Способ отбраковки мощных транзисторов

Авторы патента:

КЕРНЕР БОРИС СЕМЕНОВИЧ

РУБАХА ЕФИМ АРОНОВИЧ

СИНКЕВИЧ ВЛАДИМИР ФЕДОРОВИЧ

G01R31/26 - испытание отдельных полупроводниковых приборов (измерение содержания примесей G01N)

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советсквп

Социалистических

Республик (11) 619877 (61) Дополнительное к авт. свид-вувЂ” (22) Заявлено 01,10.76 (21) 2408855/18 вЂ” 25 с присоединением заявки РЙ (23) ПриоритетвЂ” (43) Опубликовано1508.78. Бюллетень № 30 (45) Лата опубликования описания 060778 (51) М. Кл.

ЦЧ)1 к 31/26

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (53) УЛК

621.382.3 (088.8) (72) Авторы изобретения (71) Заявитель (54) СПОСОБ ОТБРАКОВКИ МОЩНЫХ

ТРАНЗИСТОРОВ и сложной инфракрасной техники, кроме того скорость отбраковки ограничивается временем разогрева исследуемой структуры.

Известен также способ контроля транзисторов, заключающийся в измерении статических характеристик транзистора и сравнении их с эталонными (2) .

Однако этот способ не позволяет надежно выявить дефектные приборы, так как для этого необходимо снять несколько различных зависимостей и при разных режимах.

Целью изобретения является повышение скорости и эффективности отбраковки.

Это достигается тем, что по предлагаемому способу при заданном постоянном токе эмиттера измеряют статическую зависимость напряжения между эмиттерным и базовым выводами от на пряжения между эмиттерным и базовым выводами от напряжения между базовым и коллекторным выводами транзисторной

:структуры и о неисправности транзистора судят по наличию перегиба на данной зависимости.

Способ отбраковки мощных транзисторов опробован на транзисторах типов

КТ904 и КТ912.

Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к способам контроля полупроводниковых приборов, и может быть использовано для отбраковки мощных транзисторов с де- 6 фектами, которые приводят к неоднородному распределению тока.

К таким дефектам в первую очередь следует отнести наличие пустот -в эвтектике под кристаллом, неоднородность10 стабилизирующих сопротивлений, а также сопротивления в области омических контактов эмиттера и базы. Наличие этих дефектов приводит к неоднородному распределению тока и существен- 15 но снижает надежность мощности транзисторов.

Известен способ контроля и отбраковки мощных транзисторов с неоднородным ,распределением тока, заключающийся в 20 контроле инфракрасного излучения, исходящего от полупроводниковой структуры fl) . В местах повышенной плотности тока, т. е. в дефектных неоднородных структурах, тепловое излучение превышает фоновое, что позволяет находить потенциально ненадежные прибоPbl, Однако этот способ может быть осуществлен только при наличии дорогой

Б. С. Кернер, Е. A. Рубаха и В. Ф. Синкевич

Способ определения температуры плавления эвтектики полупроводника и металла // 616598

Устройство для определения параметров барьерных емкостей р- п переходов // 616597

Способ определения долговечности свч-диодов // 616596

Устройство для измерения нестабильности электрических параметров полупроводниковых приборов // 615433

Устройство для измерения крутизны полевого транзистора // 615431

Способ измерения емкости коллекторного перехода транзистора // 611163

Устройство для измерения характеристических токов и напряжений туннельных диодов // 603925

Устройство для многократных испытаний полупроводниковых приборов на вторичный пробой // 603924

Устройство для измерения параметров рассеяния транзисторов // 601638

Способ измерения падения напряжения на полупроводнике в мдпдм-структуре и устройство для его осуществления // 2101720

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Устройство для определения электрофизических параметров полупроводниковых пластин // 2101721

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Способ контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления элементов с вольтамперной характеристикой s-типа и устройство для его осуществления // 2105989

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Устройство для определения качества изготовления тиристоров // 2112989

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2112990

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Способ определения поверхностного изгиба зон полупроводника s в мдп-структуре // 2117956

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Устройство и способ измерения поверхностного сопротивления полупроводниковых пластин // 2121732

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2128349

Устройство для контроля светодиодов // 2130617

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Устройство диагностирования тиристорного преобразователя // 2133042

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим