Магнитный запоминающий элемент

Авторы патента:

G11C11/08 - многодырочных, например трансфлюксоров пластин с несколькими отдельными многодырочными элементами памяти (G11C 11/10 имеет преимущство; использование пластин с несколькими отверстиями, в которых каждое отверстие образует отдельный элемент памяти G11C 11/06)

О П И С А Н И Е (11) 586496

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 17.09.75 (21) 2173269/18-24 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет (43) Опубликовано 30.12.77. Бюллетень № 48 (45) Дата опубликования описания 25.01.78 (51) М. Кл. G 11С 11/08

Государственный комитет

Совета Министров СССР па делам изобретений и открытий (53) УДК 628,327.6 (088.8) (72) Авторы изобретения

Е. П. Балашов, А. И. Водяхо, М. Г. Гессен, А. О. Тимофеев и Л. А. Шумилов

Ленинградский ордена Ленина электротехнический иис4иух., им. В. И. Ульянова (Ленина) (71) Заявитель (54) МАГНИТНЫЙ ЗАПОМИНАЮ1ЦИЙ ЭЛЕМЕНТ

Изобретение относится к вычислительной технике и может найти применение в запоминающих устройствах, реализующих неразрушающее считывание информации и работающих в TsliKPJIbIx климатических условиях.

Известны многочисленные запоминающие устройства на ферритовых пластинах, работающие на совпадающих токах, существенным недостатком которых являются жесткие требования к однородности материала пластин и стабильности управляющих токов (1).

Наиболее близким к предложенному является магнитный запоминающий элемент на ферритовой пластине с одинаковыми отверстиями, содержащий расположенные вдоль оси симметрии пластины разрядную и числовую обмотки (2). Недостатком элемента является разрушение информации при считывании.

Целью изобретения является осуществление неразрушающего считывания информации.

Сущность изобретения состоит в том, что элемент содержит дополнительную числовую обмотку, прошитую через второе и третье отверстия в противоположных направлениях, и обмотку восстановления, прошитую через пятое отверстие; числовая обмотка прошита через первое и третье отверстия в противоположных направлениях, а разрядная обмотка прошита через четвертое отверстие, Изобретение поясняется чертежом, где показана конфигурация прошивок для двух расположенных на одной монолитной пластине магнитных запоминающих элементов, Граница между элементами показана штри5 ховой линией. Элемент 1 принадлежит к и-му разряду i-го числа, а элемент 2 в к и-му разряду (i+1)-го числа. Каждый элемент содержит по пять отверстий: отверстия 3, 4, 5, 6 и 7 в элементе 1 и 8, 9, 10, 11 и 12 в элементе 2, 10 которые расположены вдоль оси симметрии, причем желательно, чтобы расстояние между отверстиями 4 и 6 и отверстиями 6 и 7 было как можно меньше. Числовая обмотка 13 прошита через первое и третье отверстия в про15 тивоположных направлениях, разрядная обмотка 14 вЂ” через четвертое отверстие, дополнительная числовая обмотка 15 вЂ” через второе и третье отверстия, а обмотка восстановления

16 вЂ” через пятое отверстие.

20 Считывание информации осуществляется подачей тока считывания 1«. по дополнительной числовой обмотке 15. При считывании «1» по полному гистерезисному циклу перемагничивается слой феррита вокруг отверстий 5, 6 и 7.

25 В качестве выходной обмотки используется разрядная обмотка 13. При считывании «О» необратимых изменений магнитного состояния материала не происходит. Восстановление осу30 ществляется действием тока )носо., причем ток восстановления может быть общим для всех

586496

Формула изобретения

Составитель В. Гордонова

Техред И. Михайлова Корректор T. Добровольская

Редактор Н. Громов

Подписное

Заказ 3168/11 Изд. № 1026 Тираж 738

НПО Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, )К-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр, Сапунова, 2 или для части элементов матрицы. Максимальное быстродействие достигается при чисЛОВОМ 1восст,, ПРИЧЕМ ДВа СОСЕДНИХ ЧИСЛа ДОЛЖны иметь общую обмотку восстановления.

Запись осуществляется в три такта. По первому такту по числовой обмотке 13 подается числовой ток записи У„.. Во втором такте подается 1сч, и разрядный ток 1р для записи «0».

При записи «1» разрядный ток во втором такте не подается. Запись «1» фиксируется в третьем такте подачей тока 1восст..

Существенным преимуществом предлагаемого элемента является обеспечение возможности неразрушающего считывания информации, что позволяет в ряде случаев уменьшить время решения задачи, поскольку отпадает необходимость в перезаписи информации. Другим его важным достоинством является возможность использования числового тока для восстановления.

Магнитный запоминающий элемент, содержащий ферритовую пластину с отверстиями, расположенными вдоль оси симметрии пластины, разрядную и числовую обмотки, отлич а ю шийся тем, что, с целью осуществления неразрушающего считывания информации, он содержит дополнительную числовую обмотку, 10 прошитую через второе и третье отверстия в противоположных направлениях, и обмотку восстановления, прошитую через пятое отверстие; при этом числовая обмотка прошита через первое и третье отверстия в противопо15 ложных направлениях, а разрядная обмоткавЂ” через четвертое отверстие.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство № 452828, кл.

20 G 11С 11/08, 1974.

2. Патент США № 3360787, кл. 340-174, 1971