может колебаться от до- 15 лей секунд до нескольких десятков часов). другим недостатком являются ограниченные функциональные возможнос- 20 ти, обусловленные, в частности, тем что выборка элементов в матричном устройстве отображения визуальной информации может осуществляться либо по принципу полувыборки, либо ин- 25 дивидуально.

Первый способ выборки характерен жесткими требованиями к разбросу параметров элементов, а индивидуальная выборка существенно усложняет как уст-З0 ройство управления матрицей, так и саму матрицу.

Известен также электростатчческий элемент, содержащий полупроводниковую подложку, на поверхности которой установлена подвижная проводящая пластина. Он обладает теми же недостатками, что и первый элемент.

Наиболее близким из известных эле- 40 ментов по технической сущности является элемент памяти, содержащий полупроводниковую подложку п-типа, на которой .расположен слой диэлектрика, и подвижную проводящую пластину. Такой элемент обладает ограниченными функциональньыи возможностями, что обусловлено необходимостью индивидуальной выборки в устройстве отображения визуальной информации и запоми- 50 наюшем устройстве, построенных на его основе. Кроме того, одномерное устройство отображения информации, например шкала, построенное на базе известных элементов, имеет большое число управ- 55 ляющих выводов, что существенно усложняет конструкцию отсчетного устройства.

Целью изобретения является расширение функциональных возможностей элемента памяти.

Достигается это тем, что элемент памяти содержит области полупроводника р-типа, размещенные под слоем диэлектрика в полупроводниковой подложке и"типа, и металлические электроды, расположенные на слое диэлектрика, а нижний конец подвижной проводящей пластины соединен с полупроводниковой подложкой и-типа. Такое выполнение увеличивает функциональные возможности элемента и расширяет область его применения, так как предлагаемый элемент представляет собой по существу разряд регистра сдвига с индикацией.

На чертеже представлена конструкция устройства.

Элемент содержит металлические электроды — неподвижные проводящие пластины 1, 2 и подвижную 3, расположенные на слое диэлектрика 4, покрывающего полупроводниковую подложку 5 п-типа, в которой размещены области 6 и 7 полупроводника р-типа.

Подвижная пластина 3 своим концом соединена с полупроводниковой подложкой

5, на обратной стороне которой установлена неподвижная проводящая пластина 8..

Принцип работы элемента заключается в следующем. При приложении напряжения соответствующей величины и полярности к пластине 1 и р-области 6 полупроводника р-типа разряд неосновных носителей из этой области переместится в участок полупроводника, расположенный под пластиной 1, а при приложении разности потенциалов к пластинам 1 и 2, указанный заряд переместится под пластину 2 и зарядит подвижную пластину 3. Величина напряжения U (емкости С), образованная подвижной пластиной 3 и полупроводниковой подложкой 5, определяется ем- костью С и величиной заряда g под пластиной 2 и составляет U — - U

= g/С, где U пороговое напряжение соответствующей ИДП-структуры., Под действием сил электростатического притяжения подвижная пластина 3 нритянется к поверхности слоя диэлектрика 4.

Если требуется запомнить состояние включенного элемента, то к области 7 полупроводника р- типа и пластине 8 прикладывается напряжение, 570282 4 ца неосновных носителей осуществляется путем освещения участка полупроводника вблизи пластины 1 или 2 (или непосредственно путем освещения этой пластины, если она прозрачна) и подачи напряжения на пластины 1 (2) и

8, под действием которого в полупроводнике под пластиной 1(2) образуется объединенная область. Пластины 1 и 2, область 6 полупроводника р-типа совместно со слоем диэлектрика 4 и полупроводниковой подложкой 5 образуют прибор с зарядовой связью ЗП

3 С, а подвижная пластина 3 совместно с областью 7 полупроводника р-типа, слоем диэлектрика 4 и подложкой

5 — статический элемент памяти, выполняющий, кроме того, модуляцию фазы (или амплитуды) светового потока. достаточное для удержания пластины на поверхности слоя диэлектрика 4.

Силы электростатического притяжения обратно пропорциональны квадрату зазора, если пластина 3 находится в своем исходном состоянии (не притянута к слою диэлектрика 4), приложение указанного напряжения удержания не меняет состояния подвижной пластины 3. 10

При снятии напряжения с области 6 полупроводника р-типа и пластин 1,2 элемент .находится во включенном состоянии под действием напряжения,приложенного к области 7 полупроводника р-типа и пластине 8. При этом область полупроводника р-типа в элементе может отсутствовать и образование заряТехред Л.Сердюкова Корректор H. Эрдейи

Редактор О.Юркова

Заказ 4752/3 Тираж 543 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Рауйская наб., д. 4!5

Производственно-полиграфическое предприятие, г.Ужгород, ул.Проектная,4,