Способ измерения пробивного напряжения между эмиттером и коллектором транзисторов при повышенной температуре

 

Союз Советских

Социалистииеских

Республик

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕ Н ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ;

I I I 1669300 (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 22.02.74 (21) 2000104/24-25 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет— (51) М. Кл 2.

G 01 R 31/26

Государотеенный каметет

СССР по делам нзобретеннй н открытнй (53) УДК 621.382..2 (008.8) Опубликовано 25.06.79. Бюллетень № 23

Дата опубликования описания 05.07.79 (72) Авторы изобретения

Н. И. Пиняев и П. Ф. Порубай (71) Заявитель (54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ПРОБИВНОГО НАПРЯЖЕНИЯ

МЕЖДУ ЭМИТТЕРОМ И КОЛЛЕКТОРОМ ТРАНЗИСТОРОВ

ПРИ ПОВЫШЕННОИ ТЕМПЕРАТУРЕ

Изобретение относится к производству полу llpoI303ни ковых llpHoopoB H может (il>I fh использова1ю для разораковки транзисторов по пробивному напряжению.

Известен способ 11змсрени я проон шгого напряжения (ве)3ен между эмнттером, коллектором тра нзисторов (! j . Однако этот способ позволяет определять 1((ое>сер лишь при температуре окружающей среды.

Известен способ определения 1ее)с о при повышенной температуре путем измерения коллекторного напряжения при заданных уровнЕ коллекторного тока и сопротивлении, шунтирующем эмиттерный переход (2). Однако его недостатками являются высокая трудоемкость и низкая производительность, связы11ные с установкой испытуемых транзисторов в термокамере и с установлением теплового равновесия внутри нее.

Целью изобретения является упрощение измерений и повышение производительности.

Это достигается тем, что воздействие температуры моделируется путем задания в базовой цепи постоянного тока от внешнего источника, величина которого определяется при испытании эталонного транзисторы и поддерживается постоянной для данногэ типы транзисторы.

Кык прывило, начало пробоя определяют услов11о, например прп токе коллектора Iс ==- 10 )со!!со — I è÷à(IüHI.Ié ток коллектора).

При:.iIApcI I III I Ix реек и ма х измерений э м11ттерный переход заперт и коэффициент передачи по току с{.— 0. т. с. усилительные свойств ва транзисторов не сказываются на величине

1)(ве)се на данном уровне !с. Нагрев уменьшает прямое паде1ше на р-п персходс. Ток от внешнего источника, протекая через эмиттерный переход и (в основ1гом) через сопротивление, включенное между базой и эмпттером, смещает эмиттерный переход в прямом направлении, что эквивалентно воздействию температуры. Поэтому ток от внешнего источника !ге„, задаваемый в базовой цепи, является мерой моделируемой температуры.

Соответствие между температурой Т1 и

I „= I устанавливается опытным путем посредством измерения известным способом для одного транзистора данного типа зависимостей (--)(ве)сей = (T) и U

Формула изобретения

Составитель И. Гуляев

Редактор О. Степина Техред О. Луговая Корректор Е. Папи

Заказ 3653/37 Тираж 1089 Подписное

ЦН И И П И, Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

I l 3035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал П П П «Патент», г. Ужгород, ул. Проектная, 4 (То — комнатная температура) с помощью соотношения (--(Вя)си /ттъ д,««о U(BR)cER/т=чв>эг«н = >t

На чертеже показана электрическая структурная схема устройства для реализации предлагаемого способа.

Устройство содержит контактную колодку с клеммами 1,2,3 для подключения выводов коллектора, базы и эмиттера соответств(нно, генератор 4 импульсов испытательного напряжения, измеритель 5 напряжения пробоя, эталонный резистор 6, пороговое устройство 7, ус ил ител ь 8, модели рую щи и блок 9, базовый резистор (RS) 10.

Моделирующий блок 9 создает ток в базовой цепи. От генератора 4 испытательные импульсы подаются на коллектор транзис- <5 тора. При достижении I заданной величины срабатывает пороговый элемент 7, выходной сигнал которого усиленный усилителем 8, поступает на управляющие входы генератора 4 и измерителя 5. (lри этом фиксируется

20 напряжение пробоя и снимается испытательное напряжение.

Г!рименение предлагаемого способа позволяет снизить трудоемкость и затраты электроэнергии, и также повысить производительность измерений (!гвму „при повышенной температуре.

Способ измерения пробивного напряжения между эмиттером и коллектором транзисторов при повышенной температуре путем измерения коллекторного напряжения при заданных уровне коллекторного тока и сопротивлении, шунтирующем эмиттерный переход, отличающийся тем, что, с целью упрощения измерений и повышения производительности, воздействие температуры на прибор моделируется путем задания в базовой цепи постоянного тока от внешнего источника, величина которого определяется при испытании эталонного транзистора и поддерживается постоянной для данного типа транзистора.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе ! . Авторское свидетельство СССР

Л0 307360, кл. G 01 R 31/26, 21.06.71.

2. ОСТ 1!а АО,336.01! -72.