Устройство для продвижения магнитных доменов
ОП ИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик (11) 591959 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 24.09.73 (21) 1961353/18-24 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 05,02.78. Бюллетень ¹5 (45) Дата опубликования описания Л. 02.78. (51) М. КлР
Я 11С 11/16
Государственный комитет
Совета Министров СССР оо делам изобретений и открытий (53) УДК 681.Д25 .66 (088.8) (72) Авторы изобретения
В. А. Тейерман и Ю. М. Яковлев (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПРОДВИЖЕНИЯ
Ш4ЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ
llONEHOB
Изобретение отчосится к вычислительной технике и может быть использовано при построении устройств хранения и переработки дискретной информации.
Известны устройства для продвижения цилиндрических магнитных доменов (ЦМД), содержащие магнитоодноосную феррит-гранатовую пленку, на которой расположены каналы продвижения ЦМД.
Одно из известных устройств для продвижения ЦМД содержит магнитоодноосную феррит- 1О гранатовую пленку, на которой расположены каналы продвижения ЦМД, ограниченные с двух сторон зонами, подвергнутыми имплантации ионами водорода (1).
Однако изготовление такого устройства)в представляет значительную трудность.
Наиболее близким по технической сущности к изобретению является устройство для продвижения ЦМД, содержащее магнитоодноосную феррит-гранатовую пленку, на которой расположены каналы продвижения цилиндрических20 магнитных доменов, ограниченные с двух сторон непрерывными направляющими элементами с волнообразными краями (2).
Недостатком этого устройства является его низкая технологичность.
Цель изобретения — повышение технологичности устройства — достигается тем, что в устройстве для продвижения ЦМД, содержагцем магнитоодноосную феррит-гранатовую пленку, на которой расположены каналы продвижения ЦМД, ограниченные с двух сторон непрерывными направляющими элементами с волнообразными краями, указанные элементы выполнены в виде тонкого поверхностного слоя магнитоодноосной феррит-гранатовой пленки, в котором часть ионов железа замещена октаэдрическими ионами.
Конфигурация направляющих элементов при этом остается такой же, как в известном устройстве. Однако они оказываются выполненными в виде тонкого поверхностного слоя внутри монокристалла. Химический состав этого поверхностного слоя отличается от состава материалов непосредственно в зоне канала продвижения. Реализация подобной продвигаюшей структуры предполагает использование метода диффузии. Помимо упрощения технологии еще одним преимуществом предложеной структуры каналов продвижения в сравнении со структурой, получаемой методом ионной имплантации, является отсутствие ограничения в выборе материала монокристаллической среды.
591959
Формула изобретения
Составитель IO. Роэеита
Те»рек О. Луговая Корректор II.Макаревич
Тираж VIV Иолписное
Редактор И. Марковская
Закаэ 603/47
I IllIIHAl4 f осу гарсгненн<н н кочюгтета С ни га Министров СССI и > лелям нэобрегеннй н огкрьггнй
1! 3035, Мгн ква. Ж Зб, Раугнская наб, л. 4/З
Филиал Illlll «1!агент», i. Ужгорол, ул Пр >екгнан, 4 э
1fa чертеже схематически изображено устройство для продвижения ЦМД.
Устройство содержит магннтоодноосную феррит-гранатовую пленку 1, íà которои расположены каналы продвижения ЦМД 2, ограниченные с двух сторон непрерывными направляющими элементамн 3 с волнообразными краямн, которые выполнены в виде. тонкого поверхностного слоя, имеющего повышенную в сравнении с зоной канала намагниченность насыщения. Благодаря изменению намагниченности насыщения и наличию определяемых направляющими элементами периодических сужений, в канале создаются последовательные стабильные позиции для ЦМД 4, отделяемые друг от друга энергетическими барьерами. Преодоление доменами энергетических барьеров может быть осуществлено с помощью токовых импульсов, подаваемых, например, по однопроводной токонесущей цепи 5, проходящей через каждую из зон стабильного положения доменов со смещением относительно центра зоны. Разновидностью предложенного технического решения каналов продвижения является структура, полученная в результате понижения намагниченности насыщения магнитоодноосной пленки в зоне самого канала при замещении части ионов железа тетраэдрнческими ионами, например ионами АIэ+ или Ga3+.
Технология изготовления предложенного устройства отличается простотой и может быть реализована в условиях массового производства. Формирование каналов продвижения в монокристаллической пленке феррит-граната заключается в напылении через маску на поверхность пленки (для всех ее участков одновремен% но) металлов или окислов металлов соответствующих элементов и последующей выдержке монокрасталла в печи при температуре !200-1300 С.
Устройство для продвижения цилиндрических магнитных доменов, содержащее магнитоодноосную феррит-гранатовую пленку, на которой расположены каналы продвижения ци1 линдрических магнитных доменов, огранйченные с двух сторон непрерывными направляющими элементами с волнообразными краями, отличающееся тем, что, .с целью повышения технологичности устройства, непрерывные направляющие элементЫ выполнены в виде тонкоЮ го поверхностного слоя магнитоодноосной фер- рит-гранатовой пленки, в котором часть ионов железа замещена октаэдрическими ионами, Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:
1. К. Wolfe at al. «AIP Conf. Ргос». № 10, ® 1973, р. 339.
2. Смоленский Г. Л, и др. «Микроэлектроника», т. 1, вып. 2, 1972, с. 106.
