Травильный раствор

 

Оп ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИ ИТИЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Ресеублик

<>816983 (61) Дополнительное к авт. сеид-ву (51)М. Кл з (22) Заявлено 1Ь0679 (21) 2777290/29-33 с присоединением заявки Н9

С 03 С 15/00

Гасударственный квинтет

СССР яе ямам нзобретеннв н открытнй (23) Приоритет

Опубликовано 300381 Бюллетень М 12

Дата опубликования описания 3Q03.81 (53) УДК 666. 1.. . 53. 6 (088. 8) (12) Автор нвобретения

1 ЧАЯ

Ц

Т.И. Ряховская (11) Заявитель

ВВИ ""> -" (54) ТРАВИЛЬНЫИ РАСТВОР

6-36

30

Изобретение относится к технике травления и может быть использовано при вытравливании рисунка на свинцово-силикатных металлостеклянных пленках методом фотолитографии.

Известен раствор (15 для травления моноокиси кремния, включающий, вес.Ъ: о

48%-ная фтористо. водородная кислота 2-22

Фтористый аммоний

ЗОВ-ная перекись водорода 21-22

Вода 12-108

Укаэанный раствор не применяют при вытравливании рисунка на свинцово-силикатных металлостеклянных пленках.

Наиболее близким к предлагаемому по назначению и составу является травитель 2 1 для растворения в процессе фотолитографии свинцово-боросиликатного стекла, содержащий, об.вф

Плавиковая кислота 2 0,5

Азотная кислота 5 + 0,5

Уксусная кислота 100 + 20

Деиониэированная вода 500 -50

При использовании этого состава для вытравливания рисунка на свинцово-силикатных пленках время травления составляет 4-6 мин, пленка стравливатся неравномерно, вытравленный рисунок имеет неровный край и местами протравы по фотореэистору. Через

2-3 мин после. начала травления происходит отслаивание фоторезиста r î краям рисунка. Подтрав под фоторезист достигает значительных величин, искажаются форма и размеры величин, искажаются форма и размеры вытравленных фигур. Причина отслаивания фоторезиста заключается в том, что, кроФ ме травления по фронтальной поверхности пленки, происходит бокОвой подтрав под фоторезист, который увеличивается с временем воздействия травления.

Цель изобретения - сокращение времени растворения незащищенных фоторезистором участков свинцово-силикатных металлостеклянных пленок.

Поставленная цель достигается тем, что в травильный раствор, включающий плавиковую, азотную и уксусную кислоты, дополнительно вводят перекись водорода при следующещ соотноше- нии компонентов, об.Ъ:

816983

Состав травителей, об.%

Компоненты.

Свойства

33,5

25,0

Плавиковая кислота

Азотная кислота

Уксусная кислота

33,5

28,0

33,5

25,0

33,5

25,0

32, О.

8,0

8,0

Перекись водорода

15,0

Время полного стравливания, сек

22

Образование шлама

Незначительное

Раз рушение фотореэиста

За время травления не разрушается

28-34 . 25-35

25-35

8-15

Плавиковая кислота

Азотная кислота

Уксусная кислота

Перекись водорода

Формула изобретения

Составитель О. Самохина

Редактор Н. Бушаева Техред Н. Ковалева KoppeKTop N. Вигула

Заказ 1191/29 Тираж 520 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", r, Ужгород, ул. Проектная, 4

Плавиковая кислота 28-34

Азотная кислота 25-35

Уксусная кислота 25-35

Перекись водорода 8-15

Травитель составляют простым смешиванием концентрированных кислот.

Перекись водорода добавляют непосредственно перед использованием.

Примеры предлагаемого состава и его свойства приведены в таблице.

Время травления в растворах предлагаемого состава в 10 раз меньше, Травильный раствор, преимуществен- З но для свинцово-силикатных металлостеклянных пленок, включающий плави-, ковую, азотную и уксусную кислоты, отличающийся тем, что, с целью сокращения времени. растворения пленок, он дополнительно содержит перекись водорода при следующем соотношении компонентов, об.%: чем в известных травителях., благодаря этому исключено отслаивание фоторезиста. Кроме того, в растворах почти не образуется шлама, величина подтрава составляет 5-8 мкм, а неровность края не превышает 4 мкм.

Все это обеспечивает возможность визуального контроля процесса и изготовления методом фотолитографии, например, резистивных элементов с точностью, достаточной для применения в микроэлектронике.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР

Р 240792, кл. С 03 С 15/00, 1967.

2. Авторское свидетельство СССР

9 230996, кл. С 03 С 15/00, 1966.

Травильный раствор Травильный раствор 

 

Похожие патенты:
Изобретение относится к химическому удалению тонкослойных покрытий германий-моноокись кремния с поверхности арсенидов индия и галлия и может быть использовано в оптико-механической и радиоэлектронной промышленности в технологии изготовления оптических деталей, в частности интерференционных фильтров и полупроводниковых изделий интегральных микросхем, для замены механического способа удаления отбракованных покрытий химическим травлением

Изобретение относится к областям регистрации информации путем литографического формирования рельефных микроструктур и может быть использовано в оптотехнике, голографии, электронной технике, полиграфии и прочее
Изобретение относится к обработке стекловолокнистых нитей, в частности к изготовлению микроканальных пластин МКП, и может быть использовано в электронно-оптических преобразователях
Изобретение относится к технологии обработки стекла и изделий из него для получения декоративного эффекта в виде матового рисунка

Изобретение относится к технологии изготовления макропористых стекол оптического качества из натриевоборосиликатного стекла типа ДВ-1 и может быть использовано для создания объемных микрогетерогенных сред как элементной базы в системах записи, хранения и обработки информации, в волоконно-оптических системах передачи информации, в голографии и лазерной технике
Изобретение относится к составам растворов, применяемых для полировки изделий из стекла
Изобретение относится к составам травильных растворов для обработки поверхности стекла, нанесения на нее маркировочных обозначений, рисунков и другого
Изобретение относится к составам травильных растворов, используемых в стекольной промышленности
Изобретение относится к составам растворов для травления стекла
Наверх