Полупостоянное запоминающее устройство

 

-A " - ч зефя о,-., Фнйу рт ц

ОП И

ИЗОБРЕТЕНИЯ пц 622И

Союз Соеетских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 23.03.77 (21) 2465665/18-24 с присоединением заявки № (23) Приоритет (51) М. Кл. G 11C

17/02

Госудерстееиный комитет

Совета Министрое СССР по делам изобретений

1 н открытий (43) Опубликовано 30.08,78. Бюллетень № 32 (45) Дата опубликования описания 31.07.78 (53) УДК 681.327.66 (088.8) (72) Авторы изобретения

3. И. Аукштуолис и И. С. Левитас (71) Заявитель

Ордена Трудового Красного Знамени институт физики полупроводников АН Литовской ССР (54) ПОЛУПО СТОЯ Н НОЕ ЗАПОМИ НАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении устройств хранения дискретной информации.

Известны полупостоянные запоминающие 5 устройства (ППЗУ), содержащие карту с ячейками, отличающимися своими магнитными сопротивлениями, и магниточувствительные элементы (1, 2).

Одно из известных ППЗУ содержит сис- 10 тему управления, выполненную в виде плоского элемента с ячейками, которые отличаются магнитным сопротивлением, и устройство трансляции данных, предназначенное для обнаружения их неоднородностей в 15 заданных ячейках и формирования соответствующих сигналов. В устройство трансляции данных входит несколько индуктивных элементов, каждый из которых ограничивает два контура магнитного потока и со- 20 держит систему наведения потока в указанных контурах и систему считывания сигналов. Выходные сигналы с системы считывания изменяются в соответствии с изменениями магнитного сопротивления в указан- 25 ных контурах потока (1).

Недостаток такого устройства состоит в том, что система управления, которая является частью контуров магнитного потока, изменяет магнитное сопротивление конту- 30 ров, вызывающее электрический сигнал только дополнительно к среднему уровню сигнала.

Наиболее близким техническим решением к изобретению является ППЗУ, которое содержит, как и предложенное, карту с ячейками из ферромагнитного и неферромагнитного материалов, магниточувствительные элементы, расположенные с одной стороны карты, и исполнительный блок (2).

Однако это устройство имеет низкую помехоустойчивость, что требует компенсации помехи нуля схемными элементами.

Цель изобретения — повышение помехоустойчивости и чувствительности ППЗУ.

Поставленная цель достигается тем, что в

ППЗУ введены источники переменного магнитного поля и разделительные элементы, источники переменного магнитного поля расположены с другой стороны карты и магнитно связаны с магниточувствительными элементами, подключенными через разделительные элементы к исполнительному блоку.

Источники переменного магнитного поля выполнены в виде встречно соединенных катушек с концентраторами магнитного потока.

Схема предложенного ППЗУ представлена на чертеже.

622171

Устройство содержит источники переменного магнитного поля в виде встречно соединенных катушек 1 с концентраторами 2 магнитного поля, карту 3 с ячейками из ферромагнитного и неферромагнитного материалов и магниточувствительные элементы 4. Магниточувствительные элементы 4 расположены с одной стороны карты 3, а источники переменного магнитного поля— с другой ее стороны. Магниточувствительные элементы подключены через нагрузочные резисторы 5 к источнику 6 питания и через разделительные элементы 7 к исполнительному блоку 8.

Работает устройство следующим образом.

Переменное магнитное поле, создаваемое катушкой 1 с концентраторами 2, проходящее через ячейку из неферромагнитного материала карты 3, воздействует на соответствующий магпиточувствительный элемент 4 и вызывает появление переменной составляющей падения напряжения с частотой магнитного поля, которая, отделенная от постоянной составляющей тока питания (обусловливающей дрейф нуля), через разделительный элемент 7 поступает к исполнительному блоку 8. В тех ячейках, в которых имеется ферромагнитный материал, магнитное поле замыкается в нем и практически не оказывает воздействия на соответствующий магниточувствительный элемент.

При этом сигнал на выходе отсутствует.

Встречное включение катушек создает фокусировку локальных магнитных полей, что уменьшает уровень помехи нуля и увеличивает чувствительность устройства.

Таким образом, введение разделительных элементов и сточников переменного магнитного поля в ви;:.,: встречно соединенных катушек с узконаправленными магнитными потоками повышает помехоустойчивость и чувствительность устройства.

Формула изобретения

10 1. Полупостоянное запоминающее устройство, содержащее карту с ячейками из ферромагнитного и неферромагнитного материалов, магниточувствительные элементы, расположенные с одной стороны карты, и

15 исполнительный блок, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения помехоустойчивости и чувствительности устройства, оно содержит источники переменного магнитного поля и разделительные элементы, источ20 ники переменного магнитного поля расположены с другой стороны карты и магнитно связаны с магниточувствительными элементами, подключенными через разделительные элементы к исполнительному блоку.

25 2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что источники переменного магнитного поля выполнены в виде встречно соединенных катушек с концентраторами магнитного потока.

30 Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент СШЛ № 3358124, кл, 235 — 61, 12.03. 66.

2. Авах Ю. К. Полупостоянные запоми35 нающие устройства с механической сменой информации, изд-во «Энергия», 1973, с. 91.

Редактор И. Грузова

Составитель Ю. Розенталь

Телред О. Тюрина

Корректор О. Тюрина

Заказ 1463/11 Изд. ¹ 569 Тираж 692

НПО Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Подписное

Полупостоянное запоминающее устройство Полупостоянное запоминающее устройство Полупостоянное запоминающее устройство 

 

Похожие патенты:
Наверх