Формирователь импульсов на мдптранзисторах

 

(72) Авторы изобретения

E. И. Андреев и Е. A. Жуков (7I) Заявитель

{54) ФОРМИРОВАТЕЛЬ ИМПУЛЬСОВ НА МДП ТРАНЗИСТОРАХ

Изобретение относится к области импульсной техники и может быть использовано при построении усилителей на МППтранзисторах.

Известны формирователи импульсов на

MQIT-транзисторах, содержащие трехтран5 эисторный инвертор и двухтактный усилитель, причем выход инвертора через конденсатор соединен с выходом усилителя (lj

Недостатком известного формирователя

30 является низкое быстродействие.

Наиболее близким техническим решением к изобретению является формирователь импульсов íà МДП-транзисторах, содержащий транзисторы и конденсатор, причем истоки первого и второго транзисто15 ров подключены к общей шине, их стокисоответственио к истокам третьего и четвертого ".ранэисторов, стоки четвертого.и пятого транзисторов подключены к шине питания, затворы первого и второго транзисторов - к входной шине, затвор и сток третьего транзистора подключены к истоку пятого транзистора и через конденсатор к точке соединения стока второго и истока четвертого транзисторов(2 j.

Недостатком данного формирователя является большая длительность фронта нарастания напряжения на его выходе, что обусловлено малой величиной напряжения предварительного заряда конденсатора.

Белью изобретения является повышение быс тродействия.

Это достигается тем, что в фармирова тель импульс ов на МДП-транзисторах введены три транзистора и конденсатор, причем исток шестсго транзистора подключен к обшей шине, его сток - к истоку седьмого транзистора, а затвор - к точке соединения стока первогс и истока третьего транзисторов, стоки седьмого и восьмого транзисторов соединены с шгной питания и с затвором восьмого транзистора, затвор седьмого тран,"zcrcpa соединен с затвором пятого транзистора, Rc током восьмого транзистора и через дополнительный конденсатор со стоком ше. -. го транзястора.

668092

-3

На фиг. 1 представлена принципиальная электрическая схема формирователя импульсов на МЙП-транзисторах; на фиг. 2представлены эпюры напряжений в узлах схемы.

Формирователь импульсов сопержит

МЛП-транзисторы 1-8, конденсаторы 9, 10, входную шину 11 и выходную шин 12

Устройство работает следующим образом.

Когда на входе 11 устройстваимеется <@ высокий потенциал, транзисторы 1 и 2 orкры ты и на их с токах низкий и отенпиал.

При этом транзистор 6 заперт и напряжение на его стоке равно напряжению питания Е. Так как конденсатор 10предварительно заряжен от источника питания через транзистор 8, напряжение на его второй обкладке равно 2Е-Опо,(фиг. 2), гпе

Ц - пороговое напряжение МДП-транзиспор тора, Такое напряжение цоэволяет пол- >6 ностью отпереть транзистор 5 и зарядить конденсатор 9 формирователя до напряжения E.

Когда на вход 11 формирователя поступает низкий ypoaehb напряжения, тран- И знсторы 1 и 2 запираются, напряжение на стоке транзистора 1 возрастает и при напряжении, равном Орар отпира отся транзисторь 4 и 6, напряжение на затворе транзистора 5 уменьшается до величины

Е-0<ори транзистор 5 запирается, а конденсатор 9 подключается через открытый транзистор 3 между истоком и затвором транзистора 4 усилителя и отпирает его.

Напряжение на выходе устройства нарас33 тает от 0 до Е, а на истоке транзистора 5- от Е до 2Е.

Таким образом, в результате увеличения напряжения предварительного заряда кон пенса тора уменьшается длительность

/ перепнего фронта импульса формирователя.

Формула изобретения

Формирователь импульсов на МДПтранзисторах, содержаший транзисторы N конденсатор, причем истоки первого и второго транзисторов подключены к обшей шине, стоки первого и второго транзисторов подключены соответственно к истокам третьего и четвертого, транзисторов, стоки четвертого и пятого транзисторов подключены к шине питания, затворы первого и второго транзисторов подключены к входной шине, затвор и сток третьего транзистора попключены к истоку пятого транзис» тора и через конденсатор к точке соединения стока второго и истока четвертого транзисторов, о т л и ч а и ш и и с я тем, что, с целью повышения быстродействия, в него вве пены три транзистора и дополнительный конденсатор, причем исток шестого транзистора подключен к обшей шине, его сток - к истоку седьмого транзистора, а затвор - к. точке. соединения стока первого и истока третьего транзисторов, стоки седьмого и восьмого транзисторов соединены с шиной питания и с затвором восьмого транзистора, затвор седьмого транзистора соединен с затвором пятого транзистора, истоком восьмого транзистора и через пополнительный конденсатор со стоком шестого. транзистора.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР

М 333683, кл. Н 03 К 3/33, 1972.

2. Авторское с ви де тельс т во С СС Р

N 420125, кл. Н 03 К.19/08,. 19 (2

ZE- Unop /5

Составитель B. Выговский

Редактор Т. 10рчикова Техред О. Андрейко Корректор А. фиденко

Заказ 34 84/5 1 Тираж 1059 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб,, д. 4/5

Филиал ППП "Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Формирователь импульсов на мдптранзисторах Формирователь импульсов на мдптранзисторах Формирователь импульсов на мдптранзисторах 

 

Похожие патенты:

Инвертор // 661804

Инвертор // 615604

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в радиоэлектронных устройствах различного назначения, в частности, в усилительных устройствах, импульсных устройствах, автогенераторах

Изобретение относится к электронным интегральным схемам типа, содержащего способные образовывать логические схемные структуры

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при создании конструкций логических комбинированных Би-КМОП сверхбольших интегральных схем (СБИС) со сверхмалым потреблением мощности

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при создании конструкций логических сверхбольших интегральных схем (СБИС) со сверхмалым потреблением мощности
Наверх