Устройство для регенерации информации в блоках памяти

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АОТОезСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (li}924751 (6l ) Дополнительное к авт. свид-ву (51)M. Кл. (22) Заявлено 15. О1. 81 (21) 3/34970/18-24 с присоединением заявки №

G 11 С 7/00 з ооудпрстпеиный комитет (23) ПриоритетОпубликовано 30 04. 82, Бюллетень ¹ 16 по делам изобретений и открытий (53) УДК 681. 327..6(088;8) Дата опубликования описания 30. 04. 82 (72) Авторы изобретения

Э. P Караханян и Б. А. Копыткин

Московский институт электронного м щиностроения (73) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ РЕГЕНЕРАЦИИ ИНФОРМАЦИИ

В БЛОКАХ ПАМЯТИ

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для создания запоминающих устройств на МДП-транзисторах.

Наметилась тенденция перехода

ЗУПВ динамического типа на один 5В источник питания. При этом недопустима потеря уровня логической "1", возникающая при работе усилителя считывания . Устранить этот недосfO таток позволяют устройства для регенерации информации tl) .

Наиболее близким к предлагаемому является устройство для регенерации в блоках памяти, которое пред15 назначено для полного восстановления уровня логической 1" на информационных шинах запоминающего устройства, выполненного на однотранзисторных запоминающих элементах.

Устройство для регенерации информации информации в блоках памяти, использующееся для проектирования

ЗУ емкостью 64-к с одним источником питания (5В), содержит транзистор связи, затвор которого подключен к генератору тактовых сигналов, сток — к информационному узлу, исток — к затвору транзистора регенерации, исток которого подключен к чис" ловой шине, сток — к источнику питания, и МДП-конденсатор, один электрод которого подключен к генератору тактовых импульсов, другой - к затвору транзистора регенерации l2l, Однако такое устройство . занимает большую площадь в строке ЗУ изза наличия МДП-транзистора, который необходим для подброса напряжения на затворе транзистора регенерации.

Цель изобретения - повышение сте" пени интеграции устройства.

Поставленная цель достигается тем, что в устройство для регенерации информации в блоках памяти, содержащее транзистор связи, затвор которого подключен к тактовой шине, сток - к входной шине, исток924751 .

Формула изобретения

8д

Рие. Г

Тираж 624 Подписное

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, к затвору транзистора регенерации, исток которого подключен к числовой шине, сток транзистора регенерации подключен к тактовой шине.

На фиг. 1 представлено устройство, принципиальная схема; на фиг. 2временная диаграмма его работы.

Устройство для регенерации информации в блоках памяти состоит из транзистора 1 связи, сток которого подключен к входной шине 2, истокк затвору транзистора 3, затвор - к тактовой шине 4, исток транзистора регенерации подключен к числовой ши, не 5, сток - к тактовой шине 6, 15 . Устройство для регенерации информации работает следующим образом.

В исходном состоянии до момента на входной шине 2 Формируется напряжение t . В момент времени ty фор- 2о мируется напряжение на затворе транзистора регенерации (фиг. 2 ). Если числовая шина 5 предварительно заряжена, то с момента t0 она разряжается, что увеличивает время восста- . 23 новления уровня логической "1". Однако время регенерации не является критичным параметром ЗУ и во время выборки не входит. С момента t< осуществляется восстановление уровня зв логической "1" на числовой шине 5 и растет напряжение на входной шине

СОсга. 1

ВНИИПИ Заказ 2826/69

2, что обусловлено внутренней емкостью связи транзистора регенерации.

Использование предлагаемого устройства для регенерации информации тактируемого генератора обеспечивает плавающий режим работы транзистора регенерации и позволяет уменьшить площадь, занимаемую устройством на кристалле, на 0,6ь за счет исключения ИДП-конденсатора, что обеспечивает годовую экономию 16 тыс. руб.

Устройство для регенерации информации в блоках памяти, содержащее транзистор связи, затвор которого подклкчен к одной тактовой шине, сток - к входной шине, исток - к затвору транзистора регенерации, исток которого подключен к числовой шине, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения степени интеграции, сток транзистора регенерации подключен к другой тактовой шине.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. "Электроника", 1978, М 20, с. 25-35 °

2. "E1ectronics", 1980, V 50, Ю 12, р. 119-129 (прототип).