Керамический материал

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТИДВСТВУ

«ii867906

Со1оз Советскик

Социалистичоских

Республик (6! } Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 06. 12,?9 (21) 2848617/29-33 с присоелинениеаа заявки М (23) Приоритет—

О убликовано 30.09. 81. Бюллетень рв 36

Дата опубликования описания 30.09. 81 (5!)М. Кл, С 04 В 35/04

Госудврстмккык кемитет

СССР до делам изебретеиик и открытки (53) УДК 666.638 (088. 8) Г. К. Кириллова, Г.А. Михайлова и Е. А тТузновйч

1 (72) Авторы изобретения (71) Заявитель (54) КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ

Изобретение относится к радиоэлектронной технике и может быть использовано для производства подстроечных конденсаторов, подложек для микросхем и других изделий, требующих повышенного коэффициента линейного расшире-. 1 ния Ы. 20-100 (90-110) ° 10 и пониженной микропористости с ограниченным размером пор & 10 мкм, что обеспечивает создание изделий с высокой частотой обработки поверхности, а также малогабаритных, толщиной О, 35-0,05 мм и менее.

В настоящее время для изготовления малогабаритных изделий с высокой

15 частотой обработки поверхности, как в отечественной промышленности, так и за рубежом используют в основном, корундовую керамику с d. 20-100 о

26 (50-60) 10, не обеспечивающую в ряде случаев требованиям тохники по коэффициенту термического линейного р асши рени я.

Форстеритовую керамику различнъ1х марок в отечественном приборостроении применяют для производства достаточно крупногабаритных изделий, таких как, например высоковольтные конденсаторы, некоторые виды оснований резисторов, изоляторов.и др., поэтому вопрос ограничения только внутренней пористости не является определяющим при ее изготовлении.

Известен состав форстеритовой ке,рамики на основе окиси магния и двуо киси кремния с минерализующнми добавками 1 g °

Однако этот состав не обеспечивает возможность получения керамического материала с низкой температурой и широким интервалом спекания уменьшенной микропористостью и ограниченным размером пор 10 мкм, с необходимыми. физическими и диэлектрическими характеристиками. В некоторых случаях они сложны технологи867906

55 ФоРмУла изобретения чески, так -как в качестве плавней используют окись свинца, Наиболее близкой по технической сущности и достигаемому результату к предлагаемой является форстерито- вая керамика (23, содержащая, вес. .:

Окись магния (MqO) 32

Тальк Окотский,обожженный при 1200+50 С (3 MqO 4 S10 Н О) 63

Ошарит Индерского месторождения (3 Мс10. В О..Н О) 5

Этот материал имеет достаточно трудоемкую технологию: для образования активного силиката магния производят пр едварительный обжиг талька при 1200+50 С, затем материал,при. готовленный согласно приведенного выше состава, подвергают термообработке в интервале температур 1360—

1400 С для синтеза форстерита, измельо чают и используют для оформления изделий.

Обжиг керамики осуществляют при

1 380+20 С, микропористость спеченно го материала 8-107., размер пор от ! 5-20 до 50 мкм. Цель изобретения — снижение пористости, уменьшение размера пор и упрощение технологии.

Поставленная цель достигается тем, что керамический материал, преимущественно для изготовления оснований подстроечных конденсаторов, содержащий окись магния и двуокись кремния,дополнительно содержит пятиокись ванадия и окись иттрия при следующем соотношении компонентов, вес.7.:

Mq0 55,5-58,0

SiOg 39,5-44,0

Ч 05 0,2-1,0

Y kg 0,3-1,5

Добавка V 0 способствует низкотемпературному синтезу форстерита иэ

MqO u S iO, а введение YgOg в предварительно синтезированный форстеритовый спек-спусканию материала при низкой температуре и получению керамики с малой пористостью .с 67. и ограниченным размером пор ь 10 мкм.

Состав керамического материала получают следующим образом.

Окись магния, двуокись кремния и пя тиокись ванадия смешивают мокрым способом в вибрационной или шаровой мельнице, обезвоживают и обжигают при .1300+20оС. Спек с добавкой окиси ит трия измельчают до размера 5 мкм и менее, после чего его используют.

4 для приготовления изделий прессовкой, литьем пленки или методом горячего литья под давЛением.

Обжиг изделий проводят при температуре, определяемой в связи с указанным ниже составом.

Пример 1 (по минимуму). Содержание форстерита, вес.7:

MqO(MqCO>) 55",5 о 44,0

VnOg 0,2

У О> 0,3

Синтез форстерита осуществляют при 1300+20 С, спекание материала при 1340<20 С.

Иикропористость спеченной керамики при этом 5-67, размер пор 7,5 мкм и менее.

П р и,м е р 2 (по максимуму).

Содержание форстерита, вес. :

Mq0(MqCQ 58,0

S 10 39,5

Ч,05 1,0 о 1 5

Синтез форстерита производится при

1300 20 С, спекание керамики при

1 360+ 20 С.

Иикропористость " 67, размер пор

10 мкм и менее.

П р и м е,р 3 (по среднему значению) . Содержание форстерита,вес. Х;

Mq0 (MqCOg) 56,75

S10 41,75

V,O 0,60 о 0,90

M Обжиг спека производится при

1300+20 С, спекание материала при

320 20 оС

Иикропористость 67, .размер пор

7 5 мкм и менее, 4В Предлагаемый материал имеет следующие преимущества: при сохранении высоких диэлектрических характеристик повышенного коэффициента термического линейного расширения материал имеет

4> более простую технологию (снимается предварительный обжиг талька) и снижается температура спекания. Кроме того, предлагаемая керамика имеет пониженную пористость с ограниченным

50 размером пор (не более 10 мкм), что позволяет испольэовать ее при изготовлении малогабаритных изделий как, напрмер оснований подстроечных кон».. денсаторов.

Керамический материал, преимущественно для изготовления оснований

867906

Составитель В; Соколова.

Редактор М.Лысогорова ТехредЛ.Пекарь Корректор В.Бутяга

Заказ 8233/29 Тираж 663 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Рауаская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", .г, Ужгород, ул, Проектная, 4 подстроечных конденсаторов, содер-. жащий MqO и S10< о т л н ч а юшийся . тем, что, с целью снижения пористости н уменьшения размера пор и упрощения технологии, он дополнительно содержит Ч О н Уд0 при следующем соотношении компонентов, вес.%:

И1О 55,5-58,0

Si0g 39,5-44,0

I ч о 0 2-1,0

viol О, 3-1,5

Источни ки информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент Японии У 45-11221, кл. 20А2 5, 19 70.

2. Боговодицкий И.П.. и дР. Радио керамика. М.-Л., Госэнергоиздат, 1963, с. 97"100 (прототип).