Способ определения долговечности свч-диодов

 

616596

Формула изобретения

ЦНИИПИ Заказ 4061/43 Тираж 1112 Подписное

Филиал ППП Патент, r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Ц вЂ” постоянная форсирования рассчитанная по результатам ступенчатых испытаний; р - мощность в форсированном режиме, устанавливаемая в диапазоне от

1и до ярк(рм рч — ярк); где Р,„- критическое значение рассеиваемой мощности, определяемое по результатам ступенчатых.испытаний, равное рассеива» емой мощности той,ступени, на которой зафиксирован первый отказ — основание натурального логарифма.

Сущность предлагаемого способа состоит в том, что длительность ис- . пытаний в форсированном режиме по отношению к длительности испыта ний в нормальном режиме t„ уменьшается в Р,Р раз. Данная величина называется коэффициентом форсирования.

Между величинами Р, t.„ Є, Р, N a следующие математические соотношения

L bРя) н

Для установленной рассеиваемой электрической мощности 1 по конк.ретному типу СВЧ-диодов, определив

Ь и п,р, а также проведя испытание в течение времени t в данном режиме при температуре корпуса диодов

25+10 С, с помощью выражений (1) и (2) оценивают долговечность 4„ °

Последовательность оценки долговечности (t „ ) следующая.

На одной партии конкретного типа

СВЧ-диодов при постоянной температуре корпуса диода, равной 25+10 С, и ступенчато увеличивающейся рассейваемой мощности проводят ступенчатые испытания. Перед каждой ступенью испытаний измеряют параметры-критерии годности диодов. Эти параметры заносят в протокол. Длительность ступени должна обеспечивать установление теплового режима прибора. На первую ступень подают мощность, равную ее нормальному значению. Испытания продолжают до первого отказа.

Затем по приведенным выше формулам определяют коэффициент форсирования и проводят при форсированной мощности испытания до получения заданного количества отказов. Время до наступления заданного количества отказов соответствует долговечности прибора.

Способ определения долговечности

СВЧ-диодов путем подачи на приборы непрерывной электрической мощности, превышающей номинальную, при температуре корпуса 25+10 С и выдержки ее до наступления отказа заданного

10 количества приборов, о т л и ч а ю-. шийся тем, что, с целью сокращения длительности испытаний, предварительно определяют коэффициент форсирования мощности по„результатам

)5 кратковременных воздействий íà IlpH» бор электрической мощностью ступенчато возрастающего значения, длительность ступени определяется постоянной времени прибора, а разница в амплитуде соседних ступеней не превышает

20% значения номинальной мощности, при этом долговечность определяют по формуле н пч> Р где, — коэффициент форсирования электрической мощности (n =0 4>+4)

Т

t — время проведения испытаний в форсированном

30 режиме;

t — долговечность диодов

Й,р= — - 1 — относительное приращеН

Рн ние электрической мощности)

35 Р„ — рассеиваемая мощность при номинальном режиме1 — постоянная форсирования, рассчитанная по результатам ступенчатых

40 испытаний;

Р— мощность в форсирован Р ном режиме, устанавливаемая в диапазоне от Р„ д Р (P„< Р Р ), 45 где Р »- критическое значение рассеи.ваемой мощности, определяемое по результатам ступейчатых испытаний равное рассеиваемой мощности той ступени, на. которой зафиксирован первый

50, отказ е - основание натурального

У логарифма.

Источники информации, принятые. so внимание при экспертизе:

1. Гост 18349-73.Диоды полупровод-55 никовые, сверхвысокочастотные.

2. Авторское свидетельство СССР

9 490047, кл. G 01 Р. 31/26, 31.03.76.

Способ определения долговечности свч-диодов Способ определения долговечности свч-диодов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх