Ионная пушка

 

Союз Советскии

Социалистические

Республик

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДВТВЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свил-ву (22) Заявлено 20, ) 2.76 (21) 2431012/18-25 с присоединением заявки ¹ (23) Приоритет (43) Опубликовано 15. 12.78.Бюллетень №46 (46) 13ата опубликования описания 18.12.78

Государственный коинтет

Совета MNHNcTp08 СссР по делам изобретений и открытий .

В. М. Быстрицкий, Я. Б. Красик, В. И. Подкатов, В. Г. Толмачева и К1. П. Усов (72) Авторы изобретения

Научно-исследовательский институт ядерной физики, электроники и автоматики при Томском ордена Октябрьской Революции и ордена Трудового Красного Знамени политехническом институте им. С. М. Кирова (71) Заявитель (84) ИОННАЯ ПУШКА!

Изобретение относится к ускорительной технике и может быть использовано дпя получения сипьнопоточных ионных пучков.

Известны ионные пушки, состоящие из соленоида, создающего импульсное 5 магнитное попе, внутри которого размещены двойной диод, имеющий два катода, и общий анод, выполненный из металла и водородсодержашего материала. В качестве водородсодержашего материала исполь 1О зуют нейлоновые сетки большой прозрачности.

Однако в известных ионных пушках отмечается малая плотность плазмы и, соответственно, низкая плотность ионного тока.

Наиболее близким к изобретению техническим решением является ионная пушка, содержащая соленоид и отражатель ный триод, состоящий из катода и анода, выполненного из металла и водородсодержашего материала. В этой пушке имеется один катод и один анод, выпоп2 ненный в виде кольца с проволочками, на которые натянут водородсодержаший материал в виде тонкой полиэтиленовой фольги.

Но у такой пушки низок ресурс из-за малой стойкости анода.

Hemü изобретения - повышение ресурса источника.

Это достигается тем, что анод samoaнен в виде анодного блока, составленного из двух металлических пластин, с заключенной между ними прокладкой из водорсдсодержашего материала, в метапннческих пластинах и водородсодержащей прокладке выполнены сквозные отверстия таким образом, что водородсодержащая прокладка эквидистантио выступает за края отверстий в металлических пластинах, причем в прокладке со стороны отверстий радиально установлены металлические игпьь

Кроме того, в катоде вйпопнены выо тупы, обращенные к аноду, с отверстиями, совпадающими по форме и расположению с отверстиями в аноде.

605480

На чертеже схематично изображена предпагаемая ионная пушка.

В сопеноид 1 помещен отражательный триод 2, состоящий из высоковопьтного ввода 3, IIB котором укреплен анод„вы- 5 попненный из двух метаппических дисков

4 и 5 и зякпюченпой между ними прокпадки 8 из водородсодержащего материала с

Отверстиями, с внутренней поверхности которых введены игпы 7, В катоде, выпоп- 10

1лен11ом в BHgB метя ппического диска 8 с выступами 9, имеются отверстия, Причем форма выступов и отверстий в катоде повторяет форму и ряспопожение отверстий в анодном бпоке. 15

Ио1пгая пушка работает спедующим образом.

При подаче попожитепьного высокоBAIIbTB0I G импУпьса HB анод II ОдновРеменно с подачей импупьса тока на сопеноид 1 2О по внутренней поверхности отверстий в прокпадке,б из водородсодержящего материапа происходит пробОй между диска мп 4 и 5 и иглами 7. Пробой обусповпен разпичием B скорости распространения

ЭПЕКТРОМЯ1 НИТНОЙ ВОПНЫ B МЕТЯППЕ И д и э пе к ч р и к е, Б результате пробоя образуется поверхпостпый спой ппазмы, распространяющейся внутрь отверстий и играющей ропе ппазменного анода. Зммллтпруемые с каT0gQ ЭПЕКТРОНЫ МНОГОКРЯТНО ПРОХОДЯТ через созданный ппязменный анод» сОвер шяя копебяния между катодом и виртуаш ным катодом, и нейтрапизуют анод - ка годный зазор. Вытягиваемые эпектричесК1л м 11 оде м IIG и паз мы EoBbI 06PBG IoT gBB пучка, двигяюц1иеся в противопопожных направпениях к прорезям в катоде, через которые они выводятся из отражательного триода.

Наличие выступов в катоде и соответствие отверстий в нем по форме и распопожению отверстиям в аноде повышают эффективность процесса экстракции ионов.

В предлагаемой конструкции ионной пушки снижается поток электронов, выпадающих на анод, что снижает его температуру и повышает ресурс.

Формула изобретения

1. Ионная пушка, содержащая сопеноид и отражатепьный триод, состоящий из катода и анода, выпопненного из метаппя и водородсодержащего материала, о ти и ч а ю щ а я сятем,,что,,с целью повышения ресурса источника, анод вынопнен в виде анодного бпока, составпенного из двух метяппических ппастин с закпюченной между ними прокпадкой из водородсодержащего материапа, в метаппических пластинах и водородсодержащей прокпадке выполнены сквозные отверстия таким образом, что водородсодержащая прокпадка эквидистантно вь1ступает за края отверстий в метаппических ппастинах, причем в прокпадке со стороны отверстий радиапьно установлены металлические игпы.

2, Ионная пушка по и. 1, о т и ичающаяся тем,чтовкатодевыпопнены выступы, обращенные к аноду, сотверстиями,,совпадающими по форме и распопожению с отверстиями в аноде.

605-jRA

Составитель B. Обухов

Редактор Т. Коподцева Техред Ю. Ниймет Корректор Н. Зопотовская

Заказ 7142/49 Тираж 918 Подписное

БНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Рауаскаа наб., д. 4/5

Фипиап ППП "Патент, г. Ужгород, уп. Проектная, 4

Ионная пушка Ионная пушка Ионная пушка 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области медицины, а именно к области систем и способов управления положением медицинских систем лучевой терапии относительно аппликатора

Изобретение относится к области электротехники, в частности к травильным камерам с плазмой высокой плотности

Изобретение относится к устройствам электронно-лучевой технологии, а точнее к электронным пушкам для электронно-лучевого нагрева, плавки и испарения материалов в вакууме или среде реактивных газов

Изобретение относится к лесному хозяйству и может быть использовано в лесоводстве для подготовки семенного материала к посеву, в частности для стимулирования проращивания семян хвойных деревьев

Изобретение относится к области металлургии цветных металлов и может быть использовано при производстве распыляемых металлических мишеней для нанесения тонкопленочной металлизации СБИС различного назначения в микроэлектронике
Изобретение относится к области производства распыляемых металлических мишеней для микроэлектроники
Изобретение относится к металлургии высокочистых металлов, конкретно - к производству распыляемых металлических мишеней для микроэлектроники

Изобретение относится к области электротехники, в частности к устройству подготовки поверхности образца и камеры для последующих воздействий и анализа, и может быть использовано в высоко- и сверхвысоковакуумных установках для анализа или исследования твердых тел
Наверх