Формирователь задержанных импульсов

 

О П И СА Н Й-"- -Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советскик

Социалистических

Республик т790203

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (51)М. Кл з

Н 03 К 5/13 (22) З,я,„,„о 121173 (21) Лб8ЭЭ5|18-21 с присоединением заявки Нов (23) Приоритет—

Опубликоваио231280., Бюллетень Йо 47

Дата опубликования описания 23,1280

Государственный комитет

СССР ио делам изобретений и открытий (53) УДК 621.374.3 (088,8) (72) Автор изобретения

В. И, Турченков (71) Заявитель (54) ФОРМИРОВАТЕЛЬ ЗАДЕР)((АННЫХ ИМПУЛЬСОВ

Изобретение относится к радиоэлектронике и может быть использовано для формирования мощного импульса, задержанного относительно заднего фронта входного импульса.

Известно устройство задержки .импульсов, выполненное на резисторах, конденсаторах и динисторе (1), Недостатком известного устройства является низкая стабильность формируемого интервала времени задержки.

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является формирователь задержанных импульсов, содержащйй положительйый: конденсатор и йоследовательно соединенные зарядный резистор и динистор (2).

Недостаток такого устройства также заключается в нестабильности времени задержки, обусловленной большим разбросом напряжения включения динисторов.

Цель изобретения — повышение стабильности задержки.

Поставленная цель достигается тем, что в устройство введены транзистор, эмиттер и коллектор которого через диоды подключены к катоду диодного тиристора (динистора), дополнительный источник напряжения пи тания, подключенный через резисторы к коллектору и базе транзистора, источник опорного напряжения, подключенный через диод к базе транзистора и диод, подключенный между нагрузкой и точкой соединения зарядного резистора и анода диодного тиристора, причем накопительный конденсатор подключен между эмиттером транзистора и общей шиной.

На фиг. 1 изображена принципиальная электрическая схема формирователя задержанных импульсов; на фиг. 2 — эпюры входного и выходного

15 сигналов.

Устройство содержит транзистор

1 в коллекторной и эмиттерной цепях которого включены диоды 2 и 3, а в базовую цепь через диод 4 включен

20 источник 5 опорного напряжения. Между эмиттером транзистора 1 и общей шиной б подключен накопительный конденсатор 7. Зарядный резистор 8 подключен (одним выводом к источнику

9 входных импульсов, а другим выводом через диодный тиристор 10 - к обьединенным анодам диодов 2 и 3.

Коллектор и база транзистора 1 подключены соответственно через резис30 торы 11 и 12 к источнику 13 напряжел

790203 ния питания. Нагрузка, подключаемая к клеммам 14, связана через диод 15 с анодом диодного тиристора 10, в качрстве которого можно использоватЫ любой прибор, включаемый по приложенному к нему напряжению, например динистор, либо маломощный тиристор, у которого управляющий электрод через стабилитрон соединен с анодом.

Устройство работает следующим образом.

При поступлении на вход устройства импульса напряжения положительной полярности открывается диодный тиристор 10. Конденсатор 7 заряжается через резистор 8, диодный тиристор 10 и диод 3 до величины, определяемой резисторами 8, 11, 12 и величинами напряжения источника 13 питания и источника 9 входного сигнал а.

По мере заряда конденсатора 7 напряжение на эмиттере транзистора о

1 возрастает . Тран зи стор 1 насыщен за счет тока, протекающего через резистор 12 от источника 13 напряжения питания.

Если теперь в некоторый моглент1,( йонизится уровень напряжения источника 9, то, вследствие того, что напряжение на конденсаторе 7 не может быстро уменьшиться, диод 3 оказывается под обратным напряжением, и ток через него и диодный тиристор

10 становится близок к нулю, вследствие чего диодный тиристор 10 переходит в состояние малой проводимости. Конденсатор 7 начинает разряжаться. током эмиттера насыщенного транзистора 1. Процесс перезаряда конденсатора 7 будет происходить до тех пор, пока напряжение на верхней

его обкладке, а, следовательно, и на базе транзистора 1, не изменит своего знака с положительного на отрицательный и не достигнет величины опорного напряжения источника 5.

Транзистор 1 начнет подзапираться, и напряжение на его коллекторе и, следовательно, на катоде диодного тнристора, начнет резко падать (возрастать по модулю), что приведет (при достижении этим напряжением величины напряжения включения диодного тиристора) к включению диодного тиристора 10, обеспечивающего подключение к выходным клеммам 14 (через диод 15) отрицательного потенциала верхней обкладки конденсатора

7.

Конденсатор 7 разряжается через сопротивление нагрузки, формируя выходной импульс (t ) .

5$

После очередного увеличения уровня входного напряжения источника 9 конденсатор 7 вновь зарядится через резистор 8, диодный тиристор 10, диод 3 до уровня напряжения источника 9.

Транзистор 1 находится все время в режиме насыщения, эа исключением небольшого времени, когда напряжение его эмиттера достигает уровня источника 5 опорного напряжения. При этом максимальное напряжение коллектор-эмиттер составит разность между напряжением включения диодного тиристора 10 и опорного напряжения источника 5, В связи с этим транзистор

1 работает при любой величине напряжения источника 9 входных импульсов и напряжения источника 13 питания.

Это одно из достоинств данной схемы формирователя задержанных импульсов большой амплитуды, выполненного на основе диодного тиристора, характеризующегося высокой стабильностью формируемого; време и задержки, которое в данном случае не зависит от параметров диодного тиристора .

Время з адержки можно регулировать, изменяя величину напряжения источника 5.

Таким образом, данное устройство обеспечивает формирование стабильного и легко регулируемого времени задержки Т>.

Формула изобретения

Формирователь задержанных импульсов, содержащий накопительный конденсатор и последовательно соединенные зарядный резистор и диодный тиристор, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности задержки, в него введены транзистор, змиттер и коллектор которого через диоды подключены к катоду диодного тиристора, дополнительный источник напряжения питания, подключенный через резисторы к коллектору и базе транзистора,, источник опорного напряжения, подключенный через диод к базе транзистора, и диод, подключенный между нагрузкой и точкой соединения зарядного резистора и анода диодного тиристора, причем накопительный конденсатор подключен между эмиттером транзистора, и общей шиной.

Источники информации, принятые во внима%йе при, экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР

9 231605> кл, Н 03 К 5/13, 1966, 2. Авторское свидетельство СССР

9 308497, кл. Н 03 К 3/335, 1970 (прототий).

790203

Составитель И. Горелова

Техред Е,Гаврилешко Корректор Г. Решетник

Редактор Г.Волкова

Тираж 995 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам иэо6ретений и открытий

ll3035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Заказ 9068/61

Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4