Устройство для очистки плоских изделий,преимущественно полупроводниковых пластин

 

Союз Северских

Социалистических республик

ОП ИСАКИЯ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (ii) 902108 (61) Дополнительное к авт.саид-ву (22) Заявлено 17.01.79 (21) 2723085/18-21 (5I }N, Кл.

Н 01 4 21/00 с присоединением заявки М

9еуаа jesann4 кэиктвт

СССР ко калаи юобретвккк

w впрытнй (23) Приоритет (5ЗИЛК 621.396. .6.002.72:62 1. .757 (088.8) Опубликовано 30.01.82. бюллетень М 4

Дата опубликования описания 02.02.82

О. H. Друнк, Ю. Н. Портянников, П. Н. Иаслеи и М. М. Вашук (72) Авторы изобретения (7I ) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОЧИСТКИ ПЛОСКИХ ИЗДЕЛИЙ, ПРЕИМУШЕСТВЕННО ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН

Изобретение относится к технологическому оборудованию для изготовления по лупроводниковых приборов, и в частности к оборудованию для очистки полупроводниковых пластин после операций механической обработки (резки, шлифовки, поли% ровки) .

Известно устройство для механической двусторонней очистки полупроводниковых пластин, содержащее спаренные щетки, 16 установленные с возможностью вращения в противоположные стороны, систему подачи моющей жидкости и приспособление для транспортировки изделий между щетками $ 1 1 .

Однако в данном устройстве сложное приспособление для транспортировки изделий между щетками.

Наиболее близким к предлагаемому является устройство для механической очистки плоскик изделий, преимущественно полупроводниковых пластин, содержащее размещенные попарно цилиндрические щетки, каждая из которых снабжена индивидуальным приводом, и установленные с возможностью вращения вокруг своих продольных осей в противоположные стороны, и механизм перемещения полупроводниковой пластины, содержащий направ ляюшие, установленные перпендикулярно к продольным осям цилиндрических щеток (2 j ..

Однако перемещение цилиндрических щеток только вокруг своей оси не обеспечивает качества очистки полупроводниковых пластин.

Бель изобретения - повышение качест.ва очистки.

Поставленная цель достигается тем, что устройство для механической очистки плоских изделий, преимущественно полупроводниковых пластин, содержащее размещенные попарно цилиндрические щетки, каждая из которых снабжена индивидуаль ным приводом, и установленные с воэможностью вращения вокруг своих продсаьных oceN в противоположные стороны, и механизм перемещения полупроводнико

3 90210 вой пластины, содержащий направляющие, установленные перпендикулярно к продольным осям цилиндрических щеток, механизм перемещения полупроводниковой .пластины снабжен толкателем, установлен-

;ным с возможностью возвратно-поступательного перемещения по направляющим, а цилиндрические щетки установлены с возможностью встречного возвратно-поступатипного перемещения вдоль их про- 1О дольных осей.

На фиг. 1 изображено устройство для очистки полупроводниковых пластин; на фиг. 2 — разрез А-А на фиг. 1; на фиг. .3 - сечение Б В на фиг. l. t5

Устройство содержит цилиндрические щетки 1, установленные попарно друг против друга с возможностью вращения на валу 2 вокруг своих продольных осей.

Каждая цилиндрическая щетка 1 снабже« на индивидуальным приводом, обеспечивающим возвратно-поступательное движение вдоль продольной оси. Этот индивидуальный привод содержит шкив 3 со скосом

4, посаженный на валу 2 и взаимодейст- 2S вующий с кулачком 5. Поджим деталей привода осуществляется посредством пружины 6, опирающейся на подпятник 7, вращающийся с помощью шариков 8 в опоре 9. С двух сторон пары цилиндри- щ ческих щеток перпендикулярно к их продольным осям установлены направляющие

10 и 11. Кроме того, устройство содержит топкатель 12, установленный с возможностью возвратно-поступательного перемещения по направляющей 10 в пазу 13.

Для регулирования зазора между парой цилиндрических щеток 1 вал 2 взаимодействует со стойкой 14, установленной

HB Оси 15 с вОзмОжностью повОрота при помощи пружины 16 и винта 17.

Все детали закреплены на основании

18. Направление ворса на цилиндрических щетках 1 выполнено по винтовой линии.

В направляющей 11 выполнен цаз 19.

Устройство работает следующим образом.

