Магнитный запоминающий элемент

Авторы патента:

G11C11/08 - многодырочных, например трансфлюксоров пластин с несколькими отдельными многодырочными элементами памяти (G11C 11/10 имеет преимущство; использование пластин с несколькими отверстиями, в которых каждое отверстие образует отдельный элемент памяти G11C 11/06)

Союз Соаетеких

Социалистических

Респубттик

И АВТОРСКОМУ СВИДВТВДЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид.ву (22) Заявлено 03.05.76 (21) 2354653/18-2 с присоединением заявки ¹ (23) Г1риоритет (43) Опубликовано 25.12.77. Бюллетень №4 (45) Дата опубликования описания 151 7т (51) М. Кл, С 11. С 1 08

} ааударатааними ханитат

Саватв Миииатраа ССсР аа делан иэааратаний и аткрнтий (53) УДК68Х.за7.6 (088. 8) (72) Автор изобретения

A. О. Тимофеев (71) Заявитель (54) МАГНИТНЫЙ ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ

Изобретение относится к цифровой вычислительной технике и автоматике и может быть использовано в оперативных запоминающих устройствах с двухкоординатной выборкой (структура 3) .

Известны высокотехнологичные магнитные запоминающие элементы, выполненные на группе отверстий многоотверстной пластины из материала с прямоугольной петлей гистереэиса так, что через каждое отверстие проходит только один проводник.

Магнитный запоминающий элемент с двухкоординатной выборкой, выполненный на ферритовой пластине из материала с прямоугольной петлей гистерезиса с вос чью отверстиями, шесть из которых расположены вдоль одной оси симметрии и прошиты двумя координатными обмотками и обмоткой смещения, а двавЂ” вдоль перпендикулярной оси симметрии и прошиты разрядной обмоткой, является наиболее близким техническим решением к предложенному элементу. Этот элемент имеет малый выходной сигнал по причине неглубокой модуляции выходного напряжени от разрядного тока записи j)).

Цель изобретения состоит в повышении надежности элемента путем увеличения выходного сигнала.

Для этого отверстия на пластине расположены вдоль одной оси, координатные обмотки и обмотка смещения прошиты соответственно через первое и восьмое, четвертое и пятое, третье и шестое отверстия s противоположных направ5 лениях, а разрядная обмотка прошита через второе и седьмое отверстия в одинаковых направлениях.

Эти изменения в расположении отверстий приводят к более тесному взаимодействию эоны хранения информации и зоны опроса и тем самым к увеличению выходного сигнала.

На фиг. 1 изображен предлагаемый магнитный запоминающий элемент; на фиг. 2 вЂ” используемые магнитные состояния.

15 Магнитный запоминающий элемент выполнен на участке 1 пластины 2 из материала с прямоугольной петлей гистерезиса, содержащем восемь отверстий, расположенных вдоль одной оси, и прошитых координатными обмотками 3, 4 соответственно через первое и восьмое, четвертое и пятое отверстия в противоположных направлениях, обмоткой смещения

5 через третье и шестое отверстия в противоположных направлениях и разрядной обмоткой

6 через второе и седьмое отверстия в одинако75 вых направлениях.

Ленинградский ордена Ленина эпекгротехнический институт им. В. И. Упьянова (Ленина) 585545 Фиг.1 я уй хся о I !.гси6 spy

ХхВ гуф Тсийо 4o I. Уст Ь Х щ фив. Г

ЦНИИПИ Закаэ 505а/42 Тираж 729 Поло ис иое

Филиал tltltl аПвтент, г. Уяггорой, ул. Проектная. 4 Элемент работает следующим образом. Подача двух координатных токов 1„, l„в обмотки

3, 4 на фоне тока смещения 1с„,, протекающего в обмотке 5, приводит к «жес. кому» стиранию информации, так как элемент переходит в магамтиое состояние Ñ» (фиг. 2}.

8 разрядной обмотке б наводится импульс йапряжения О, илн (..го той или иной полярности в зависимости от предыдущего магнитного состояния «!» или «О».

Запись информации осуществляется по окончании координатных токов под действием тока смещения при наличии одного из разрядных токов 1,, lр<, подаваемых в разрядную обмотку 6. Ток 1> (1,) нарушает баланс в магнитопроводе .элемента. Изменение магнитного потока центральной перемычки замыкается в. основном вокруг правых (левых) четырех отверстий и элемент попадает в состояние

«О» (!).

Предложенный элемент может хранить троичную информацМо. Третье состояние хранения . возникает, если при записи не подаются разрядные токи „! р,.

Формула .илобрегеиия

Магнитный запоминающий элемент, содержащий ферритовую пластину нз материала с прямоугольной петлей гистерезиса с восмью отверстиями, прошитыми координатными ббмотками, обмоткой смещения и разрядной обмоткой, отличаюи4ийся тем, что, с целью повышения надежности элемента, отверстия на пластине расположены вдоль одной оси, координатные обмотки и обмотка смещения прошиты соответственно через первое н восьмое, четвертое н пятое, третье и шестое отверстия в противоположных направлениях, а разрядная обмотка прошита через второе и седьмое отверстия в одинаковых направлениях.

Источники информации, принятые во внимание при, экспертизе:

1. .авторское свидетельство по заявке № 2!35944/18 вЂ” 24, кл. G l! С 1Ц08, !9.05.75.