Способ капсулирования деталейрадиоэлектронной аппаратуры


H01L29/28 - Полупроводниковые приборы для выпрямления, усиления, генерирования или переключения, а также конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них (H01L 31/00-H01L 47/00,H01L 51/00 имеют преимущество; способы и устройства для изготовления или обработки приборов или их частей H01L 21/00; конструктивные элементы иные чем полупроводниковые приборы или электроды для них H01L 23/00; приборы, состоящие из нескольких компонентов на твердом теле, сформированные на одной общей подложке или внутри нее, H01L 27/00; резисторы

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСК©МУ Сви . ИТВПЬСЯУ

Союз Советских

Социаектииеск их

Респубеес

<>796958 (S1) Дополнительное к авт. свид-ву (51) М. Кл.

Н 01 L 29/28 (22) Заявлено 291278 (21) 2738330/18-21 смрисоединением заявки М (23) Приоритет

Госуяарстаеинмй комктет

СССР ко ямам кзобретеикй к открвпкй

Опубликовано 150181. Бюллетень ИВ 2

Дата опубликования описания 150181 (53) УДК 621. Ç82 (088.8) (72) Авторы изобретения

3. И. Доброхотов, И. П. Макаров, B. A. Иванов, Ю. А. Снейкин и Ю: Н. Кругликов (71) Заявитель

Чувашский государственный университет (54) СПОСОБ КАПСУЛИРОВАНИЯ ДЕТАЛЕЙ РАДИОЭЛЕКТРОННОЙ

АППАРАТУРЫ

Изобретение относится к электрон радиотехнике и применяется для капсулирования деталей и узлов приборов термореактивными полимерными материалами без применения специальных форм или инструментов.

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является способ капсулирования изделий без применения специальных приспособлений (форм, пресс-инструментов).:Способ заключается в том, что детали, узлы, предназначенные для капсулирования сначала погружают в жидкий термооеактивный полимер, затем извлека- l5 ют, вакуумируют (для заполнения пустот и детали компаундом), а затем погружают в расплав термопластичного вещества (синтетический или натуральный воск). Ванну с термопластич- 20 ным материалом и капсулируемым изделием охлаждают до отверждения TeDмопласта и в полученной таким образом форме проводят отверждение термореактивного компаунда. После этого 25 ванну вновь нагревают до плавления термопласта (матрицы) и готовое иэделие извлекают нэ ванны t1I..

Основным недостатком данного способа является то, что форма (воск 30 или др. термопласт) обладает недостаточной теплопроводностью, а вследствие экзотермичности процесса полимеризации термореактивных материалов, особенно при капсулировании крупногабаритных изделий, развиваются„ значительные термомеханические напряжения в полимерном покрытии, которые способствуют образованию сколов, микротрещин и таким образом приводят иэделие в негодность. Кроме того, внешнее давление, оказываемое на капсулируемое иэделие формой из термопластов, мало, и вследствие этого ухудшается качество (чистота) отвержденного полимерного покрытия.

Цель изобретения — повышение качества покрытия.

Поставленная цель достигается за счет того, что в способе капсулирования деталей радиоэлектронной аппаратуры, включающем погружение детали в герметизирующий компаунд, ее вакуумирование и отверждение путем размещения детали в форме, в качестве формы используют легкоплавкие металлы и сплавы, кроме того, процес= отверждения осуществляют погружением охлажденной детали в расплав легкоплавкого металла или сплава.

796958

1., 0

Формула изобретения

Составитель В. Гаврилова

Техред Н. Бабурка Корректор A. Гриценко

Редактор М. Циткина заказ 9790/72а Тираж 793 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Описываемые способы капсулирования осуществляются следующим образом.