Изделие, подлежащее очистке, например полупроводниковую пластину, устанав- ц ливают в зону обработки любым известным способом. Цилиндрическим щеткам 1 сообщают вращательное движение от привода (не показан). Одновременно цилиндрические щетки 1 совершают возвратно-. поступательное движение вдоль своих продольных осей, что достигается за счет шкива 3 со скосом 4, обкатыважяпегося

8 ф по кулачку 5. При. этом контакт шкива

3 и кулачка 5 достигается с помощью пружины 6, опирающейся на подпятник 7, вращающийся на шариках 8 в опоре 9.

Толкателю 12 сообщается возвратно- поступательное движение по расположенным над цилиндрическими щетками 1 направляющим 10 в пазу 13 от любого привода (не показан). Скорость перемещения топкателя 12 выбирается из условия необходимой качественной очистки обрабатываемых изделий с учетом их хрупкости и подбирается экспериментальным путем.

Число ходов толкателя 12 выбирается также экспериментально.

Зазор между цилиндрическими щетка ми 1 подбирается в зависимости от толщины обрабатываемого изделия с помощью стойки 14, поворачивающейся на оси 15.

Удержание стойки 14 в требуемом положении осуществляется пружиной 16 и винтом 17.

Цилиндрические щетки 1, вращаясь в противоположные стороны, встречают полупроводниковую пластину, перемещающихся в пазу 19 направляющих 10 и 11, расположенных под цилиндрическими щет-. ками 1, и стремятся при этом ее вытотдьнуть. Толкатель 12 проталкивает полупроводниковую пластину между цилиндрическими щетками 1. При этом полупроводниковая пластина удерживается в вер- . тикальном положении в пазу 19 направляющей 11 за счет вращения цилиндрических щеток 1. За счет того, что цилин» дрические щетки 1 совершают возвратнопоступательное движение и за счет того, что направление ворса выполнено по винтовой линии, при отходе-толкателя 12 полупроводниковая пластина выталкивается щетками 1 обратно в направляющие

10 и одновременно поворачивается вокруг своей оси. При следу|ощем движении толкателя 12 вниз полупроводниковая пластина снова входит между цилиндри« ческими щетками 1, но уже новой частью своей поверхности, в результате:чего очищается и ее торцовая поверхность., При таком процессе обрабатываемые поверхности полупроводниковой пластины каждый раз взаимодействуют с новыми участками ворса цилиндрических щеток

1 и траектории перемещения их по поверхности пластины всякий раз пересекаются, чем достигается повышение эффективности очистки. Для интенсификации процесса в зону обработки с помощью специальной системы (не показано) пода5 902 ется рабочая жидкость. После окончания очистки в зону обработки подается деионизованная вода, Затем пилиндрическим щеткам 1 со общается- реверсивное движение, они захватывают полупроводниковую пластину и перемешают по направляющим 11, передавая на следукицую операшпо. С учетом малой толщины обрабатываемой полупроводниковой пластины (0,3-0;6 мм) и 10 значительного их диаметра (go 150 мм) паз 13 имеет значительно большую ширину, чем паз 19 в направляющих 10 и

11, что исключает заклинивание полупро ;водниковой пластины, неравномерное пе- 15 ремещение ее, а следовательно, ее по4йомку °

Такое конструктивное выполнение устройства повышает эффективность очистки изделий, что способствует увеличению 20

Выхода годных приборов.

Формула изобр ет ения

Устройство для очистки плоских изделий, преимущественно полупроводниковых. 25

10S 6 . K e sí. содержащее размещенные нодар но цилиндрические щетки, каждая из которых снабжена индивидуальным приводом, и установленные с возможностью вращения вокруг своих продольичх осей в противоположные стороны, и механизм перемещения полупроводниковой пластины, со . держащий направляющие, установленные перпендикулярно к продольным осям ци-: линдрических щеток, о т л и ч а ю щ ее с я тем, что, с aemm повышения качества очистки, механизм перемещения полупроводниковой пластины снабжен тол» кателем, установленным с возможностью .,-I возвратно-поступательного перемещения по направляющим, а пюппщрические щетки уст. новлены с возможностью встречного возвратно-поступательного перемещения вдоль их продольных осей.

Источники информа ии, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент США И 3946454, кл. 15-77, 1976.

2. Патент США М 3643278, кл. 15»

77, 1972.

902108

Составитель Л. Гришкова

Редактор JL Пчелинскаа Техред Т.Маточка Корректор C. Шомак

Заказ 12397/63 Тираж 757 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушскаа наб., a. 4/5

Филиал ППП Патент, г. Ужгоооп. тл. Пооектная, 4