Пример 1. В качестве термореактивного полимерного материала используется эпоксидный компаунд следующего состава, масс.ч.:

Эпоксидная смола ЗД-20 100

Тальк (наполнитель) 60

Стеарат магния (антиадгезив)

Гидрохинон (ускоритель) 5,0

Метафенилендиамин 13

Приготовленный компаунд заливается в ванну, капсулирование осуществляется при комнатной температуре (20-25 С). Объектами капсулиронания являются бескаркасные катушки магнитных пускателей. Удерживая за выводные концы, нагретую в термостате до 60-65 С,деталь погружают в ванну с компаундом на 5-6 мин, извлекают и вакуумируют 3-5 мин при остаточном давлении 3-5 мм рт.ст. Затем датель вновь погружают н ванну с компаундом на 1-3 мин, извлекают и переносят н тигель с расплавленным сплавом Вуда (температура плавления

65,5 C). Нагрев тигля отключается, и металл переходит в твердое состояние. В полученной таким образом металлической форме осуществляется отверждение эпоксидного компаунда при температуре 50-60 С в течение 810 час. Пе истечении указанного времени температуру в тигле доводят до 800С, металл формы расплавляется, и готовое изделие извлекают и охлаждают. Оставшаяся тонкая пленка металла на иэделии легко удаляется механическим путем.

Пример 2. В качестве термореактивного компаунда используется эпоксидный компаунд следующего состава, масс.ч.:

Эпоксидная смола ЗД-20 100

Тальк (наполнитель) 40

Стеарат магния (антиадгезив) 1,0

Малеиновый ангидрид 32

В ванну с компаундом при комнатной температуре погружают нагретую до,70-80 С деталь (катушку), выдерживают 10-15 мин, затем извлекают и вакуумируют 3-5 мин при остаточном давлении 3-5 мм рт. ст. Затем деталь охлаждается до комнатной температуры и погружается в тигель с расплавленным припоем ПОС-60 (t„„ 190 С) на короткое время (0,5-1,0 мин), немедленно извлекается и обдунается охлажденным воздухом. Таким образом, на поверхности капсулируемого изделия образуется оболочка-форма из легкого металла. Режим отверждения эпоксидного компаунда осущестнляется выдержкой иэделия в термостате при температуре 150-160 С н течение

10-12 час. Далее иэделие вновь по-. гружают в расплавленный припой

ПОС-61 на 5-10 мин, оболочка-форма . расплавляется, и готовое изделие иэнлекается. Оставшаяся тонкая пленЩ ка металла легко удаляется механи ческим путем.

Применение описанной методики капсулирования изделий позволяет организовать непрерывный технологи25 ческий процесс, выгодный н техническом и экономическом отношении при массоном производстве изделий радиои электротехнического назначения.

1. Способ капсулирования деталей ,радиоэлектронной аппаратуры, включающий погружение детали в герметизирующий компаунд, ее вакуумирование и отнерждение путем размещения детали н форме, отличающийся тем, что, с целью повышения качества покрытия, в качестве формы используют

40 легкоплавкие металлы и сплавы.

2. Способ по п.1, о т л и ч а ю— шийся тем, что процесс отверждения осуществляют погружением охлажденной детали в расплав легкоплавко45 го ме ла или плиев

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент США Р 4009306, кл. 427-374, 22.09.75.

Способ капсулирования деталейрадиоэлектронной аппаратуры Способ капсулирования деталейрадиоэлектронной аппаратуры 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к конструкциям формирователя сигналов изображения (ФСИ)

Г // 390600

Изобретение относится к силовой полупроводниковой технике

Изобретение относится к технологии получения алмаза для использования в электронике

Изобретение относится к электронной технике

Изобретение относится к устройствам для электромагнитного воздействия на биологический объект и может быть использовано в медицине и ветеринарии для изменения биологической активности биологических объектов

Изобретение относится к области электронной техники, в частности к материалам, воздействующим на электромагнитные поля с целью управления ими и их преобразования, и может быть использовано при создании гетероэлектриков с наперед заданными оптическими, электрическими и магнитными характеристиками

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано для определения заданного уровня тока в диапазоне от 150 мА и выше

Изобретение относится к области химической технологии высокомолекулярных соединений

Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности, к интегральным устройствам, работающим непосредственно от сетевого напряжения 220 В

Изобретение относится к области производства ИС, в частности, к конструированию и технологии высоковольтных ИС на подложке КСДИ
Наверх